|
顶层是SDRAM,底层FLASH,几乎交叠,在交叠处有不少线是通过电源层走的,SDRAM的125M CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!
9 |2 x! \! o- @顶层是SDRAM,底层FLASH,几乎交叠,在交叠处有不少线是通过电源层走的,SDRAM的125M CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!
' Z5 ~; E, h( D2 A2 a0 \& P疑问:都说高速数字PCB设计时影响EMC的重要因素就是电流的回流路径及环路面积,最好做到最小话;现因成本问题只能用到四层板,也只好利用电源层来走线。现出现超标的部分比较多,100M到200M之间普遍较高,有些许频点会超标;125M CLK的时钟两倍频,三倍频会严重超标。4 p( M" _* O; n, x- d, t# P! m" U# X
问一:在测CLK及SDRAM 数据脚波形时,都是以SDRAM的附近刮出一个地来测量波形,此时测量的波形信号完整性还算可以,但如果以远处的共地来测量的话,波形形状一致,但电压严重过标了。(供电3.3V,近地时peak--peak大致4.3V,远地时则有5.5V之多);这样的问题反馈的是否就是所谓的共模电流带来的EMC现象。而共模的引起则是电源层走线带来的回流路径严重变坏?3 Q; P5 r2 m; q5 f+ F9 l
问二:都说屏蔽和接地是实在没办法之后考虑的方案;我们有液晶背光板的引线,跟提供电源的引线,引线数目很多;用频谱仪测得的大致,也是CLK的125M 两倍频跟三倍频的频点特别高。线上套磁环固然可以降低,但总觉得不是最好的选择,而且空间也很难容许。如果只在电源线上加磁珠,是否会有效果?其他的数据线应该也是照样可以携带电磁波出去的啊,又该如何解决?
1 V5 I3 X5 B: `, \5 s问三:方案上去耦电容都是用0.1uF的电容,可很多材料上说其频率范围较低,是否该取用0.01u的电容,或加用呢?这个对消除问题会有帮助么?
) T0 M4 R5 o, L- U' H5 W因为测下EMC的费用较高,所以很多疑点也都集中在脑子了。上次有用频谱仪进行大致的摸底,可发现很怪异。在频谱仪上看到明显加个电容效果好点,可实际测时反而超标更严重。甚是疑惑8 H) n4 s6 T6 U9 B0 Z/ \
总觉得理论还是不够懂,与实际分析老是冲突。还是高手们指点一二啊,项目较急,拜求高手们啦!!!!! |
|