先进可靠性分析导论

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目录：

8 ?' M# U7 P& ?/ I+ m" G( A先进可靠性分析导论
1 G6 [9 U8 q. J9 U3 ]8 u　┃
8 ~0 {$ g% B7 R9 K, ^0 y. ]) h　┣第一部分 概述
% E* c5 y! b  ]2 X. Q1 I　┃┃
   ┃┣1.可靠性工作的目的
5 @& B6 r4 `3 @9 g5 H7 E  A; D   ┃┣2.可靠性工作的理论基础
4 L/ J: ~0 W/ d$ y   ┃┣3.可靠性工作的核心途径
   ┃┣4.可靠性分析的入手点
" L5 ]) C- I* B   ┃┣5.研究失效问题的工具
3 Y) B0 r0 E) v, B6 s! a6 T8 y2 f   ┃┗6.可靠性数据
; s, `. o# i6 Q* d4 {# l% B/ y   ┃
, d8 j3 u) Y2 J. x* _+ W　┗第二部分
0 f/ A: \- U+ s1 P3 N　  ┃
    ┣第一讲：失效分析概论
    ┃┃
7 P$ \5 X( ^$ e: |- ]3 F  K    ┃┣1.基本概念
    ┃┣2.失效分析的定义和作用
6 Z' Z' m; R# x. R, f4 z# A    ┃┣3.失效模式
# z( |; Z& z5 h0 O    ┃┣4.失效机理
) a* r5 Z6 C1 z, [    ┃┗5.一些标准对失效分析的要求
# H* N% T9 f% D* L    ┃
% q0 L. X; V' {" j    ┣第二讲：分析技术及设备
    ┃┃
    ┃┣1.失效分析程序
    ┃┣2.非破坏性分析技术
    ┃┣3.半破坏性分析技术
    ┃┣4.破坏性分析技术
    ┃┗5.分析技术与设备清单
+ q3 j! Z* u2 w6 l" z* o& W4 v    ┃
9 G0 D( a0 `+ \; }    ┗第三讲：失效分析典型案例
      ┃
9 \# M3 R) q" H2 m) o      ┣电路设计缺陷引起的失效
      ┣CMOS IC闩锁效应失效
      ┣ESD—静电放电损伤失效
5 S- I% K3 r) p2 i      ┣过电损伤失效
. s- U9 W! N& O# N$ ?0 c8 b+ q6 {& {      ┣电腐蚀失效
      ┣污染
      ┣机械应力损伤失效
      ┣热结构缺陷引起过热失效
" {- o& v( {3 u' j+ \* _0 ^% f      ┣材料缺陷案例
6 \7 ?7 U, K7 x! Q      ┣工艺缺陷案例
      ┣寿命失效
4 E+ A$ c* T4 i' e      ┗小结