60065关于光耦、X/Y电容、桥堆的温升限制值

davidfu · 发表于 2012-6-21 11:24

canghai 发表于 2012-6-21 09:19 + R! \4 s+ \, G5 X3 H) q( ]0 W
如果我是插件的桥堆呢？而且PCB的温度为什么以100去判定？浙江CQC对半导体器件好像都是按100的最高温度去 ...

PCB的温度按照UL证书上的温度，温升限制按照温度减去最高的环境温度35度计算。

davidfu · 发表于 2012-6-21 11:25

canghai 发表于 2012-6-21 09:18
7 T; q, D/ s$ N* _9 ~( r, _5 d/ M可以详细的介绍下吗？还是没有找到关于半导体器件的温升限制，记忆中小日本对整流管有要求

半导体贴在PCB上，标准上没有明确说明半导体的温度，但是说明任何超过300度温升的都失败，看回第7章的温升结果。

canghai · 发表于 2012-6-21 11:30

sharkxiao 发表于 2012-6-21 10:55 ( w& d0 b N8 ?
那就是满足要求的！

问题是在报告里面是按100来判定，所以感觉都按照100来判定不合理。要么不判定，要么按照实际证书上的参数来判定，规格书上的值我觉得是不能接受的，最多只是参考！

canghai · 发表于 2012-6-21 11:50

davidfu 发表于 2012-6-21 11:25
# P5 e1 }4 {# ]& n" ^3 j/ b半导体贴在PCB上，标准上没有明确说明半导体的温度，但是说明任何超过300度温升的都失败，看回第7章的温升 ...

200度，300度的标准上有看到过，对于PCB上的半导体，插件的我觉得应该不予判定；贴着PCB的只测量附近PCB的温度，不测半导体的温度，如果一定要判断半导体本体的温度，用200度也接受，100度感觉就不符合标准了。

davidfu · 发表于 2012-6-21 13:37

canghai 发表于 2012-6-21 11:50
6 l& j" Q$ s5 ^; [, j8 C- f200度，300度的标准上有看到过，对于PCB上的半导体，插件的我觉得应该不予判定；贴着PCB的只测量附近PCB的 ...

是的。有随机测试的

bob_dai · 发表于 2012-6-23 14:51

canghai 发表于 2012-6-21 11:30 9 V5 @2 e2 D8 \" ~/ D6 n
问题是在报告里面是按100来判定，所以感觉都按照100来判定不合理。要么不判定，要么按照实际证书上的参数 ...

应该是按照实际证书上温度来判定的，如果你报备的几家光耦有100,105,110的，那报告上应该按照最低的100的来判定嘛

kevinyang26 · 发表于 2012-7-19 16:34

那TUV判定光耦62K是怎么來的,標稱額定溫度T110,在環境溫度43度下面測試

byronron · 发表于 2012-8-21 10:51

光耦、X/Y电容本身有自己的温升限制，一般证书或元器件表面有写。桥堆的温升是考虑PCB板的材料是否符合要求。

canghai · 发表于 2012-8-21 20:17

byronron 发表于 2012-8-21 10:51 , B+ [$ q+ B7 d3 h4 c* k
光耦、X/Y电容本身有自己的温升限制，一般证书或元器件表面有写。桥堆的温升是考虑PCB板的材料是否符合要求 ...

如果桥堆是插件的，和PCB关系又不大

byronron · 发表于 2012-8-22 10:07

只要是插到PCB上就要考虑对PCB的影响

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