关于EMI方面的,对于不同频段干扰原因及抑制办法:# k- ~, c L$ U5 j. v3 _
1MHZ以内:以差模干扰为主,增大X电容就可解决大部分问题;& _, B: t- C) E4 X8 e( d- n
1MHZ---5MHZ:差模共模混合,采用输入端并10uF的X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决;2 u {3 f+ n4 v0 |
5M---以上:以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法,对于有外壳接地的,在地线上用一个磁环绕2圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减; 对于25--30MHZ:不过可以采用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改变PCB LAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环,最少绕10圈、在输出整流管两端并RC滤波器.;; U# @# T) Q& y+ @" c# Z1 R
30---50MHZ:普遍是MOS管高速开通关断引起,可以用增大MOS驱动电阻,RCD缓冲电路采用1N4007慢管,VCC供电电压用1N4007慢管来解决;% T# s, Z. H/ ]0 }
100---200MHZ:普遍是输出整流管反向恢复电流引起,可以在整流管上串磁珠 。 |