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楼主: whynoreason

[电磁兼容对策] SDRAM的125M CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!

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发表于 2008-11-15 17:33 | 显示全部楼层
广东安规检测
有限公司提供:
125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
发表于 2008-11-15 18:30 | 显示全部楼层
引用第11楼aluminu于2008-11-15 17:33发表的  :0 W( d  i; G5 [! o6 L& j; P
125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
楼主都说是SDRM的CLK问题,你别扯远了。
发表于 2008-11-15 21:32 | 显示全部楼层
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻* [3 w9 `$ H* J# S; H' F
+ @6 J2 K% |8 @, P" s. r
這是可驗證的.............
发表于 2008-11-15 21:37 | 显示全部楼层
引用第13楼aluminu于2008-11-15 21:32发表的  :2 L7 N2 B$ a& C$ b& M& ^
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻  }- Y# _4 F. j: o& `+ P

) o3 X8 b+ v$ s+ ]+ h7 B這是可驗證的.............
这个当然是不错的。10/100M主频是25。1000M是125。
7 x( H& w; Q$ h2 k, R2 ]* @可这和SDRAM是两回事,你别搞错了.
1 [1 \1 j$ \0 H* l难道240M FAIL就一定是USB吗?
发表于 2008-11-17 12:08 | 显示全部楼层
幾個建議方案 :
, Q( v9 R, x4 \. y0 R7 \) [. C                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.# n2 N$ F  H5 G6 M9 Y4 T+ g
  U! V5 r: i5 B% _* b
                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)- O+ R2 s' K' R' G
) S* r8 w7 T1 {6 e4 _2 s# D, ^
                c. 測一下附近的ripple是否很高(尤其是VCC and GND),依您所述,可能有broad band noise在
/ W& Q$ R* X  Z          100~300MHz左右,如真有此band,則建議先解決VCC and GND的問題(VCC過高,請以高容, J: u; j. |! J( x& i
          電值電容解決;GND ripple過高則運\用接地性或隔離性解決,此部份要看實測狀況,有些時候增
2 ~( d+ Z3 w9 d; ^          加接地性可能無效,因為可能在那附近的ripple過高,此時就不適合接地性,反而適合隔離解決)4 y9 k+ n" U5 |. ?
3 b$ Y/ S) {8 F- e
                d. 於SDRAM靠近Main chip端加Bead(選Z and R交叉點在100~200MHz之間且impedance在9 A8 v0 y7 V" h& ^) O
          100 ohm以下,impedance不要太大,以免影響Vpeak level) and capacitor(約10p~27pF左右
" J% H! T+ d. A1 \          ,而且要看是否影響到function)) P+ V1 w9 h* N5 z9 j7 @" W( L1 H7 W
: \" N/ d' j8 e' @- d, e* K1 C
                e. Data trace靠近Main chip端加約22 ohm左右的電阻
0 P, x$ V' q4 b- P
, K! o. E) z4 ]        f.  增加LCD panel與Main board之間的接地性
" |8 v* i) Q9 Z6 o9 x9 Q; J1 M" T7 i4 X8 U" C2 {
        g. 兩個不同的電源層上利用100pF~1000pF左右的電容接在一起* j9 |; C8 Q! V1 A5 n

2 W+ S# i  H" H  S7 r! S  l7 d, x2 J        h. Main chip / SDRAM / Flash的下一層應為GND plane( e; p2 w$ S  Z* j5 O2 A5 {8 V

- A9 x, b% z- H                i.   Trace儘可能不要走到VCC plane,因為他們為高速數碼電路,若不得以,則將此區域挖空給
* x1 F3 q% d3 W          這些線路走線用
2 |* g+ P; I& c5 T5 ]3 y' E; ^
& ^' T& D+ y9 a+ R$ ]( u6 [        j.  減少LCD的RGB trace的走線距離,並遠離高速數碼電路, }& j7 @* U* {5 g
$ ~" ?6 \' A, H) z( O3 `$ \% j, L* W
        k. LCD背光引線遠離Main board,且一定要遠離幾個主要的IC; 看一下拔掉引線後,+ ?- w; ]2 M8 K" |5 o+ x
                    100~200MHz的band是否會變低,如果會的話,則在LED+ and -纏成絞線且更要遠離Main
2 }9 D( H3 y' v1 R  b8 L& k! a                    Board; 也可試著在LED+ and LED-加high u 電容解決,不過要注意是否影響影像9 x- |" y& b, ]4 C/ s- D1 [

" a( e. I, W! @# r' Z        l.  電源引線的源頭利用Scope量一下ripple是否過高,若過高則在源頭加Bead or
* M1 y3 D% }3 K( S4 u% o! s                    Common mode choke or Capacitor解決,若無法則需加Core.
- N, Y% ~. `# T+ K, ^
: X) ^$ }% @( f" S) D: c     以個人經驗覺得可能跟SDRAM clock無關,應該跟LCD訊號有關,不過因為無實際參與您的測試,
3 T# b: K, u4 y6 @7 w$ P) O( [$ ]  無僅能依您所述判斷,
发表于 2008-11-24 08:58 | 显示全部楼层
引用第15楼pwu5于2008-11-17 12:08发表的  :
0 W9 n) }! l* z8 Z+ l$ G" j/ V6 e( b) E幾個建議方案 :+ f6 u$ g4 ]1 w/ d% T
                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.% ^* R* H/ t2 x3 ~" Q1 M5 _! E
+ S1 N; u; l% c  ~5 d2 e' j
                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)
* p, _( ^# b) p+ |/ X
; n6 `' N4 J0 `6 B0 L.......
楼上应该是搞EMC design的,想法是一些理论的,固定有说服力,但实际测试还是要根据测试结果来定,你讲的一些东西似乎跟主题有差距,人家既然都说了是SDRM 125M CLK,说明他应该有debug过。我们而不是误导他方向。
发表于 2008-11-24 16:00 | 显示全部楼层
感謝版主的討論..
' \! X5 U( J% r7 c# M  e
' G4 t6 B! p" F+ u; n& {; x我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...  Z! j. ~# z6 |) k4 f0 j, s
很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與
9 h7 \2 W. e  E& p: h' J, P9 v判斷才能得知,
发表于 2008-11-24 17:03 | 显示全部楼层
引用第17楼pwu5于2008-11-24 16:00发表的  :- f1 w( `  Y2 d3 m
感謝版主的討論..0 b7 e2 W+ Y# E7 }& F  {3 P6 V

$ v/ Q8 m' @% q  X( q) Y我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...- X- K0 g' v! J% |+ h2 w4 ]+ D
很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與
' Y2 [7 X0 H  n  j7 [判斷才能得知,
呵呵,你别误会,我没有其他意思。既然你是做EMC DESIGN的,我以后还得请教你这方面的问题。不知道你对于消费性电子的ESD性能设计有没有经验,类似于MP3,DC类的。。。
发表于 2008-11-24 17:20 | 显示全部楼层
我沒別的意思..說過是討論了..所以難免會有不一樣的反應..別在意啦..
% `) N# s' u, W& X. x- K* o: L; l' C" M0 k/ ~3 g
   我也曾做過ESD對策改善,所以若有問題可以提出來大家做個討論,不然就失去這個站的意義嘍..^_^
发表于 2008-12-7 01:49 | 显示全部楼层
严重学习中。。。。
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