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楼主: whynoreason
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[电磁兼容对策] SDRAM的125M CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!

[复制链接]
11#
发表于 2008-11-15 17:33 | 只看该作者
广东安规检测
有限公司提供:
125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
12#
发表于 2008-11-15 18:30 | 只看该作者
引用第11楼aluminu于2008-11-15 17:33发表的  :# A) u: |& i- [  W
125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
楼主都说是SDRM的CLK问题,你别扯远了。
13#
发表于 2008-11-15 21:32 | 只看该作者
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻
0 W5 n: j7 g' D* t: y; i
2 z6 j, x" `9 Q3 y/ S1 Z! u) r( L這是可驗證的.............
14#
发表于 2008-11-15 21:37 | 只看该作者
引用第13楼aluminu于2008-11-15 21:32发表的  :! Y* E; z3 O% o
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻
* c: M  H8 z, u6 D4 j" @4 V6 }
0 |/ z4 [9 V! ]這是可驗證的.............
这个当然是不错的。10/100M主频是25。1000M是125。5 U, K1 O' a6 p: z/ c  ^, a7 L
可这和SDRAM是两回事,你别搞错了.
  E6 Q# T5 N1 h3 R# L难道240M FAIL就一定是USB吗?
15#
发表于 2008-11-17 12:08 | 只看该作者
幾個建議方案 :3 I! o; f; ?" q4 Y) e1 x& S
                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.5 l; v: F/ n$ e+ [6 w+ B
% {2 L$ r- o) p! A# `
                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)
% E6 f: c1 k0 y2 O+ \# H% k, Y" u
% c( W( D5 Z8 Z( R' o, H1 b9 N5 X                c. 測一下附近的ripple是否很高(尤其是VCC and GND),依您所述,可能有broad band noise在
! l% S) ^) n3 w% _- {7 p& h          100~300MHz左右,如真有此band,則建議先解決VCC and GND的問題(VCC過高,請以高容6 q  V% M! \3 S5 y- t4 J; }
          電值電容解決;GND ripple過高則運\用接地性或隔離性解決,此部份要看實測狀況,有些時候增; K) k  n) s  V8 x
          加接地性可能無效,因為可能在那附近的ripple過高,此時就不適合接地性,反而適合隔離解決)
* W( \( h" `4 H7 a" }8 H. I: x! s& ~  F7 s% e' f: n, a1 C. j
                d. 於SDRAM靠近Main chip端加Bead(選Z and R交叉點在100~200MHz之間且impedance在. e1 n: P) h. k! `7 L2 _! I% h
          100 ohm以下,impedance不要太大,以免影響Vpeak level) and capacitor(約10p~27pF左右' j7 n5 U. E- A- M( u2 O1 T
          ,而且要看是否影響到function)
, e) q, f3 Q  l2 q- a  z; C5 z6 L, r" M# w5 c5 z- r, q* b6 O) [
                e. Data trace靠近Main chip端加約22 ohm左右的電阻
4 q) G, }# u4 o/ t: B" o7 y& l: U
        f.  增加LCD panel與Main board之間的接地性
3 ?8 Q$ W0 c1 w( B/ R- h3 ?' p" b
! Q$ o/ X$ f& K0 z- J& _        g. 兩個不同的電源層上利用100pF~1000pF左右的電容接在一起5 D9 e: s/ x& o8 N

3 n! c; _6 z7 ?3 l- r        h. Main chip / SDRAM / Flash的下一層應為GND plane
* v5 ~' A% _+ Y9 G6 i+ ]* P. h
1 ~2 |5 F1 u" j8 Y, q4 l# B. G$ @                i.   Trace儘可能不要走到VCC plane,因為他們為高速數碼電路,若不得以,則將此區域挖空給, T# s8 Y( X1 x
          這些線路走線用% @- z( j# S/ F& z9 G; r
3 [+ v6 E' O+ ?2 j0 |! l
        j.  減少LCD的RGB trace的走線距離,並遠離高速數碼電路
. g! x4 S3 G) M8 g, U' `: g' T# m( L$ P6 {: Z. E% `# J$ q/ T
        k. LCD背光引線遠離Main board,且一定要遠離幾個主要的IC; 看一下拔掉引線後,
- X( U+ p; t; r. Q                    100~200MHz的band是否會變低,如果會的話,則在LED+ and -纏成絞線且更要遠離Main
* n* S; O" I& p5 w) p5 G8 P                    Board; 也可試著在LED+ and LED-加high u 電容解決,不過要注意是否影響影像; i0 [& @; `+ l% S, X0 y
) |# Y$ z4 s! s$ G3 x( |" f
        l.  電源引線的源頭利用Scope量一下ripple是否過高,若過高則在源頭加Bead or ! H4 b0 `# Q0 p" a# V: T
                    Common mode choke or Capacitor解決,若無法則需加Core.
4 |4 [* \8 s0 x( b1 g
3 l& V& T7 E/ }7 [) U7 n, g+ s     以個人經驗覺得可能跟SDRAM clock無關,應該跟LCD訊號有關,不過因為無實際參與您的測試,
2 K7 Y) w0 B" @1 V  無僅能依您所述判斷,
16#
发表于 2008-11-24 08:58 | 只看该作者
引用第15楼pwu5于2008-11-17 12:08发表的  :8 N4 J' Z* [: ?$ X4 T
幾個建議方案 :
9 M5 }3 m. u# @                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.5 Y" v6 v. j" b0 ]' U

: a- m; w$ p; G                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)
- q& x( J, ]$ S9 q6 Q6 a
, b: s! W. Z& z& t.......
楼上应该是搞EMC design的,想法是一些理论的,固定有说服力,但实际测试还是要根据测试结果来定,你讲的一些东西似乎跟主题有差距,人家既然都说了是SDRM 125M CLK,说明他应该有debug过。我们而不是误导他方向。
17#
发表于 2008-11-24 16:00 | 只看该作者
感謝版主的討論..
5 l( f* U: k) ~; Z
, Z' s9 h( j7 f6 A7 P我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...; R8 t% \/ P* p) z1 N5 N" c
很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與9 P3 N# `5 D9 R
判斷才能得知,
18#
发表于 2008-11-24 17:03 | 只看该作者
引用第17楼pwu5于2008-11-24 16:00发表的  :3 Z/ y, P' \& W! Z8 u
感謝版主的討論..% {% k4 a1 ~0 p2 V& i
' g0 V# S& N2 F$ Q" q, {
我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,..." p6 O) m, e8 B$ ]1 v3 |
很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與4 M- L8 b! N0 q+ i" ]( u
判斷才能得知,
呵呵,你别误会,我没有其他意思。既然你是做EMC DESIGN的,我以后还得请教你这方面的问题。不知道你对于消费性电子的ESD性能设计有没有经验,类似于MP3,DC类的。。。
19#
发表于 2008-11-24 17:20 | 只看该作者
我沒別的意思..說過是討論了..所以難免會有不一樣的反應..別在意啦..4 V# b' A9 z- V) C
6 {+ t- U- V; `  Q4 d
   我也曾做過ESD對策改善,所以若有問題可以提出來大家做個討論,不然就失去這個站的意義嘍..^_^
20#
发表于 2008-12-7 01:49 | 只看该作者
严重学习中。。。。
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