二极管做绝缘

安规007

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呵呵，8楼的回答比较难以反驳。9楼的方法挺不错的。

山炮

保护阻抗之所以可以用来跨接绝缘，其先决条件是有足够的稳定性，这一点600335中结构一章提到了，60065和60950没有仔细查核。两只电视高压包内的硅堆反向连接，其耐压也是数万伏级别。但构成电阻的是多只串联的PN结，那个仅靠添加不同物质所形成阻止电流反向通过的电场，不可能视其为有足够稳定性的，因而不能用作保护阻抗。

bob_dai

电气间隙和爬电距离如何保证？

安规007

引用第11楼山炮于2010-11-24 22:06发表的  :
9 e. `# c& n* |6 R' n- F! I8 S! D保护阻抗之所以可以用来跨接绝缘，其先决条件是有足够的稳定性，这一点600335中结构一章提到了，60065和60950没有仔细查核。两只电视高压包内的硅堆反向连接，其耐压也是数万伏级别。但构成电阻的是多只串联的PN结，那个仅靠添加不同物质所形成阻止电流反向通过的电场，不可能视其为有足够稳定性的，因而不能用作保护阻抗。

你的理由很有说服力，但是在60950里面我找不到类似60335的说法，60950  2.9.1里面有列出了可以作为绝缘的材料，但是并没有列出半导体材料能不能作为绝缘，还有 2.10.5.4中 有如下内容：
, [3 W. Z! X4 r0 w  Q& Y2.10.5.4 Semiconductor devices
There is no minimum distance through insulation for SUPPLEMENTARY INSULATION or
REINFORCED INSULATION consisting of an insulating compound completely filling the casing of a
( k7 y0 R7 x( H% @8 y1 L1 y1 I% csemiconductor component (for example, an optocoupler, see Figure F.17), provided that the
7 |0 Q( p; W4 ?6 Vcomponent satisfies one of the following, a) or b):
a) – passes the TYPE TESTS and inspection criteria of 2.10.11; and
– passes ROUTINE TESTS for electric strength during manufacturing, using the appropriate
, S0 f4 ?+ z- A( O. a4 cvalue of the test voltage in 5.2.2; or
b) for an optocoupler only, complies with the requirements of IEC 60747-5-51), where the test
( Y0 N( k9 ~$ w8 fvoltages as specified in 5.2.6 (of IEC 60747-5-5):
– the voltage Vini,a for TYPE TESTING and
) v& _# j& T/ o. L9 z: e6 V7 d  S– the voltage Vini,b for ROUTINE TESTING,
8 E7 I1 _9 x5 W' fshall be the appropriate value of the test voltage in 5.2.2 of this standard.
5 v1 m5 I! S/ p% O* Z1 bNOTE The above constructions may contain cemented joints, in which case 2.10.5.5 also applies.
As an alternative to a) and b) above, it is permitted to treat a semiconductor according to
2.10.5.3, if applicable.
7 F* T  S" M+ W1 CFor compliance criteria, see 2.10.5.1.

我个人理解二极管是可以满足a 的要求的，现在有争论的就是打耐压方向的问题，就像8楼所说的，标准没有规定从哪个方向打，既然没有规定，那我可以按对我产品有利的方向来打，就算是机构的工程师，如果说不允许，也要有相关的标准作为依据才可以反驳我的做法吧。我们都知道，只要二极管的反向击穿电压大于我们的绝缘耐压要求，按固定的方向来打耐压（DC)是可以打得过的。
# `4 v6 V; W1 @$ z! `3 d  D
4 P) T! e1 F: @+ s# i. ^继续期待着大家进行讨论。

清水白菜

不过标准中所有测试都是以最不利的情况下做的，就如楼上说的，认证工程师一般都会要求以最不利的方向打耐压。

zhysff

判断绝缘是否合格，并不是只有耐压一种方法，同时还得满足隔离要求，再者，二极管反向可以通过耐试验，那正向呢？

安规007

引用第14楼清水白菜于2010-11-25 12:29发表的  :
) z/ s/ z$ k2 L$ N% E9 ?3 N不过标准中所有测试都是以最不利的情况下做的，就如楼上说的，认证工程师一般都会要求以最不利的方向打耐压。

其实我们这个电路是对地打的，从实际应用来说，只有可能从L/N对地击穿，所以如果根据实际情况来评估的话，从地往L/N打(DC)应该就没有必要了吧。

安规007

引用第15楼zhysff于2010-11-25 13:12发表的  :
5 K1 |: Z% L3 l4 X- d判断绝缘是否合格，并不是只有耐压一种方法，同时还得满足隔离要求，再者，二极管反向可以通过耐试验，那正向呢？

! [' \' |5 F9 k1 ?9 K8 a正向是从地到L/N的，从实际情况来评估的话，是否有必要两边都要打(DC)呢？

zhysff

引用第17楼安规007于2010-11-25 14:28发表的  :


正向是从地到L/N的，从实际情况来评估的话，是否有必要两边都要打(DC)呢？

" X3 p9 E2 w0 T5 k. m1 e
打抗电强度的时候并没有规定电压的方向，那么，实验工程师从两极防护的原则上考虑的话，是可以在两边都进行抗电强度试验的

7 Y0 N! n3 `9 \) \9 w) S再者，刚才还提到一个隔离的问题，初次级之间是需要隔离的，可以是空间距离的隔离，也可以是如光耦一样用绝缘化合物填充，二极管仅仅是一个PN结，是满足不了隔离的，而且二极管在两端电势差较大的情况下是会击穿短路，就从这点来说，就不能让产品持续符合安全的要求

安规007

引用第18楼zhysff于2010-11-25 14:38发表的  :


( ~2 ]1 f& s) B" p/ ~8 I& v3 T6 M
打抗电强度的时候并没有规定电压的方向，那么，实验工程师从两极防护的原则上考虑的话，是可以在两边都进行抗电强度试验的
$ j$ |4 X9 @1 o5 j8 |0 d
! R( y: H9 s- x0 |.......

呵呵，关于抗电强度，我可以从实际情况来进行评估，L/N是带电体，而地是安全的，我只要保证从L/N那边不会有高压对地击穿应该就可以满足安全的要求吧。
/ p1 u8 x5 w0 n5 d! a0 ~( c
3 b5 Y4 q) K5 [3 H6 _; a还有关于隔离的问题，关于半导体内部的隔离是没有最小距离要求的，标准已经拿光耦来做例子。关于PN结是否可靠，标准里面没有说到，这就是有争议的地方了，你说二极管两端电势差比较大会击穿，这个我们会考虑到的，我只要选用反向击穿电压大于2120 V的二极管就可以满足基本绝缘要求了。