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楼主: whynoreason

[电磁兼容对策] SDRAM的125M CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!

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发表于 2008-11-15 17:33 | 显示全部楼层
广东安规检测
有限公司提供:
125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
发表于 2008-11-15 18:30 | 显示全部楼层
引用第11楼aluminu于2008-11-15 17:33发表的  :- m; T( l  |) S3 o' h
125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
楼主都说是SDRM的CLK问题,你别扯远了。
发表于 2008-11-15 21:32 | 显示全部楼层
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻. G; H6 _1 g7 }: [1 A! c/ A4 X! D' W, e' ~
1 ^* K" W' R# p: _
這是可驗證的.............
发表于 2008-11-15 21:37 | 显示全部楼层
引用第13楼aluminu于2008-11-15 21:32发表的  :: j- p7 c8 W5 d8 G# @
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻
# l1 x' j. @0 i) S 6 C8 S, z! v5 j2 C+ j
這是可驗證的.............
这个当然是不错的。10/100M主频是25。1000M是125。* ?6 J/ }& I9 ~0 N" J
可这和SDRAM是两回事,你别搞错了.
% c2 K+ g% g6 w& u1 B/ o, R难道240M FAIL就一定是USB吗?
发表于 2008-11-17 12:08 | 显示全部楼层
幾個建議方案 :
7 D/ C. H2 O8 ]5 F                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.
% K2 a9 L$ }- k; `' B$ o7 E; O; g3 U
                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)/ u$ D* R1 }* A* q- t

5 K- w. Z) ]: v( ~                c. 測一下附近的ripple是否很高(尤其是VCC and GND),依您所述,可能有broad band noise在
% }/ d$ Z8 z$ s$ |0 U          100~300MHz左右,如真有此band,則建議先解決VCC and GND的問題(VCC過高,請以高容
' ~# w+ K, \  O, y          電值電容解決;GND ripple過高則運\用接地性或隔離性解決,此部份要看實測狀況,有些時候增
$ H$ t8 j' `1 g2 f, m; Y          加接地性可能無效,因為可能在那附近的ripple過高,此時就不適合接地性,反而適合隔離解決)
% |2 j3 ^. w9 f! O' A" h' H5 ^$ O9 O* Y6 W$ T1 e: C- {
                d. 於SDRAM靠近Main chip端加Bead(選Z and R交叉點在100~200MHz之間且impedance在
! h# F$ L1 d8 k+ X# F  ]          100 ohm以下,impedance不要太大,以免影響Vpeak level) and capacitor(約10p~27pF左右# {( [) U7 \2 g
          ,而且要看是否影響到function)- W# `: ]0 J6 Y! B0 Q& j) T% ^) L
7 N- Z5 u/ S6 g" @: Y2 ?0 P
                e. Data trace靠近Main chip端加約22 ohm左右的電阻
' l/ X0 |4 ^; V& Y3 q6 P% s  w' V1 d
        f.  增加LCD panel與Main board之間的接地性, q) g1 U0 V) K0 G/ k6 Z/ F+ q" s
& t. m+ `5 ^0 K% ]$ D2 V/ S5 p$ m, D
        g. 兩個不同的電源層上利用100pF~1000pF左右的電容接在一起- P" @$ E& ~$ U3 H  B' @

: X+ f, K  s" F) v        h. Main chip / SDRAM / Flash的下一層應為GND plane- k% D, K& t3 e- j+ ?$ e8 _
$ E' Q* W7 _/ g/ e- y+ y# p
                i.   Trace儘可能不要走到VCC plane,因為他們為高速數碼電路,若不得以,則將此區域挖空給7 m3 u( |' v8 c4 s, ]
          這些線路走線用" c0 J- H  `9 w- Q* Q( h6 S

5 M& r9 {0 p  ]  h        j.  減少LCD的RGB trace的走線距離,並遠離高速數碼電路( t0 B( @% I/ K9 X

( s" |9 ?. Y. y+ v4 Q( g2 s2 h        k. LCD背光引線遠離Main board,且一定要遠離幾個主要的IC; 看一下拔掉引線後,
$ Q, x) _9 Z; a1 @" E% _* w( x                    100~200MHz的band是否會變低,如果會的話,則在LED+ and -纏成絞線且更要遠離Main ( s( F4 n! P( I$ |3 J, N" v8 C
                    Board; 也可試著在LED+ and LED-加high u 電容解決,不過要注意是否影響影像
, a& w5 I; {; Q& q6 f  w8 }' k0 O4 O+ b5 _1 N
        l.  電源引線的源頭利用Scope量一下ripple是否過高,若過高則在源頭加Bead or
; o. Z: C, |0 K) l                    Common mode choke or Capacitor解決,若無法則需加Core.
# K3 M5 R& y5 g2 `" x2 T
' m- ]5 Q5 f* F/ a     以個人經驗覺得可能跟SDRAM clock無關,應該跟LCD訊號有關,不過因為無實際參與您的測試,! a) Z) j: C" t6 J+ z
  無僅能依您所述判斷,
发表于 2008-11-24 08:58 | 显示全部楼层
引用第15楼pwu5于2008-11-17 12:08发表的  :; z8 G. D6 j1 \! B; e7 [
幾個建議方案 :  p+ e" q+ y3 t  Q
                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.$ p5 }9 @! H2 I( E8 c

# _; j6 Q  n' n) N                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)
8 W0 y: A  @; p) ]: t  |; x, ?8 E. e. t: M
.......
楼上应该是搞EMC design的,想法是一些理论的,固定有说服力,但实际测试还是要根据测试结果来定,你讲的一些东西似乎跟主题有差距,人家既然都说了是SDRM 125M CLK,说明他应该有debug过。我们而不是误导他方向。
发表于 2008-11-24 16:00 | 显示全部楼层
感謝版主的討論../ a  y' B" Z1 ]' K

$ P9 O5 [8 |0 n我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...& b  l4 }: k; a# h( {( P  b
很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與1 H; z; g3 l0 n, c. v
判斷才能得知,
发表于 2008-11-24 17:03 | 显示全部楼层
引用第17楼pwu5于2008-11-24 16:00发表的  :% X2 c3 S; Z7 l
感謝版主的討論..
6 N$ b0 Y3 j6 }4 k7 \7 \  q" [
; h; s4 \- o9 P" R3 G  Z2 q我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...0 I* t) t7 {- ]" D+ q- \
很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與
0 T1 Q3 W0 R% p4 |7 F, q: E# b& w判斷才能得知,
呵呵,你别误会,我没有其他意思。既然你是做EMC DESIGN的,我以后还得请教你这方面的问题。不知道你对于消费性电子的ESD性能设计有没有经验,类似于MP3,DC类的。。。
发表于 2008-11-24 17:20 | 显示全部楼层
我沒別的意思..說過是討論了..所以難免會有不一樣的反應..別在意啦..# E" \: ^# y/ U9 w( U) J
1 {; H* A+ G/ @5 u. k
   我也曾做過ESD對策改善,所以若有問題可以提出來大家做個討論,不然就失去這個站的意義嘍..^_^
发表于 2008-12-7 01:49 | 显示全部楼层
严重学习中。。。。
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