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楼主: whynoreason

[电磁兼容对策] SDRAM的125M CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!

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发表于 2008-11-15 17:33 | 显示全部楼层
广东安规检测
有限公司提供:
125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
发表于 2008-11-15 18:30 | 显示全部楼层
引用第11楼aluminu于2008-11-15 17:33发表的  :
0 L, @+ R2 P8 J! v6 {0 Q* C125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
楼主都说是SDRM的CLK问题,你别扯远了。
发表于 2008-11-15 21:32 | 显示全部楼层
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻
" o( M3 \& |; k, f
3 H0 ^; n% o% G8 u2 F7 _2 A這是可驗證的.............
发表于 2008-11-15 21:37 | 显示全部楼层
引用第13楼aluminu于2008-11-15 21:32发表的  :
9 U' Q, h# A$ {: z+ A) x5 x我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻( @6 Q1 ^. T( K0 C4 p
" C2 [9 i3 Q6 v- X& P+ q
這是可驗證的.............
这个当然是不错的。10/100M主频是25。1000M是125。
4 a% F( t" l3 Z5 L可这和SDRAM是两回事,你别搞错了.
: O2 _! q0 \. D难道240M FAIL就一定是USB吗?
发表于 2008-11-17 12:08 | 显示全部楼层
幾個建議方案 :
, a8 M7 ]( h" g! o3 {; \7 G) U                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.
* z' L" }$ n  g9 B. e) L
0 z7 \7 J- u8 s8 _. h, _4 }, v; Q, }                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)% Q8 q% r7 |0 Y" ~/ y6 K
( ?: J- Z1 r! B, H5 ]7 _0 j: f
                c. 測一下附近的ripple是否很高(尤其是VCC and GND),依您所述,可能有broad band noise在
% g" X; }/ y8 x: [* A7 D          100~300MHz左右,如真有此band,則建議先解決VCC and GND的問題(VCC過高,請以高容2 T0 C' U& j9 X) J4 W
          電值電容解決;GND ripple過高則運\用接地性或隔離性解決,此部份要看實測狀況,有些時候增) a; E) X( N3 s; w6 I& \* ~
          加接地性可能無效,因為可能在那附近的ripple過高,此時就不適合接地性,反而適合隔離解決)5 ~5 t- k7 m2 ?

6 \* o& [  A* ?$ ^$ x                d. 於SDRAM靠近Main chip端加Bead(選Z and R交叉點在100~200MHz之間且impedance在6 E) ], ?* g$ r# ~' v
          100 ohm以下,impedance不要太大,以免影響Vpeak level) and capacitor(約10p~27pF左右
# |& I7 [0 b; F- s          ,而且要看是否影響到function)
! {4 V( E3 X# M+ v0 \! F
8 _. }" G9 s% I$ r! s: h                e. Data trace靠近Main chip端加約22 ohm左右的電阻" ^2 \1 T2 t8 [0 n# P5 S* m& z0 @
5 \+ f4 q- a, F7 @" v2 T( u
        f.  增加LCD panel與Main board之間的接地性
8 T1 l% Q! I/ t6 K) P# @: h( |& [
* C; h+ k% w6 }# C        g. 兩個不同的電源層上利用100pF~1000pF左右的電容接在一起
: N5 |: X' y4 g  e0 m6 d# ^5 k: d8 q' o& \1 ~6 n# ~# b
        h. Main chip / SDRAM / Flash的下一層應為GND plane# S* S+ w) C% Y0 |' O! Z3 J1 k

# e) ~, o- @. L! V! g                i.   Trace儘可能不要走到VCC plane,因為他們為高速數碼電路,若不得以,則將此區域挖空給7 S3 @) G" d9 g4 {0 L0 _
          這些線路走線用
1 K. M& n, ~" F/ E
7 Y, n) C+ L. g8 Q        j.  減少LCD的RGB trace的走線距離,並遠離高速數碼電路
( A1 Y- F! J0 T7 Z' S# @1 [4 e; k  b; [3 p
        k. LCD背光引線遠離Main board,且一定要遠離幾個主要的IC; 看一下拔掉引線後,% r/ C  u6 ]6 H* T
                    100~200MHz的band是否會變低,如果會的話,則在LED+ and -纏成絞線且更要遠離Main
! c, ~# s1 A" \/ e+ {+ E                    Board; 也可試著在LED+ and LED-加high u 電容解決,不過要注意是否影響影像
" I8 q( ~7 W$ I: G+ G/ f* D: u) W7 }! t/ q4 l
        l.  電源引線的源頭利用Scope量一下ripple是否過高,若過高則在源頭加Bead or 1 Z! {2 b$ x: t4 C% H
                    Common mode choke or Capacitor解決,若無法則需加Core.
- X4 j" C1 D( A, H% ?  l0 j, X( h- G4 A: U2 l
     以個人經驗覺得可能跟SDRAM clock無關,應該跟LCD訊號有關,不過因為無實際參與您的測試,
) U- X- p, Q3 H% [% ]  無僅能依您所述判斷,
发表于 2008-11-24 08:58 | 显示全部楼层
引用第15楼pwu5于2008-11-17 12:08发表的  :
7 T. l2 w! @' a: S幾個建議方案 :
& y+ P  y- @' @8 b9 R2 f0 v  A                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.
" a7 m' R9 d3 D" T9 Y% a
" B$ H) u0 U; ^3 F# e3 u                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)* a+ Q/ J2 T" U( ?; r
2 f! c& d) R! p0 q, D6 E# r) k) _: G
.......
楼上应该是搞EMC design的,想法是一些理论的,固定有说服力,但实际测试还是要根据测试结果来定,你讲的一些东西似乎跟主题有差距,人家既然都说了是SDRM 125M CLK,说明他应该有debug过。我们而不是误导他方向。
发表于 2008-11-24 16:00 | 显示全部楼层
感謝版主的討論..: V! u* s/ m4 D- a
+ w, i0 e: s# o6 U; _0 w8 y4 i
我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...7 M  F8 ]. I: I. m$ q% ?
很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與
" q! h* U  z, q9 g判斷才能得知,
发表于 2008-11-24 17:03 | 显示全部楼层
引用第17楼pwu5于2008-11-24 16:00发表的  :
% V$ j: O+ z  F6 a) f1 o感謝版主的討論..  _/ q7 r3 q: T8 ?
( V/ ~0 d- h5 T; D
我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...
" p: w3 k: ~2 Z; [) z# M很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與
1 Y/ U& d3 Z  W: \判斷才能得知,
呵呵,你别误会,我没有其他意思。既然你是做EMC DESIGN的,我以后还得请教你这方面的问题。不知道你对于消费性电子的ESD性能设计有没有经验,类似于MP3,DC类的。。。
发表于 2008-11-24 17:20 | 显示全部楼层
我沒別的意思..說過是討論了..所以難免會有不一樣的反應..別在意啦..5 b# {% y7 z+ p& m% }
3 Q& g3 ], D8 E: r2 J" [. l
   我也曾做過ESD對策改善,所以若有問題可以提出來大家做個討論,不然就失去這個站的意義嘍..^_^
发表于 2008-12-7 01:49 | 显示全部楼层
严重学习中。。。。
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