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目录：
9 F; C6 c p# V7 a/ W
1 t9 [1 E* U& |- ~; k先进可靠性分析导论
8 k! P- O- ?% A7 b! N# v ┃
; H& l; V6 _) |! G K ┣第一部分 概述8 \; q! ?# k H7 |
┃┃& T3 _: p" g- R* s' T* u
┃┣1.可靠性工作的目的
- s; P1 G( `+ I9 A0 Q8 Y ┃┣2.可靠性工作的理论基础
9 h, T3 Z0 `# ]2 L3 t% | ┃┣3.可靠性工作的核心途径
2 a6 ^( f, e& r% w% ^( A$ K ┃┣4.可靠性分析的入手点
9 V s' e6 q; C" _- z" Y" Y% t ┃┣5.研究失效问题的工具
$ o5 T8 a* x) F* v' ~ ┃┗6.可靠性数据" |; C5 t$ N' o- y1 z$ v! X
┃$ W' G5 u3 I$ y! p4 ~5 R5 T; H
┗第二部分 T E. h/ C4 m. o
┃1 S6 |9 \8 D8 v' L9 [1 ?
┣第一讲：失效分析概论
2 w4 R. V; b7 v$ J1 a! N, t# v ┃┃
1 }; _* x# S( E3 {% _8 o+ t2 M ┃┣1.基本概念5 P% m5 ~5 Z0 F7 R: \
┃┣2.失效分析的定义和作用5 b# a$ \, E- E2 X
┃┣3.失效模式, l% j; j/ O- w( a% y
┃┣4.失效机理
7 y g8 f0 N9 I2 i9 f& [ ┃┗5.一些标准对失效分析的要求. B( _ j, D) v: D$ ]
┃
- O) U+ y: J- b ┣第二讲：分析技术及设备7 N5 l) S- T5 w) v% s* _) F, w1 s: r
┃┃* k- ^) |2 P" p& h7 w) _
┃┣1.失效分析程序
# L. S1 E6 p9 U/ T) K! y0 F4 e6 P ┃┣2.非破坏性分析技术- P2 M7 @* X8 p
┃┣3.半破坏性分析技术3 W. f! u3 G: G
┃┣4.破坏性分析技术
; L% b6 X( q& c/ d- T! V4 Q ┃┗5.分析技术与设备清单
8 v& x/ F; F; ]' g" ~4 e ┃
8 L: j- {+ \; F! z ┗第三讲：失效分析典型案例! X& S" c; u" P, w' D: Z6 G: q1 D
┃ W3 m/ o7 p2 [- s2 ~
┣电路设计缺陷引起的失效* v2 G4 h$ B6 N, Y c' O0 t
┣CMOS IC闩锁效应失效
1 o) {; l8 `9 G8 q! h8 J+ i ┣ESD—静电放电损伤失效
) |# s3 h1 T3 ?" E! e1 {' r ┣过电损伤失效. Z! i5 L' T6 Z7 @$ o; f5 a3 z
┣电腐蚀失效
/ o5 n! f9 v* d; K% M, c( y ┣污染
- i) e8 ~' y% w7 ?* F0 N0 g9 H ┣机械应力损伤失效
! k1 @ B' P |/ n' I' v+ r# c ┣热结构缺陷引起过热失效: o, R$ R1 H J0 P' r
┣材料缺陷案例3 J1 P0 N% h) U9 H6 ^
┣工艺缺陷案例" s% g' o- S) _/ ~" [1 D
┣寿命失效
8 d( e- f% \5 a ┗小结 |
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发表于 2007-7-16 13:08
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