仍然是医用电源的问题

y2yin

请查看，57.9.4.d)或许对你理解有所帮助。
d）若保护接地屏蔽只有一匝，它必须有不小于3mm 长的绝缘重叠。屏蔽的宽度必须至少等于初级
绕组的轴向长度。

gengjunmei

电气间隙应大于2.5mm，爬电距离应大于4mm
0 h( d6 j& s8 `; W2 j3 f3 A0 Q
57.9.4.d)是变压器屏蔽层的结构要求的，此条无法解答你的问题。

y2yin

引用第3楼gengjunmei于2009-07-23 12:58发表的  :
电气间隙应大于2.5mm，爬电距离应大于4mm
  |+ Z  |1 s% X4 W
! P* K# P0 K+ H0 s: h9 ~57.9.4.d)是变压器屏蔽层的结构要求的，此条无法解答你的问题。

谢谢gengjunmei提出的质疑，至于这个问题我可以进一步地阐述一下我的粗陋看法，不对之处还望指正。
变压器屏蔽层结构之所以这么要求，从保护接地的作用来看，除了起到EMC屏蔽作用之外，我个人认为主要还是从爬电距离这个角度来考虑的。理由如下：
1. 按照标准中图1对I类设备的图例来看，点12处是由辅助绝缘或保护接地屏蔽构成，这大概就是gengjunmei的cl.和cr.的出处所在，如果参考电压选在250V，即cl>2.5mm, cr>4.0mm；
$ }* ^. [: d8 S2. 假设这种屏蔽材料是用铜箔来做的，在标准的57.9.4 a)中第二项有规定：同心地绕在同一个绕线管筒或线圈架上，线圈之间用无孔隙的、厚度不低于0.13mm 的保护铜屏蔽。
3. 在57.9.4 d）若保护接地屏蔽只有一匝，它必须有不小于3mm 长的绝缘重叠。屏蔽的宽度必须至少等于初级绕组的轴向长度。绝缘重叠3mm，即从中间未被绝缘带包住的铜箔部位到铜屏蔽边缘有3mm的爬电距离。再考虑上铜箔的厚度1.3mm，以及屏蔽宽度等于初级轴向长度，即保护接地点铜箔到初级最近的爬电距离为3.0 mm＋1.3mm= 4.3 mm > 4.0 mm.
8 |2 r6 R1 y) ~1 S! f0 w4. 如果再进一步根据57.9.4 e) 中的条款——绕组线上的瓷漆或清漆被认为各对这些爬电距离提供了1mm 的距离来考虑的话，则最大爬电距离能变成 4.3mm + 1.0mm = 5.3mm.
+ B- Y( s$ V" M# V$ V% H所以以上即是我之前给出57.9.4 d) 从某种程度上能作为参考的原因所在。不知以上解释能否成立，欢迎指正欢迎讨论。

gengjunmei

还是用图来说明吧， 我对这个变压器的结构和屏蔽层的爬电距离的理解是这样字滴。
图例仅供参考，欢迎讨论。

y2yin

呵呵，一个爬电距离的要求问题已经引申到了变压器工艺设计的角度上了。不过谢谢Mr.Geng对insulated overlap的图例解释。
9 n2 S  z. v5 J1 {0 o1 m重回cgsh882的问题，不知你们所生产的变压器上铜箔采用何种绕制方法，裸铜还是背胶？ 如果是外铜，估计一般是采用裸铜方式，初级加设档墙满足3－4mm的宽度基本就可以满足要求。
个人观点，仅作参考，如有错误，欢迎讨论指证。

artscan

我也说收我对clcr的看法:
2 h* q' K! X4 h& F9 {9 T1.初级到PE的clcr有规定,浮地次级的要求601第二版没有规定,但是CTL decision316有相关的解释,可以参考.简单来说,次级的两级对PE都起码要有BI.应此你这个地方的clcr根据次级电压查表就可以知道要求了.

2. 关于标准的57.9.4 a)中第二项的规定：同心地绕在同一个绕线管筒或线圈架上，线圈之间用无孔隙的、厚度不低于0.13mm 的保护铜屏蔽。我不是很理解:为什么这个地方限制用铜做保护而不是用金属,其次这个保护如何实现的?铜箔和绕组之间的绝缘仅仅依靠清漆吗?
! g/ u# P5 `; k" F) v; W! ~5 L% D/ v" ~
欢迎大家指教.