关于EMI方面的,对于不同频段干扰原因及抑制办法:
Z5 I* r. @) T$ w: T' w1MHZ以内:以差模干扰为主,增大X电容就可解决大部分问题;% _* t0 t9 B( V/ W: o
1MHZ---5MHZ:差模共模混合,采用输入端并10uF的X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决;
3 j# \# T0 j c) e P2 F6 l% `5M---以上:以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法,对于有外壳接地的,在地线上用一个磁环绕2圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减; 对于25--30MHZ:不过可以采用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改变PCB LAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环,最少绕10圈、在输出整流管两端并RC滤波器.;! f( f; u3 Y, @" s
30---50MHZ:普遍是MOS管高速开通关断引起,可以用增大MOS驱动电阻,RCD缓冲电路采用1N4007慢管,VCC供电电压用1N4007慢管来解决;* o3 O0 n1 @. j) {* O$ t" Z0 ^
100---200MHZ:普遍是输出整流管反向恢复电流引起,可以在整流管上串磁珠 。 |