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目录：
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3 J0 `5 s2 Q! k' ^% {. r+ P先进可靠性分析导论
. |8 b( Z8 b) G+ M7 m' l ┃+ F9 `- h3 f; }9 n3 g9 U0 ?
┣第一部分 概述
0 ]) f" M; z9 n& k; B9 b- q ┃┃, q- t0 C: b1 Y, x+ m; O8 z
┃┣1.可靠性工作的目的
1 i: m) C7 _; Q5 | d% z ┃┣2.可靠性工作的理论基础5 r$ u4 I8 k( A* S: y$ V" t
┃┣3.可靠性工作的核心途径; X5 w3 m! p" H5 E
┃┣4.可靠性分析的入手点
% q5 p) x1 v- N" L3 H$ e/ B ┃┣5.研究失效问题的工具
$ U9 D, i0 O9 h2 Q6 g2 [8 [2 T ┃┗6.可靠性数据- W% s# M; P5 [. h+ h* @
┃+ W& E' D2 c0 [
┗第二部分) z( V$ ]* N8 z- Y
┃
`2 O3 ^, v E% Y9 X! K' ] ┣第一讲：失效分析概论
w" }& y4 ]. V/ }+ [ @3 u ┃┃% ~' E* ?6 ]$ D
┃┣1.基本概念
8 r0 g) \# k0 j0 R" h* d ┃┣2.失效分析的定义和作用
$ a) \2 P" I( C ┃┣3.失效模式( A" N, m6 q$ d. C8 b
┃┣4.失效机理/ I0 c3 c. c# `7 B- H
┃┗5.一些标准对失效分析的要求
1 d( b, \) a z9 u& ~5 E ┃8 x$ r: l0 ]7 Y# e5 E5 Z
┣第二讲：分析技术及设备5 f1 t/ Y% A# ^# k% ^, C
┃┃; U6 f8 m4 b# i# u5 }" n$ |
┃┣1.失效分析程序9 d- D9 A0 F' D( q
┃┣2.非破坏性分析技术
* Y- O# k$ J. h4 W+ p/ O ┃┣3.半破坏性分析技术' k( B6 [- ?2 ~! g' n1 K+ [
┃┣4.破坏性分析技术
" f8 P/ E( t. {: r ┃┗5.分析技术与设备清单
8 L3 @# S/ H% p+ v% {+ e ^ ┃- V4 |, _( E* P; J
┗第三讲：失效分析典型案例; W3 D$ q- k7 @ ? u) d
┃8 R4 o$ P) Z7 P; t
┣电路设计缺陷引起的失效
$ z4 C1 q) B5 C ┣CMOS IC闩锁效应失效, ^ c* s7 d1 ~) b8 _' r; Y
┣ESD—静电放电损伤失效+ B( x% `- q1 d6 @( H& K& y# v
┣过电损伤失效0 w1 P0 u- C2 l4 O) x
┣电腐蚀失效5 K6 y0 l7 ]5 L) t0 s+ ^1 S: H+ E
┣污染
8 h4 w: x7 M5 j7 P& E' U- i5 V6 h ┣机械应力损伤失效
/ F P! S! O) \, P ┣热结构缺陷引起过热失效3 B8 N' n/ W" W# X3 Z, J3 z+ o0 G1 a
┣材料缺陷案例
( N( \3 S# P! ~$ o, w" c0 f ┣工艺缺陷案例
6 @2 C* T' U# F+ l ┣寿命失效
1 h$ e1 F/ W' r P% y ┗小结 |
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发表于 2007-7-16 13:08
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