关于EMI方面的,对于不同频段干扰原因及抑制办法:
, d, e1 n2 ~0 D5 N3 ?- Z1MHZ以内:以差模干扰为主,增大X电容就可解决大部分问题;: X# t' B5 }& z' a! J) {: _$ }
1MHZ---5MHZ:差模共模混合,采用输入端并10uF的X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决;
$ V2 Y- W/ w; }! V- `. i- c/ Q5M---以上:以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法,对于有外壳接地的,在地线上用一个磁环绕2圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减; 对于25--30MHZ:不过可以采用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改变PCB LAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环,最少绕10圈、在输出整流管两端并RC滤波器.;
; c# M8 c/ A. L G6 ?' I$ z! ?30---50MHZ:普遍是MOS管高速开通关断引起,可以用增大MOS驱动电阻,RCD缓冲电路采用1N4007慢管,VCC供电电压用1N4007慢管来解决;
8 H4 C) O; s1 p: f; C( [9 t100---200MHZ:普遍是输出整流管反向恢复电流引起,可以在整流管上串磁珠 。 |