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楼主: whynoreason

[电磁兼容对策] SDRAM的125M CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!

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发表于 2008-11-15 17:33 | 显示全部楼层
广东安规检测
有限公司提供:
125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
发表于 2008-11-15 18:30 | 显示全部楼层
引用第11楼aluminu于2008-11-15 17:33发表的  :
: P0 e5 G% b. t( j3 P* C125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
楼主都说是SDRM的CLK问题,你别扯远了。
发表于 2008-11-15 21:32 | 显示全部楼层
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻
% a* u- o) _% O) l* {/ P + g" H9 H5 {( z/ K
這是可驗證的.............
发表于 2008-11-15 21:37 | 显示全部楼层
引用第13楼aluminu于2008-11-15 21:32发表的  :
# e6 n7 w/ r! u3 F% L我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻
$ [( }5 \* l8 n+ w$ r$ x
1 X- F5 Q3 C! N$ p  B' w, l/ N這是可驗證的.............
这个当然是不错的。10/100M主频是25。1000M是125。
0 i. ~" P. y, R; Y; m. i, q可这和SDRAM是两回事,你别搞错了.& v$ Q$ I9 e" \1 e9 h8 H
难道240M FAIL就一定是USB吗?
发表于 2008-11-17 12:08 | 显示全部楼层
幾個建議方案 :
' y  d8 r! L4 |% E$ Z                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.
$ W! H4 D. c  R9 O: Q5 Q
/ I0 X; F8 K" k0 r  \& ?# Z: s                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)
' w7 b' ]0 [( W$ E) ^5 p' m, J% j& }0 m0 R& `( X4 Q
                c. 測一下附近的ripple是否很高(尤其是VCC and GND),依您所述,可能有broad band noise在
8 T) B, f: ^5 y" X" Q          100~300MHz左右,如真有此band,則建議先解決VCC and GND的問題(VCC過高,請以高容
6 p6 Y, S/ ^! S1 ^# b% `          電值電容解決;GND ripple過高則運\用接地性或隔離性解決,此部份要看實測狀況,有些時候增/ r' S2 k' y$ ]7 B# W
          加接地性可能無效,因為可能在那附近的ripple過高,此時就不適合接地性,反而適合隔離解決)5 a6 Z7 x. I4 S+ A( l
7 W2 A1 p' j  G6 d& z; O
                d. 於SDRAM靠近Main chip端加Bead(選Z and R交叉點在100~200MHz之間且impedance在- d+ L. Q8 S6 C2 k$ O
          100 ohm以下,impedance不要太大,以免影響Vpeak level) and capacitor(約10p~27pF左右
/ o1 ~8 z2 C2 R8 f  ^2 @. |9 I          ,而且要看是否影響到function)
6 D! i+ }: a3 |
1 L  l; A+ R1 D& y- w% _" I2 b                e. Data trace靠近Main chip端加約22 ohm左右的電阻& b9 S. j' |% @

% G7 D$ \1 _7 R* p        f.  增加LCD panel與Main board之間的接地性
! h5 V+ s. u! c0 @$ r  E% i- |$ F- u; S2 j1 |1 O
        g. 兩個不同的電源層上利用100pF~1000pF左右的電容接在一起" L  A" z, D+ `# Q  _8 m. ~
! S1 s9 @+ l+ W6 U! V* o8 G  q
        h. Main chip / SDRAM / Flash的下一層應為GND plane3 B, ?; s0 S$ u& Q% Y( i

% R8 t6 H3 K; Z- A5 g                i.   Trace儘可能不要走到VCC plane,因為他們為高速數碼電路,若不得以,則將此區域挖空給
, u7 A8 \& ?* {          這些線路走線用
/ _7 v' ?1 C# H& W
( A$ ]& d1 D: [( A" H- Y        j.  減少LCD的RGB trace的走線距離,並遠離高速數碼電路
% x. n: N2 E4 [* n0 }+ o' H  E
% [- k9 K* S( T& H, M$ Z& I& ~3 p7 A        k. LCD背光引線遠離Main board,且一定要遠離幾個主要的IC; 看一下拔掉引線後,
4 M7 c& d3 M( {+ ]) d; Q                    100~200MHz的band是否會變低,如果會的話,則在LED+ and -纏成絞線且更要遠離Main
. u& N& W! _4 L* _! H7 ?                    Board; 也可試著在LED+ and LED-加high u 電容解決,不過要注意是否影響影像
# ^9 M! ?2 C" `4 c- v/ ~; Y0 c: }) R: q* L; r1 Y# _! T0 m
        l.  電源引線的源頭利用Scope量一下ripple是否過高,若過高則在源頭加Bead or
7 ^% _! R' `! Q5 H- S# c                    Common mode choke or Capacitor解決,若無法則需加Core.: N6 O7 Z* h4 _' e
/ c. j( K( j# c/ H( D/ U
     以個人經驗覺得可能跟SDRAM clock無關,應該跟LCD訊號有關,不過因為無實際參與您的測試,. n; H( e3 P3 m8 `
  無僅能依您所述判斷,
发表于 2008-11-24 08:58 | 显示全部楼层
引用第15楼pwu5于2008-11-17 12:08发表的  :
. }0 y" \' ]; S  b$ O/ O幾個建議方案 :
! T/ e& U2 y) ]* J. ]. j# O                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.$ _) \. n6 z/ c- `/ j  K4 v

  ^) h- d" F8 ?8 B$ v* a                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上). Z* [1 a( n; t' a1 a8 y
* o+ w1 A2 k: p5 O; E
.......
楼上应该是搞EMC design的,想法是一些理论的,固定有说服力,但实际测试还是要根据测试结果来定,你讲的一些东西似乎跟主题有差距,人家既然都说了是SDRM 125M CLK,说明他应该有debug过。我们而不是误导他方向。
发表于 2008-11-24 16:00 | 显示全部楼层
感謝版主的討論..
& [/ v+ c3 {. l- Y: C6 o' A* {& b& F& o
我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...
9 W9 x2 j& f% L/ v% o/ X1 C( Q7 U) R很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與+ E" E/ ]9 ]7 h" }+ o) N% A
判斷才能得知,
发表于 2008-11-24 17:03 | 显示全部楼层
引用第17楼pwu5于2008-11-24 16:00发表的  :  M. H4 E6 R+ _" P
感謝版主的討論..+ a: ]) m( q" n4 K: \
+ T# W2 \5 \, ~& ~1 q4 M& [( D
我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...
0 K0 [. n$ T, i很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與
$ y' `- S. S! w" K判斷才能得知,
呵呵,你别误会,我没有其他意思。既然你是做EMC DESIGN的,我以后还得请教你这方面的问题。不知道你对于消费性电子的ESD性能设计有没有经验,类似于MP3,DC类的。。。
发表于 2008-11-24 17:20 | 显示全部楼层
我沒別的意思..說過是討論了..所以難免會有不一樣的反應..別在意啦..
; r/ v3 x, X/ X8 i/ `0 r. x1 V
2 V5 M4 b3 d# K* b   我也曾做過ESD對策改善,所以若有問題可以提出來大家做個討論,不然就失去這個站的意義嘍..^_^
发表于 2008-12-7 01:49 | 显示全部楼层
严重学习中。。。。
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