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楼主: zdream_80

[综合话题] 耐压测试问题

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发表于 2009-6-12 08:47 | 显示全部楼层
广东安规检测
有限公司提供:
有绝缘图吗?可以发上来大家看一看!
发表于 2009-6-21 09:02 | 显示全部楼层
提醒楼主:' N* W- [# @7 z$ Q
( c6 f3 f6 J; B! J1 V
9706.1中对耐压测试的考核标准时:不得出现闪络或者击穿。
0 k4 b0 T' |: ?* O. ?, T- N; ]  H& s( c0 b) U* W' ]/ w# N
你的机器报警,说明漏电流超标。8 j) g, L6 k" W# N$ x) Z: v
6 }- d  F' v2 Q+ O# f$ t6 S7 u
可以尝试切换较大档位漏电流,进行测试。只要不出现闪络或者击穿。
, d" ], V5 N. X  J) F
# n+ I, C2 B8 h6 W' n7 y. p另外还要提醒: 即使机器打坏了无法工作,只要不出现闪络或者击穿,也是合格的。比如:液晶触摸屏。
) O! ]& Q7 V& j9 S, \& u+ l$ X8 z$ B5 `# m7 P
我个人看法:我不会去修改标准,而是去寻找爬电距离和电气间隙上入手,增加绝缘,从而合格。* u0 U" ^6 P# i) A( y2 [

* i4 ]6 e# C" C! J4 c楼主没有发表机器的电器绝缘图,只说了高压变压器,没法分析啊!!!7 r: i' m6 t+ t/ F' O( [% S$ Q: e

( f3 f# B3 i+ T/ J; h0 Q8 W还是一句话:寻找爬电距离和电气间隙上入手,增加绝缘
发表于 2009-6-21 09:10 | 显示全部楼层
看楼主对变压器的描述,感觉是$ o! [: u1 R  ?! m7 Z+ a
) ~5 Y1 a  T* O; ~6 A! _+ N+ [& U
A-a2,没有过。9 Y. F3 h" P- C" b4 J2 H" Q( T, r

4 M& v  m! s, g0 S; A& t# p有可能是你的未保护接地部分与已保护接地部分比较近,所以,4000V无法通过。你找找看。9 P: d9 \- q2 ~
" G$ u' R3 ^- m$ G" v
感觉你的4000V没有考核到:  带电部分--变压器初级---次级----未保护接地部分,而是:带电部分----未保护接地---保护接地部分。。。。。。。。- b+ G" P( _( P; E0 G. ^
另外:/ {$ I/ D$ d  p
变压器看看初次级之间是否有电容?$ _+ K: J; v2 Z# q0 H

7 B- g, M- S4 I) J* I0 R" B如果电路上没有找到,那就只有找我楼上的方法了
发表于 2009-6-21 10:37 | 显示全部楼层
LZ的意思是该固定式设备在A-a2测试时,因为网电与GND间只能满足BI而导致Fail(设备因为是固定安装的,而不能在绝缘垫上进行)?
& y" H$ P9 l% v+ z* w采用反接的方法(耐压测试仪高压端 接未保护接地外壳)可接受不?
发表于 2009-11-3 21:00 | 显示全部楼层
可能是测试方法导致的这个现象:' }; \' x( c* b% \8 D' \4 Q( Y
实际要考察的绝缘是电源初次级之间的绝缘(绝缘A),但是因为保护接地与为保护接地的部件之间也有一个绝缘(绝缘B,实际上可能绝缘效果很差),当高压施加在网电与未保护接地的部件之间时,两个绝缘实际上会构成串联分压,造成绝缘A承受的电压不足,而绝缘B承受了额外的电压应力,具体两个绝缘各自分担多少电压,可能和绝缘阻抗、分布电容、和连接的Y电容等都有关系' |7 D) R- J: l: z
另外关于出厂检验记得UL60601-1和IEC60601-1 ed3.0中都有对出厂高压测试的附录说明,可以参考一下
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发表于 2009-11-4 09:25 | 显示全部楼层
想问问楼主未通过的现象是什么,是绝缘被击穿还是耐压测试仪设置的漏电流不够。设备里既然有高压发生器,应该是射线类设备吧,此类设备对于耐压测试漏电流可以设置的相对高一些。  D' _# H% {1 o4 @+ L4 ]
' m1 R# v) Y$ ?0 ]( P
AC改DC,需要找到你未通过测试的原因,如果是由于网电源部分的电容造成的,可以改用DC5656V打,一般检测机构都会接受的。
发表于 2020-12-8 10:01 | 显示全部楼层
yangzhenling 发表于 2009-11-3 21:00
9 _5 }5 p6 i# v可能是测试方法导致的这个现象:- C/ L6 r& M8 O+ Q$ j7 ?
实际要考察的绝缘是电源初次级之间的绝缘(绝缘A),但是因为保护接地与为 ...

5 `- r  x( t" C+ d0 b$ I  k1 m* O" p赞同                           
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