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楼主: whynoreason

[电磁兼容对策] SDRAM的125M CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!

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发表于 2008-11-15 17:33 | 显示全部楼层
广东安规检测
有限公司提供:
125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
发表于 2008-11-15 18:30 | 显示全部楼层
引用第11楼aluminu于2008-11-15 17:33发表的  :
$ v& b; x9 P  r& \. N. }  P" w) ?0 h+ C125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
楼主都说是SDRM的CLK问题,你别扯远了。
发表于 2008-11-15 21:32 | 显示全部楼层
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻
% I1 L9 v- D, F8 [# b
+ R2 b& j$ ^* q4 T0 U) n這是可驗證的.............
发表于 2008-11-15 21:37 | 显示全部楼层
引用第13楼aluminu于2008-11-15 21:32发表的  :3 D# D2 C6 U  g) j- {2 E
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻# w6 N- I, W8 ]0 Y5 Z/ Y8 Z
2 j3 ]+ O" J) m
這是可驗證的.............
这个当然是不错的。10/100M主频是25。1000M是125。
. K4 U" S. ^9 Z) E3 i可这和SDRAM是两回事,你别搞错了.; c' J0 P% K3 Y9 O9 L
难道240M FAIL就一定是USB吗?
发表于 2008-11-17 12:08 | 显示全部楼层
幾個建議方案 :9 d0 f( x" @! {  \2 Y4 u% C
                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.
. V4 r- Q- m2 U1 q# v( E& z' X+ B, t  X
                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)$ O1 G- l) i5 `3 H; c! H

; q- t8 k" z, S! A                c. 測一下附近的ripple是否很高(尤其是VCC and GND),依您所述,可能有broad band noise在
% s% m/ r0 C+ ]& e- `          100~300MHz左右,如真有此band,則建議先解決VCC and GND的問題(VCC過高,請以高容3 g5 w6 n, z" P/ P
          電值電容解決;GND ripple過高則運\用接地性或隔離性解決,此部份要看實測狀況,有些時候增
4 T8 K4 B! _3 I0 C; m( P          加接地性可能無效,因為可能在那附近的ripple過高,此時就不適合接地性,反而適合隔離解決)  h7 S1 a+ J& U$ t# t; H
6 Y5 n$ l$ r" [/ a
                d. 於SDRAM靠近Main chip端加Bead(選Z and R交叉點在100~200MHz之間且impedance在! `/ C' D% l  g) L$ Z. Q
          100 ohm以下,impedance不要太大,以免影響Vpeak level) and capacitor(約10p~27pF左右# S# G. K( Q; r" ^$ f
          ,而且要看是否影響到function)
; o5 K: \1 d& d- h7 B
  p. O$ |0 R+ R# }) x                e. Data trace靠近Main chip端加約22 ohm左右的電阻
& E& p) F' B" z' l8 V: q
9 g# X# J+ J0 l, B6 W- }        f.  增加LCD panel與Main board之間的接地性1 T% B/ }  s8 A. r9 h
) S( Z9 t5 C( A3 W. M7 n% O# I
        g. 兩個不同的電源層上利用100pF~1000pF左右的電容接在一起( P$ G6 ~) c* }
! g" [5 m& D. S' y8 }7 c$ g7 [
        h. Main chip / SDRAM / Flash的下一層應為GND plane
% _7 i) q) X4 ^  D: s) w. S* f( \! C7 P: m3 W
                i.   Trace儘可能不要走到VCC plane,因為他們為高速數碼電路,若不得以,則將此區域挖空給
* Y* Y# h: C$ K, S          這些線路走線用2 L) V: \# R7 `: t9 V$ T5 x# c& X! u
# d' F% N7 ^$ h* C, f: O% ~/ c
        j.  減少LCD的RGB trace的走線距離,並遠離高速數碼電路, t7 e5 i2 Z( A  F
  x. D+ ^, w/ v- L  `1 A' ?
        k. LCD背光引線遠離Main board,且一定要遠離幾個主要的IC; 看一下拔掉引線後,
6 O" j, B$ |1 x! d% @9 p. n                    100~200MHz的band是否會變低,如果會的話,則在LED+ and -纏成絞線且更要遠離Main
  |& C/ |' Z4 c" Z. g: ^$ `                    Board; 也可試著在LED+ and LED-加high u 電容解決,不過要注意是否影響影像
, z, d2 m5 V& s' Q# I4 Z$ ]& @, p( W( T* `
        l.  電源引線的源頭利用Scope量一下ripple是否過高,若過高則在源頭加Bead or
% _5 c3 k  k# }6 r                    Common mode choke or Capacitor解決,若無法則需加Core.
6 ]$ j* P6 i7 i; n
5 ^  T4 y$ U$ d. \& M     以個人經驗覺得可能跟SDRAM clock無關,應該跟LCD訊號有關,不過因為無實際參與您的測試,
2 u+ ]  ?; n. P, V3 h6 D  無僅能依您所述判斷,
发表于 2008-11-24 08:58 | 显示全部楼层
引用第15楼pwu5于2008-11-17 12:08发表的  :
6 i* v6 w6 k+ P! c# n" A; c幾個建議方案 :
9 ?6 m$ L# a8 s$ W2 H                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.6 Y" ?2 U5 q: m% ]1 d
& M5 u' E% k; G3 J, |
                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上): X+ v  X, q, ]1 `- l4 d, z
3 d4 v/ D- h# o6 N" x/ j( U
.......
楼上应该是搞EMC design的,想法是一些理论的,固定有说服力,但实际测试还是要根据测试结果来定,你讲的一些东西似乎跟主题有差距,人家既然都说了是SDRM 125M CLK,说明他应该有debug过。我们而不是误导他方向。
发表于 2008-11-24 16:00 | 显示全部楼层
感謝版主的討論.., {9 v5 E8 A; X' b1 [$ @

6 r, f! Q) [6 f1 l0 `/ h# L7 B我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...
0 t" ^. ]! O5 T" G很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與0 R2 J* J- E$ @: s5 R3 v! r
判斷才能得知,
发表于 2008-11-24 17:03 | 显示全部楼层
引用第17楼pwu5于2008-11-24 16:00发表的  :
  q9 K3 N3 o8 v" v$ F感謝版主的討論..
, b/ s3 n' c" J: X2 W' t- d/ o+ ?9 i2 U9 M' e' P
我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...# c5 X7 L/ X% L8 ^
很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與7 f7 n. I1 k" ^
判斷才能得知,
呵呵,你别误会,我没有其他意思。既然你是做EMC DESIGN的,我以后还得请教你这方面的问题。不知道你对于消费性电子的ESD性能设计有没有经验,类似于MP3,DC类的。。。
发表于 2008-11-24 17:20 | 显示全部楼层
我沒別的意思..說過是討論了..所以難免會有不一樣的反應..別在意啦..
: M( o$ [5 i1 y0 }: D% [* t4 K! B- a8 C! u# M
   我也曾做過ESD對策改善,所以若有問題可以提出來大家做個討論,不然就失去這個站的意義嘍..^_^
发表于 2008-12-7 01:49 | 显示全部楼层
严重学习中。。。。
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