关于光耦的爬电距离的确定？、

wolfxu · 发表于 2010-4-20 16:17

如果在光耦的初次级之间有条1.2MM的开槽，那么爬电距离应该如何确定？有经验的同仁是否可以指点一下？谢谢！

lao_xia · 发表于 2010-4-20 16:45

那就从光耦的本体爬过去呀！

bowking · 发表于 2010-4-20 16:54

其實你有附上圖的話大家比較好討論~~

另外溝的長度也有差別!!!!

Andy.Yang · 发表于 2010-4-20 16:58

the with for the ditch should be considered

szqwe · 发表于 2010-4-20 17:00

槽大于1mm，从槽的两端取直线距离到一二次电路吧，相加。

yaoyao_kgb · 发表于 2010-4-20 17:02

光耦本体一般不考虑了，认为单独认证的时候外部爬电距离满足要求的
量光耦本体如果能满足要求最好，不能的话，如果光耦紧靠PCB的话就比较麻烦了，CTI不好确定，用光耦的或PCB的都不合适，把这部分电路单独做个PTI确定貌似比较合适

babyliss · 发表于 2010-4-20 18:42

光耦初次级电气距离4.0,爬电距离4.8mm

ok_hmh · 发表于 2010-4-20 19:27

一看你光耦是不是额定使用，如果额定使用，槽的宽度也够的话爬电距离可以过的。另外我在这问下，各位在做认证的时候有没有考量光耦里面的穿透距离啊？（注：我做的产品是需要固体绝缘厚度（0.3mm)的，但是现在使用的光耦它内部的绝缘厚度达不到，请问怎么判？外部的电气间隙和爬电距离我们已经不考虑了）

cimlihy · 发表于 2010-4-21 13:15

引用第2楼bowking于2010-04-20 16:54发表的 :
) f: [5 U# i! E* q7 ~1 u其實你有附上圖的話大家比較好討論~~. I1 W$ _% l1 p8 d
( ]# @7 V5 Q. S( T; \% h5 f
另外溝的長度也有差別!!!!

应该是沟的深度有关系吧

foleyzheng · 发表于 2010-4-25 14:00

通常我司根据电路电压的不同而选择光藕脚距不一样的。而且是通过UL or VDE认证的器件。所以不再考虑光藕本体的距离问题。如果是PCB光藕下的PCB板的距离不够而开的槽的话，那就只考虑槽的要求就好了。

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