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[电磁兼容对策] 关于EMI方面的,对于不同频段干扰原因及抑制办法

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楼主
发表于 2012-9-11 09:01 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
广东安规检测
有限公司提供:
关于EMI方面的,对于不同频段干扰原因及抑制办法:
  Z5 I* r. @) T$ w: T' w1MHZ以内:以差模干扰为主,增大X电容就可解决大部分问题;% _* t0 t9 B( V/ W: o
1MHZ---5MHZ:差模共模混合,采用输入端并10uF的X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决;
3 j# \# T0 j  c) e  P2 F6 l% `5M---以上:以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法,对于有外壳接地的,在地线上用一个磁环绕2圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减;
对于25--30MHZ:不过可以采用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改变PCB LAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环,最少绕10圈、在输出整流管两端并RC滤波器.;! f( f; u3 Y, @" s
30---50MHZ:普遍是MOS管高速开通关断引起,可以用增大MOS驱动电阻,RCD缓冲电路采用1N4007慢管,VCC供电电压用1N4007慢管来解决;* o3 O0 n1 @. j) {* O$ t" Z0 ^
100---200MHZ:普遍是输出整流管反向恢复电流引起,可以在整流管上串磁珠 。
沙发
发表于 2012-9-13 23:22 | 只看该作者
学习了!
板凳
发表于 2012-9-15 17:59 | 只看该作者
学习了,支持下
地板
发表于 2013-3-22 14:55 | 只看该作者
学习了,谢谢!
5#
发表于 2013-9-16 11:15 | 只看该作者
学习了,谢谢
6#
发表于 2013-12-7 16:36 | 只看该作者
之前遇到5M以内的影响,基本也是以上方法解决
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7#
发表于 2014-2-10 00:09 | 只看该作者
本帖最后由 leaphile 于 2014-2-10 00:47 编辑 $ ]+ n; n9 l4 a9 e$ W, t
! R$ b1 C' s: V6 i7 D$ g# s* {! r
学习了, 谢谢!
  w  D$ Q4 T! I3 t& \) E  h% e' r& T% n
弱弱的问一下, 请问什麽是RCD?+ V' m7 W3 F8 I/ r- x5 b1 I+ L
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8#
发表于 2014-2-17 15:12 | 只看该作者
leaphile 发表于 2014-2-10 00:09 9 G4 Z, W9 ^& f' l7 y* c! B9 g+ A, N$ e
学习了, 谢谢!. x" n( ?9 J! m, I7 ?
' M7 K  H# C$ N% {1 v: H+ i' _
弱弱的问一下, 请问什麽是RCD?

% Y# o( p6 K; ?' y* y; i; d- E4 U( T可以问度娘去呀
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9#
发表于 2014-2-18 22:24 | 只看该作者
本帖最后由 leaphile 于 2014-2-18 22:27 编辑 " V  b  {: t0 c! E5 t" w
yuqijun 发表于 2014-2-17 15:12
  [- k# t( _4 N. h. P! q& L& V可以问度娘去呀
% Q, r( I1 k/ @9 p; C% ?
偶是新手, 很多事也不懂, 才问的
2 N. c. k, V; N) j, U! y' X' L# c; G
上网见 RCD = residual current device, 但觉得在这里没可能是这个吧, 故才请教各高人的
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10#
发表于 2014-10-21 22:58 | 只看该作者
"采用输入端并10uF的X电容"------X电容最大也就是1uF, 要并联10个?
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