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[电磁兼容对策] 关于EMI方面的,对于不同频段干扰原因及抑制办法

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楼主
发表于 2012-9-11 09:01 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
广东安规检测
有限公司提供:
关于EMI方面的,对于不同频段干扰原因及抑制办法:
, d, e1 n2 ~0 D5 N3 ?- Z1MHZ以内:以差模干扰为主,增大X电容就可解决大部分问题;: X# t' B5 }& z' a! J) {: _$ }
1MHZ---5MHZ:差模共模混合,采用输入端并10uF的X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决;
$ V2 Y- W/ w; }! V- `. i- c/ Q5M---以上:以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法,对于有外壳接地的,在地线上用一个磁环绕2圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减;
对于25--30MHZ:不过可以采用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改变PCB LAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环,最少绕10圈、在输出整流管两端并RC滤波器.;
; c# M8 c/ A. L  G6 ?' I$ z! ?30---50MHZ:普遍是MOS管高速开通关断引起,可以用增大MOS驱动电阻,RCD缓冲电路采用1N4007慢管,VCC供电电压用1N4007慢管来解决;
8 H4 C) O; s1 p: f; C( [9 t100---200MHZ:普遍是输出整流管反向恢复电流引起,可以在整流管上串磁珠 。
沙发
发表于 2012-9-13 23:22 | 只看该作者
学习了!
板凳
发表于 2012-9-15 17:59 | 只看该作者
学习了,支持下
地板
发表于 2013-3-22 14:55 | 只看该作者
学习了,谢谢!
5#
发表于 2013-9-16 11:15 | 只看该作者
学习了,谢谢
6#
发表于 2013-12-7 16:36 | 只看该作者
之前遇到5M以内的影响,基本也是以上方法解决
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7#
发表于 2014-2-10 00:09 | 只看该作者
本帖最后由 leaphile 于 2014-2-10 00:47 编辑 9 x, P* F6 K  j! r/ b7 E

0 U0 P* g: r5 T学习了, 谢谢!
7 d8 K4 G2 w1 H. y, f$ A) q2 H- h0 ^. F; @9 r: c
弱弱的问一下, 请问什麽是RCD?; o* l) _$ R+ ^8 G2 m& v
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8#
发表于 2014-2-17 15:12 | 只看该作者
leaphile 发表于 2014-2-10 00:09
0 Q; F! f) i) ^7 V学习了, 谢谢!
) u6 i6 c# R* n! }: D+ O$ N0 p9 l0 _' F4 O/ M; ]
弱弱的问一下, 请问什麽是RCD?
' J" }+ D9 a- A, k# W- a9 d1 i+ m
可以问度娘去呀
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9#
发表于 2014-2-18 22:24 | 只看该作者
本帖最后由 leaphile 于 2014-2-18 22:27 编辑
1 X; c+ h* U4 i
yuqijun 发表于 2014-2-17 15:12 # a, a4 L# s/ F- R
可以问度娘去呀

1 H( s' q1 W# M7 d  M/ |9 a) I1 K  d偶是新手, 很多事也不懂, 才问的
3 ]* p  U8 {  F) n  K$ o$ ?. n- f6 \+ i# ~/ U
上网见 RCD = residual current device, 但觉得在这里没可能是这个吧, 故才请教各高人的
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10#
发表于 2014-10-21 22:58 | 只看该作者
"采用输入端并10uF的X电容"------X电容最大也就是1uF, 要并联10个?
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