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目录：/ ]' B& A9 i8 L# s# X
& _& J5 G0 \) w1 ?: h" Q3 G, p4 {8 O先进可靠性分析导论8 z7 d- Q1 t% z: `+ E, e* g' n4 ?
┃, \- W7 S5 u6 J+ q* z
┣第一部分 概述' \+ i6 b: e" G1 p/ ~
┃┃
6 n6 L+ B2 @- Z. V# I4 W" c ┃┣1.可靠性工作的目的; D( \$ a/ a3 W8 B [
┃┣2.可靠性工作的理论基础( |. C4 p5 p* ?
┃┣3.可靠性工作的核心途径
1 C3 \$ u N0 T5 `3 L5 D ┃┣4.可靠性分析的入手点7 j" I$ R1 M7 V( m4 a0 n5 v
┃┣5.研究失效问题的工具8 p, i# {" }- W1 u6 Y
┃┗6.可靠性数据
# b+ d7 f: e S1 K# p ┃
; J6 p. y% G0 \0 d ┗第二部分! O \4 l2 u2 B2 U
┃
& h: G; W: F4 t ┣第一讲：失效分析概论
1 ^0 n8 @; q, O3 v. L ┃┃ Z1 c0 ^) B/ d4 w: c
┃┣1.基本概念
+ s; ]7 v/ V( q9 V% Y/ _+ r ┃┣2.失效分析的定义和作用9 d& q) L: a( v3 ~3 ?
┃┣3.失效模式7 c' Z* h8 Z, p/ T
┃┣4.失效机理
, E! @0 y3 n% b( _' d9 Y) t ┃┗5.一些标准对失效分析的要求
: D, [% E N4 }: |8 ~6 D0 q& b: V) V) X ┃
. V& J: ]. G# d9 M0 c ┣第二讲：分析技术及设备) x/ y: a8 ~/ `4 X$ u3 p8 p
┃┃; ~: s2 W6 _) [ k0 S
┃┣1.失效分析程序
r9 \+ ~/ ]6 R$ j. s ┃┣2.非破坏性分析技术
: B0 X6 _; @8 g' l. d1 ? ┃┣3.半破坏性分析技术
( y) T( u2 o6 O3 m ┃┣4.破坏性分析技术
; W' Z- J" r; v% D( @& v ┃┗5.分析技术与设备清单
0 l: I: C3 Z) E5 Y4 C% a ┃" q( ?6 X2 `3 a/ Q! P5 I& ^& `9 E
┗第三讲：失效分析典型案例* m7 u8 }+ t, T2 y/ m1 g ]* L
┃/ ?. ]! {$ I/ R3 ^3 ~, Y
┣电路设计缺陷引起的失效
) f, L# D, Q7 v! Q: N$ h ┣CMOS IC闩锁效应失效8 w& v" i; A9 U
┣ESD—静电放电损伤失效7 m% v- ?3 F7 f r# A: h
┣过电损伤失效
0 y; z z, u) z2 }) \, z ┣电腐蚀失效8 A$ k5 o0 A" Y3 i! Y
┣污染
1 }2 a7 F" L5 \ ^4 p ┣机械应力损伤失效6 T3 w- ?/ n) }/ j
┣热结构缺陷引起过热失效
& d1 ]; a( `5 [$ E' D# q9 L ┣材料缺陷案例
. @: E' o* b, L/ U1 ]7 g ┣工艺缺陷案例, q) u' x) R2 z+ c6 R" F9 M9 G
┣寿命失效7 T- w p d% K0 R7 O; e
┗小结 |
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发表于 2007-7-16 13:08
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