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楼主: 安规007

[电源产品] 二极管做绝缘

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 楼主| 发表于 2010-11-24 17:27 | 显示全部楼层
广东安规检测
有限公司提供:
呵呵,8楼的回答比较难以反驳。9楼的方法挺不错的。
发表于 2010-11-24 22:06 | 显示全部楼层
保护阻抗之所以可以用来跨接绝缘,其先决条件是有足够的稳定性,这一点600335中结构一章提到了,60065和60950没有仔细查核。两只电视高压包内的硅堆反向连接,其耐压也是数万伏级别。但构成电阻的是多只串联的PN结,那个仅靠添加不同物质所形成阻止电流反向通过的电场,不可能视其为有足够稳定性的,因而不能用作保护阻抗。
发表于 2010-11-25 01:21 | 显示全部楼层
电气间隙和爬电距离如何保证?
 楼主| 发表于 2010-11-25 10:05 | 显示全部楼层
引用第11楼山炮于2010-11-24 22:06发表的  :9 A/ j( T% n! T6 H
保护阻抗之所以可以用来跨接绝缘,其先决条件是有足够的稳定性,这一点600335中结构一章提到了,60065和60950没有仔细查核。两只电视高压包内的硅堆反向连接,其耐压也是数万伏级别。但构成电阻的是多只串联的PN结,那个仅靠添加不同物质所形成阻止电流反向通过的电场,不可能视其为有足够稳定性的,因而不能用作保护阻抗。

3 R# Q* \2 u8 b- j8 k你的理由很有说服力,但是在60950里面我找不到类似60335的说法,60950  2.9.1里面有列出了可以作为绝缘的材料,但是并没有列出半导体材料能不能作为绝缘,还有 2.10.5.4中 有如下内容:
) o, @5 ?5 u; a) I# L3 x2.10.5.4 Semiconductor devices8 V, D4 H' F  J4 \5 s
There is no minimum distance through insulation for SUPPLEMENTARY INSULATION or5 X/ m: X. q; L+ Y* U3 C
REINFORCED INSULATION consisting of an insulating compound completely filling the casing of a4 N" _: I* P0 P& ]4 b  k" ~
semiconductor component (for example, an optocoupler, see Figure F.17), provided that the
7 M, F, Z6 L$ G! G8 z& e% Kcomponent satisfies one of the following, a) or b):
% l& d. B# z, r- e6 W! \! Ha) – passes the TYPE TESTS and inspection criteria of 2.10.11; and8 `& ^  s: A- z/ `- S, F4 f  z: u
– passes ROUTINE TESTS for electric strength during manufacturing, using the appropriate
, z: E) A% r: `( `9 ivalue of the test voltage in 5.2.2; or- R- o; ?( C: c2 e4 d' \
b) for an optocoupler only, complies with the requirements of IEC 60747-5-51), where the test
, k7 Y; B! q* x8 Q# Wvoltages as specified in 5.2.6 (of IEC 60747-5-5):
; n4 `5 W1 u" x– the voltage Vini,a for TYPE TESTING and6 I& g1 P7 ?4 C) `) g$ {
– the voltage Vini,b for ROUTINE TESTING,
" ?5 z) U. Z( @& j/ }0 f' U9 ~6 fshall be the appropriate value of the test voltage in 5.2.2 of this standard.; m$ V: v0 S5 k* }$ ?
NOTE The above constructions may contain cemented joints, in which case 2.10.5.5 also applies.
3 A5 \3 P- D0 z/ M/ lAs an alternative to a) and b) above, it is permitted to treat a semiconductor according to
# w1 X4 R/ q0 Z0 [0 ?2.10.5.3, if applicable.
1 q$ k: C' v$ O, nFor compliance criteria, see 2.10.5.1.
7 B4 c9 @% U1 R& U
! ^% @/ e, {0 C# B3 |3 I我个人理解二极管是可以满足a 的要求的,现在有争论的就是打耐压方向的问题,就像8楼所说的,标准没有规定从哪个方向打,既然没有规定,那我可以按对我产品有利的方向来打,就算是机构的工程师,如果说不允许,也要有相关的标准作为依据才可以反驳我的做法吧。我们都知道,只要二极管的反向击穿电压大于我们的绝缘耐压要求,按固定的方向来打耐压(DC)是可以打得过的。6 b  A: r2 w7 I+ ^
; Z4 c9 A5 c$ z! ^
继续期待着大家进行讨论。
发表于 2010-11-25 12:29 | 显示全部楼层
不过标准中所有测试都是以最不利的情况下做的,就如楼上说的,认证工程师一般都会要求以最不利的方向打耐压。
发表于 2010-11-25 13:12 | 显示全部楼层
判断绝缘是否合格,并不是只有耐压一种方法,同时还得满足隔离要求,再者,二极管反向可以通过耐试验,那正向呢?
 楼主| 发表于 2010-11-25 14:26 | 显示全部楼层
引用第14楼清水白菜于2010-11-25 12:29发表的  :
  V1 W& v# U. b* b+ B/ n  G不过标准中所有测试都是以最不利的情况下做的,就如楼上说的,认证工程师一般都会要求以最不利的方向打耐压。

