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楼主: whynoreason

[电磁兼容对策] SDRAM的125M CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!

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发表于 2008-11-15 17:33 | 显示全部楼层
广东安规检测
有限公司提供:
125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
发表于 2008-11-15 18:30 | 显示全部楼层
引用第11楼aluminu于2008-11-15 17:33发表的  :8 v* N. R3 t* s+ w$ P6 x5 n# i$ V
125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
楼主都说是SDRM的CLK问题,你别扯远了。
发表于 2008-11-15 21:32 | 显示全部楼层
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻
. j  D( {0 C6 a- c% ~2 ]! X2 O1 m 4 T2 t4 a% w/ Q1 V4 ~
這是可驗證的.............
发表于 2008-11-15 21:37 | 显示全部楼层
引用第13楼aluminu于2008-11-15 21:32发表的  :* H# m2 C1 K  L* C' m: `
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻! S! t, j/ q; D9 @7 N- ?: O; `
+ [* O- h) N+ F# s) b. w" W
這是可驗證的.............
这个当然是不错的。10/100M主频是25。1000M是125。
9 D4 d0 l! J6 v( x2 n1 Y0 p; Z可这和SDRAM是两回事,你别搞错了.0 W7 _. `4 \. L  _# ]. @
难道240M FAIL就一定是USB吗?
发表于 2008-11-17 12:08 | 显示全部楼层
幾個建議方案 :) `; ?+ f( X3 D4 W% a4 _$ n
                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.
  D4 x# @( K) f3 |
* D% }2 S% `  a. k1 }' J0 G0 ^: C                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)" A; Y8 C! n: F0 i* d; Z" K, D4 m

& d1 v; W; S) A% X- Y                c. 測一下附近的ripple是否很高(尤其是VCC and GND),依您所述,可能有broad band noise在, c; R) y; t" ^3 k
          100~300MHz左右,如真有此band,則建議先解決VCC and GND的問題(VCC過高,請以高容4 q, E- t3 G8 [# V
          電值電容解決;GND ripple過高則運\用接地性或隔離性解決,此部份要看實測狀況,有些時候增/ `, j2 f) v4 b8 m4 w' z' C; F# ?
          加接地性可能無效,因為可能在那附近的ripple過高,此時就不適合接地性,反而適合隔離解決)  c3 B6 f, h# h' g6 H3 x; a4 }

& ~, L+ b3 f8 n4 V                d. 於SDRAM靠近Main chip端加Bead(選Z and R交叉點在100~200MHz之間且impedance在
! Q8 I) W- W! A7 ~% V, Z# t5 [5 a2 G          100 ohm以下,impedance不要太大,以免影響Vpeak level) and capacitor(約10p~27pF左右
2 O( P& J8 t/ @9 @          ,而且要看是否影響到function)
3 T$ a3 w# }) j% Z" _0 r0 U4 ?% e( v; g' x' i2 y
                e. Data trace靠近Main chip端加約22 ohm左右的電阻6 I: W. K) y8 J: [/ @2 o

) d6 `) }& A$ u2 t) `& `9 s        f.  增加LCD panel與Main board之間的接地性3 Z& G* {; B# X  {3 Y

. U. g! m9 c) I8 H5 c        g. 兩個不同的電源層上利用100pF~1000pF左右的電容接在一起# i# e. V; T4 m
  Y0 u8 k4 H( a/ |- ^$ o' s$ O0 p
        h. Main chip / SDRAM / Flash的下一層應為GND plane0 D0 {  ]0 o; D
" I4 a. s6 |: d! W$ F+ Z9 N
                i.   Trace儘可能不要走到VCC plane,因為他們為高速數碼電路,若不得以,則將此區域挖空給- s1 m, a# J$ M% m: P! L
          這些線路走線用
& F8 F; [  i* s
; @3 s3 w4 @1 I        j.  減少LCD的RGB trace的走線距離,並遠離高速數碼電路+ U% r& G3 ?  c) `
: W5 Q, O- q2 j$ x! E
        k. LCD背光引線遠離Main board,且一定要遠離幾個主要的IC; 看一下拔掉引線後,
0 A7 V9 b' w, R. l; m5 M                    100~200MHz的band是否會變低,如果會的話,則在LED+ and -纏成絞線且更要遠離Main 4 ^5 @, N# e- A$ k* a9 _% s
                    Board; 也可試著在LED+ and LED-加high u 電容解決,不過要注意是否影響影像9 M; G% c3 V2 w  u& T5 Y% k
' S4 F* w5 I( r$ a' [
        l.  電源引線的源頭利用Scope量一下ripple是否過高,若過高則在源頭加Bead or
, m# G  c5 K; k( o; B9 X                    Common mode choke or Capacitor解決,若無法則需加Core.
- G# W0 W2 G9 S/ G& Q/ [0 H6 B9 }' S+ \6 T8 z5 H: t* s3 w
     以個人經驗覺得可能跟SDRAM clock無關,應該跟LCD訊號有關,不過因為無實際參與您的測試,
1 p8 q2 L3 B  h" s' Q  無僅能依您所述判斷,
发表于 2008-11-24 08:58 | 显示全部楼层
引用第15楼pwu5于2008-11-17 12:08发表的  :
  w3 q% w5 q- K6 w$ l7 l% q" R! _幾個建議方案 :
, w) w; ~9 W+ c6 @: E8 p                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.
, o2 b- F# p1 M9 k# {$ B, o7 b- [& }, P5 I! ?' X5 k; U
                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)4 H. L0 w) @& f, C. G
& \6 n- ~' n' g) }- ^; f/ H4 p
.......
楼上应该是搞EMC design的,想法是一些理论的,固定有说服力,但实际测试还是要根据测试结果来定,你讲的一些东西似乎跟主题有差距,人家既然都说了是SDRM 125M CLK,说明他应该有debug过。我们而不是误导他方向。
发表于 2008-11-24 16:00 | 显示全部楼层
感謝版主的討論..: K+ Y* g& [$ O/ O7 C
4 o1 [6 `0 d+ V
我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...
- _. E; y7 ^3 C- I+ J8 c9 }/ N, g很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與1 \# r7 x7 v8 t  d
判斷才能得知,
发表于 2008-11-24 17:03 | 显示全部楼层
引用第17楼pwu5于2008-11-24 16:00发表的  :# W8 q9 ^# D/ B( z. N6 ]/ J  ]/ U
感謝版主的討論..
' a+ U# ~7 V! ~. j# `
+ b) ^0 y; n( G7 `! K; W2 T( @我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,..., ~3 |. Q4 h' L
很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與
! l7 H( d6 Q" }* t- x判斷才能得知,
呵呵,你别误会,我没有其他意思。既然你是做EMC DESIGN的,我以后还得请教你这方面的问题。不知道你对于消费性电子的ESD性能设计有没有经验,类似于MP3,DC类的。。。
发表于 2008-11-24 17:20 | 显示全部楼层
我沒別的意思..說過是討論了..所以難免會有不一樣的反應..別在意啦..! H8 P* b; t6 J; x4 Y* t, B

0 E( C' q( s' d9 w4 Z. U   我也曾做過ESD對策改善,所以若有問題可以提出來大家做個討論,不然就失去這個站的意義嘍..^_^
发表于 2008-12-7 01:49 | 显示全部楼层
严重学习中。。。。
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