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[电磁兼容对策] 关于EMI方面的,对于不同频段干扰原因及抑制办法

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发表于 2012-9-11 09:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
广东安规检测
有限公司提供:
关于EMI方面的,对于不同频段干扰原因及抑制办法:# k- ~, c  L$ U5 j. v3 _
1MHZ以内:以差模干扰为主,增大X电容就可解决大部分问题;& _, B: t- C) E4 X8 e( d- n
1MHZ---5MHZ:差模共模混合,采用输入端并10uF的X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决;2 u  {3 f+ n4 v0 |
5M---以上:以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法,对于有外壳接地的,在地线上用一个磁环绕2圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减;
对于25--30MHZ:不过可以采用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改变PCB LAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环,最少绕10圈、在输出整流管两端并RC滤波器.;; U# @# T) Q& y+ @" c# Z1 R
30---50MHZ:普遍是MOS管高速开通关断引起,可以用增大MOS驱动电阻,RCD缓冲电路采用1N4007慢管,VCC供电电压用1N4007慢管来解决;% T# s, Z. H/ ]0 }
100---200MHZ:普遍是输出整流管反向恢复电流引起,可以在整流管上串磁珠 。
发表于 2012-9-13 23:22 | 显示全部楼层
学习了!
发表于 2012-9-15 17:59 | 显示全部楼层
学习了,支持下
发表于 2013-3-22 14:55 | 显示全部楼层
学习了,谢谢!
发表于 2013-9-16 11:15 | 显示全部楼层
学习了,谢谢
发表于 2013-12-7 16:36 | 显示全部楼层
之前遇到5M以内的影响,基本也是以上方法解决
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发表于 2014-2-10 00:09 | 显示全部楼层
本帖最后由 leaphile 于 2014-2-10 00:47 编辑
  {' C9 J6 }/ r: D% i5 F: _# @" s- K1 |) ?1 D
学习了, 谢谢!. h- n2 {+ x7 g; S
' x8 S- S( n1 H3 u; m
弱弱的问一下, 请问什麽是RCD?+ T9 t/ e4 a* \/ `6 s( `$ u1 v
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发表于 2014-2-17 15:12 | 显示全部楼层
leaphile 发表于 2014-2-10 00:09
8 s/ X! h% n: X* d学习了, 谢谢!4 U4 K9 `: {" G% i" w
% n8 U! f1 r2 T" f& z
弱弱的问一下, 请问什麽是RCD?

' @$ s. i1 c4 Y可以问度娘去呀
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发表于 2014-2-18 22:24 | 显示全部楼层
本帖最后由 leaphile 于 2014-2-18 22:27 编辑 2 G4 A; l+ m' G$ d+ p& x
yuqijun 发表于 2014-2-17 15:12 & i- A9 X  ]4 i7 v' e, }
可以问度娘去呀

, V  [2 U( n* O8 s4 k# L% a! g+ h偶是新手, 很多事也不懂, 才问的
: ]7 f" @+ p( `
- u' e6 y# i4 D# V( d$ N( Q- p; v# |3 G上网见 RCD = residual current device, 但觉得在这里没可能是这个吧, 故才请教各高人的
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发表于 2014-10-21 22:58 | 显示全部楼层
"采用输入端并10uF的X电容"------X电容最大也就是1uF, 要并联10个?
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