6 G* x6 x0 {" p/ ^0 a& T* M/ _其实我们这个电路是对地打的,从实际应用来说,只有可能从L/N对地击穿,所以如果根据实际情况来评估的话,从地往L/N打(DC)应该就没有必要了吧。
 楼主| 发表于 2010-11-25 14:28 | 显示全部楼层
引用第15楼zhysff于2010-11-25 13:12发表的  :
9 q9 b  D$ N1 |3 S6 o. _判断绝缘是否合格,并不是只有耐压一种方法,同时还得满足隔离要求,再者,二极管反向可以通过耐试验,那正向呢?
* U$ U- ]- I/ A
正向是从地到L/N的,从实际情况来评估的话,是否有必要两边都要打(DC)呢?
发表于 2010-11-25 14:38 | 显示全部楼层
引用第17楼安规007于2010-11-25 14:28发表的  :
9 i: v8 H8 k6 h: M' y
) u! Y4 i7 x; F/ i* A% P' u# Q4 N5 ~: O' p; s
正向是从地到L/N的,从实际情况来评估的话,是否有必要两边都要打(DC)呢?

$ P8 G. ?! E3 ?: ?1 I) }! q% D/ ]4 v! I
打抗电强度的时候并没有规定电压的方向,那么,实验工程师从两极防护的原则上考虑的话,是可以在两边都进行抗电强度试验的
" F. Z- {) g/ K, y4 |9 D
3 P1 B# r; f* {/ e再者,刚才还提到一个隔离的问题,初次级之间是需要隔离的,可以是空间距离的隔离,也可以是如光耦一样用绝缘化合物填充,二极管仅仅是一个PN结,是满足不了隔离的,而且二极管在两端电势差较大的情况下是会击穿短路,就从这点来说,就不能让产品持续符合安全的要求
 楼主| 发表于 2010-11-25 14:49 | 显示全部楼层
引用第18楼zhysff于2010-11-25 14:38发表的  :
$ i6 {+ a, C+ Y
- ]% u& w5 p. C3 F2 t) V$ X; t, p
  s) m+ c1 I# \# T% c5 g- ]* J% R: L4 C) d- ?
打抗电强度的时候并没有规定电压的方向,那么,实验工程师从两极防护的原则上考虑的话,是可以在两边都进行抗电强度试验的& i+ F( U2 f) ?: Q* g3 z

- M. ^8 l, |! a% A. _.......
/ M) J0 @' s6 L* `( i' Z% b
呵呵,关于抗电强度,我可以从实际情况来进行评估,L/N是带电体,而地是安全的,我只要保证从L/N那边不会有高压对地击穿应该就可以满足安全的要求吧。1 h0 L4 N( h* y. e
, \, [1 B" M+ K
还有关于隔离的问题,关于半导体内部的隔离是没有最小距离要求的,标准已经拿光耦来做例子。关于PN结是否可靠,标准里面没有说到,这就是有争议的地方了,你说二极管两端电势差比较大会击穿,这个我们会考虑到的,我只要选用反向击穿电压大于2120 V的二极管就可以满足基本绝缘要求了。
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