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Hello,大家好,能在次论坛和大家一起探讨安规是非常荣幸的事情,
9 W$ \0 d' }6 k* e/ L; Z, O4 J9 M 针对安规,由于是英文,每个人对其表述的含义都有不同的理解.希望通过大家的探讨,能更好的理解安规.合理的选择,确保最小的安规距离,设计出最适切的产品.以求合理小型化.
% x" Z6 k; d% v [# t附件是我常用的标准,相信大家也都有,既然要讨论,大家就参考这份标准,来探讨一下.
: S. I( l2 t5 c
1 t* @3 e: _! g7 p) O这里抛砖引玉一下:
: P" X3 g' s+ Q1 ?/ F% p普通宽电压电源) N4 H' ~) O- M2 d* h8 F& l
输入是: 90v~264vAC,1 k1 ~& e/ c4 V2 G! v" m }
污染度等级选II,
) A0 j' F" x) A: R, \0 o& u( g% X绝缘选择加强绝缘R
2 @% x @/ {9 Y7 }- ^ X' X
+ ?3 |. e* c% T* k6 F% r9 i1 g- o空间距离: 查表table-2H得出: 4.0mm
1 ^. m' \6 q2 x8 u/ L/ t$ ?- R爬电距离:: G3 K! \ h7 s- n* C
1. 查表table-2L得出:4.0mm(CTI 3) , PS: 输入电压小于400V(264*1.414=373V), 使用加强绝缘4.0*2=8.0mm,用在电源的变压器上面. P-S 爬电距离8mm, 挡墙宽度4mm.(TUBE使用等方法确保)
# S3 E& g* L& D1 m1 K. E3 O* H# a 2. 查表table-2L得出:2.0mm(CTI 1). 使用加强绝缘,爬电距离为2.0mm*2=4.0mm.(推荐),但注意材料限定使用CTI 1等级,现在很多材料都能pass
& w: J' M$ ]8 d% c9 O' S, M+ C, R0 v ^9 l' _, h( t
在说一下Table-2J, 是附加的绝缘距离.还是以上面为例,
) q4 A0 W2 C5 a0 L/ T' u3 v查表 以 MosFET 600V max, 保守点选640那档,加强绝缘档,得到0.6mm" p5 k& }" e9 D0 e I) G& j
这样:
& H1 z2 B8 p' b; y& L空间距离: 4.0+0.6=4.6mm
& X- H1 Q. s" Q: Y+ q q爬电距离: 4.0+0.6=4.6mm (CTI 1等级材料使用)
" Z R) p2 }! I& E6 q3 ]9 r; k( h) U. y/ v
(我一般选567那档.加强绝缘那档,得到0.4mm.类推)
7 A/ @- M# s3 k5 y0 v* X {. N) O8 N T
以上是我的经验,请供大家参考.0 X1 A* |! q& u: E7 A f* {- d0 |
; Y6 E, @/ p9 \1 c( H: w[size=2[size=4[i[i[i[i]]]]]]下面还是以开关电源为例,请大家一起来探讨下输入90V~130V(即常用的110V电压档)
X& c7 y( ^/ l- X& F2 H/ k所需要的空间距离 和 沿面距离 6 J9 [: r$ s, f& i4 B5 Y3 L
另外也请大家来探讨下
2 [- N( R! ~$ f& D+ r220V (90~264VAC) 耐电压要求规格,希望有参考文献说明.P--S,P--Core,S--Core
$ N. J& w3 a6 S( `$ W1 |110V (90~130VAC) 耐电压要求规格,希望有参考文献说明.P--S,P--Core,S--Core |
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