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楼主: whynoreason

[电磁兼容对策] SDRAM的125M CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!

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发表于 2008-11-15 17:33 | 显示全部楼层
广东安规检测
有限公司提供:
125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
发表于 2008-11-15 18:30 | 显示全部楼层
引用第11楼aluminu于2008-11-15 17:33发表的  :; P3 i" g/ |$ a3 D: s
125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
楼主都说是SDRM的CLK问题,你别扯远了。
发表于 2008-11-15 21:32 | 显示全部楼层
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻
9 L$ B* s5 y7 W+ N& O% F : P8 Y9 a! [* l2 w: }! b
這是可驗證的.............
发表于 2008-11-15 21:37 | 显示全部楼层
引用第13楼aluminu于2008-11-15 21:32发表的  :$ J9 P  v; F- j, n
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻8 B( U. U. u8 p( N: A9 N
1 B$ z2 w. W9 ?& y; I) K
這是可驗證的.............
这个当然是不错的。10/100M主频是25。1000M是125。+ q* N7 y9 T4 |1 _: j
可这和SDRAM是两回事,你别搞错了.* {5 X9 N, m. {6 ^4 z, i; h& M
难道240M FAIL就一定是USB吗?
发表于 2008-11-17 12:08 | 显示全部楼层
幾個建議方案 :
9 q' |4 A$ J/ j8 @7 Y                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.
) W5 R5 \& D8 P7 B3 I
; \3 D- n. c) i* _9 y                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)
; }+ Z/ T3 g: Z: L" W
" ~" R! v6 l# x1 q! Q3 V+ k                c. 測一下附近的ripple是否很高(尤其是VCC and GND),依您所述,可能有broad band noise在4 S' u* y" u9 A
          100~300MHz左右,如真有此band,則建議先解決VCC and GND的問題(VCC過高,請以高容+ _9 |* k; e( m* v
          電值電容解決;GND ripple過高則運\用接地性或隔離性解決,此部份要看實測狀況,有些時候增9 P' A; Z* R1 N: @( S
          加接地性可能無效,因為可能在那附近的ripple過高,此時就不適合接地性,反而適合隔離解決)
; L  Y& y2 o# I8 U; w4 X' T
) j  B/ X* N& E+ \, d1 @/ S                d. 於SDRAM靠近Main chip端加Bead(選Z and R交叉點在100~200MHz之間且impedance在
2 Q. Z( [7 ~. J* K& l+ Q          100 ohm以下,impedance不要太大,以免影響Vpeak level) and capacitor(約10p~27pF左右
; n8 y2 \8 Q9 ?5 i& z# a7 G5 d! F) H          ,而且要看是否影響到function)
0 }3 k5 X6 q  d. M4 Q5 \+ z' d+ L5 o
                e. Data trace靠近Main chip端加約22 ohm左右的電阻+ ?+ z& j' h- G, @2 p5 }- R
- n" b, Q' B* C: h2 x
        f.  增加LCD panel與Main board之間的接地性
3 F/ P! \. I: x! _( j9 T1 i6 t: S( _' H
        g. 兩個不同的電源層上利用100pF~1000pF左右的電容接在一起9 ~. ]( y7 S& C7 f. c

% p0 ^4 W0 m3 H* u        h. Main chip / SDRAM / Flash的下一層應為GND plane
5 U# q' p/ ~! D: {+ G3 |/ H! R1 O8 J) p; M' i( U  s
                i.   Trace儘可能不要走到VCC plane,因為他們為高速數碼電路,若不得以,則將此區域挖空給5 e! `2 R) d. u6 C% C0 Q
          這些線路走線用
: j9 H0 D: H' J: i; Z4 E7 `1 b 2 e: o) Q( ~3 V( j
        j.  減少LCD的RGB trace的走線距離,並遠離高速數碼電路( R- v) k3 f: }/ G5 T! U
; M- Q  F! v# h% m" f: ?
        k. LCD背光引線遠離Main board,且一定要遠離幾個主要的IC; 看一下拔掉引線後,3 l5 S7 I$ G/ l) [
                    100~200MHz的band是否會變低,如果會的話,則在LED+ and -纏成絞線且更要遠離Main
1 ?) k$ T8 h* l" j5 {                    Board; 也可試著在LED+ and LED-加high u 電容解決,不過要注意是否影響影像
0 W+ {' K5 `4 t& Y, D/ D% I, i4 i7 \. i0 q) r( u. t3 F; y
        l.  電源引線的源頭利用Scope量一下ripple是否過高,若過高則在源頭加Bead or
& N1 {- \! R+ t' ^2 E# K- j                    Common mode choke or Capacitor解決,若無法則需加Core.
+ H% M; A9 f7 j& z
- A& v6 D, L" v5 |0 [+ l* _. g( `     以個人經驗覺得可能跟SDRAM clock無關,應該跟LCD訊號有關,不過因為無實際參與您的測試,
, B3 z% ^8 r$ s- p0 p  無僅能依您所述判斷,
发表于 2008-11-24 08:58 | 显示全部楼层
引用第15楼pwu5于2008-11-17 12:08发表的  :# ]! @7 k: p* w7 `) t
幾個建議方案 :4 M. b0 k- h" F0 C- W, I
                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.8 G  r$ K  U6 _$ [. Z

4 ~2 c- ?7 ^# X3 q: ~2 d                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)' {% d- J; D% Z! M! i& F, ]

1 f! y$ C3 D1 x/ E" k.......
楼上应该是搞EMC design的,想法是一些理论的,固定有说服力,但实际测试还是要根据测试结果来定,你讲的一些东西似乎跟主题有差距,人家既然都说了是SDRM 125M CLK,说明他应该有debug过。我们而不是误导他方向。
发表于 2008-11-24 16:00 | 显示全部楼层
感謝版主的討論..' z0 J6 g8 i; N0 s  m% o' A
) v  H) v) L$ n* F9 l2 q; V
我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...% q- f( \) P: Z& f
很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與
2 a  O+ z- w( ]判斷才能得知,
发表于 2008-11-24 17:03 | 显示全部楼层
引用第17楼pwu5于2008-11-24 16:00发表的  :
0 X* _8 }, r2 D% U: B; B' \9 s感謝版主的討論..
9 s3 x* n+ q  U( \
4 V: Q& Z( O8 j  O我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...4 V# E0 ^6 {+ |4 I
很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與
2 x8 P3 R  G' q* m% S$ m$ m判斷才能得知,
呵呵,你别误会,我没有其他意思。既然你是做EMC DESIGN的,我以后还得请教你这方面的问题。不知道你对于消费性电子的ESD性能设计有没有经验,类似于MP3,DC类的。。。
发表于 2008-11-24 17:20 | 显示全部楼层
我沒別的意思..說過是討論了..所以難免會有不一樣的反應..別在意啦..2 T# ]& F" V6 p  f1 K, I
" t5 i+ T  B& K: j+ e8 f
   我也曾做過ESD對策改善,所以若有問題可以提出來大家做個討論,不然就失去這個站的意義嘍..^_^
发表于 2008-12-7 01:49 | 显示全部楼层
严重学习中。。。。
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