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先进可靠性分析导论

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发表于 2007-7-16 13:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
广东安规检测
有限公司提供:
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4 P/ S" T2 t1 Q8 T( n& ?1 D5 o  g: @- Y: W: V  n8 o# y! Z3 J
先进可靠性分析导论
# m, ^: h" z5 y4 h6 q$ t0 E3 _) p ┃  V" v# ]! _) i% G- D
 ┣第一部分 概述2 I( f- h# h9 r
 ┃┃
; X- H! R: k5 j; N   ┃┣1.可靠性工作的目的
* ?7 Y( v/ e4 ?% q+ q+ d   ┃┣2.可靠性工作的理论基础
* V: h. r! l" z; ^/ w   ┃┣3.可靠性工作的核心途径& A0 t/ N' u+ Z9 q
   ┃┣4.可靠性分析的入手点' B. J7 @2 u2 p' Z
   ┃┣5.研究失效问题的工具7 |; Q  N7 c, F8 H6 R5 e; f
   ┃┗6.可靠性数据
4 P( ^1 i8 h$ G9 u/ h   ┃
# s0 q3 B* ?( A0 H9 ~; Y$ E- ^ ┗第二部分
4 K& F/ J3 R& w& N   ┃3 J) y  ?' }; v4 k; q: H
    ┣第一讲:失效分析概论
8 d: j0 ~8 i. X" [3 N! i! G    ┃┃
1 g' W2 B! u. s$ G! S# B8 m    ┃┣1.基本概念- W+ g2 b/ [4 B
    ┃┣2.失效分析的定义和作用' d! ?% |! e, Z9 V
    ┃┣3.失效模式
% d+ v/ \0 N# U( y; U" f    ┃┣4.失效机理# Q5 }+ Y3 ]3 O# {
    ┃┗5.一些标准对失效分析的要求" E  o) A8 q' b' w1 b( N5 \
    ┃. H, X* }/ X3 Q/ V
    ┣第二讲:分析技术及设备
( I6 Z& K) e/ o  N    ┃┃; h1 {+ Y  n5 N% ~7 G4 [- o! G4 N
    ┃┣1.失效分析程序
0 @. G$ J( ^  a    ┃┣2.非破坏性分析技术9 x. ]. q- x+ B% U/ `) c/ C
    ┃┣3.半破坏性分析技术" u4 r2 e4 N% p: T& ~
    ┃┣4.破坏性分析技术, i5 \( c4 c; W! a# E
    ┃┗5.分析技术与设备清单
2 T6 K  @  V$ b6 a  W1 X/ ?    ┃
# |  k5 B( j# F( H; z    ┗第三讲:失效分析典型案例
. c! O  v5 |9 r3 s* ?      ┃
( V' U# W) @8 w4 F* a      ┣电路设计缺陷引起的失效5 i' C; r7 R1 M$ d8 `
      ┣CMOS IC闩锁效应失效8 F5 |  \+ s$ f) v. n' T
      ┣ESD—静电放电损伤失效. k9 [5 o; D# ?7 h$ b& M8 `
      ┣过电损伤失效
6 Q+ p/ O% `0 I3 z2 D; C/ I2 l      ┣电腐蚀失效
) b% \4 H' y1 z3 v      ┣污染# E: T) H/ T3 P" `4 o+ ?" ]0 C$ x9 [
      ┣机械应力损伤失效# o% a, U) Q  u: [" a% h( Y% w4 z1 O
      ┣热结构缺陷引起过热失效8 `$ R- ^  o+ b8 @0 g4 m( h5 p
      ┣材料缺陷案例: u; m( M. p, u% c+ Z
      ┣工艺缺陷案例5 `: k% R' k& H9 t+ w) n
      ┣寿命失效
( v0 Y$ n$ ?9 z* W# R. ]      ┗小结
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