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用铁氧体磁性材料抑制电磁干扰(EMI)是经济简便而有效的方法,已广泛应用于计算机等各种军用或民用电子设备。那么什么是铁氧体呢?如何选择,怎样使用铁氧体元件呢?这篇文章将对这些问题作一简要介绍。" o8 \6 E( L* ?# Y5 A8 E
一、什么是铁氧体抑制元件% p% F4 _% h, G) S3 ~
铁氧体是一种立方晶格结构的亚铁磁性材料,它的制造工艺和机械性能与陶瓷相似。但颜色为黑灰色,故又称黑磁或磁性瓷。铁氧体的分子结构为MO·Fe2O3,其中MO为金属氧化物,通常是MnO或ZnO。
# B3 @$ a" k( ^' o0 Q7 ~ 衡量铁氧体磁性材料磁性能的参数有磁导率μ,饱和磁通密度Bs,剩磁Br和矫顽力Hc等。
! R5 k1 O9 v! E" _: T4 H# C 对于抑制用铁氧体材料,磁导率μ和饱和磁通密度Bs是最重要的磁性参数。磁导率定义为磁通密度随磁场强度的变化率。 # C! B/ H o% Y0 v0 d l6 l
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μ=△B/△H
- R( w" _8 V2 S. [, E8 w # I- F# F+ X8 v6 y8 V [
对于一种磁性材料来说,磁导率不是一个常数,它与磁场的大小、频率的高低有关。当铁氧体受到一个外磁场H作用时,例如当电流流经绕在铁氧体磁环上的线圈时,铁氧体磁环被磁化。随着磁场H的增加,磁通密度B增加。当磁场H场加到一定值时,B值趋于平稳。这时称作饱和。对于软磁材料,饱和磁场H只有十分之几到几个奥斯特。随着饱和的接近,铁氧体的磁导率迅速下降并接近于空气的导磁率(相对磁导率为1)如图1所示。
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图1 铁氧体的B-H曲线 ' o G* f) r0 `/ M! ]& T
. x6 d7 G1 X- w) G+ B
铁氧体的磁导率可以表示为复数。实数部分μ'代表无功磁导率,它构成磁性材料的电感。虚数部分μ"代表损耗,如图2所示。
6 t+ c. {7 \, }. @. V! I d8 \% [0 O' }
μ=μ'-jμ" 8 g# p/ {% i3 B. p# y$ L9 r' v
/ I9 |/ x9 p* A! K) s) M
图2 铁氧体的复数磁导率 1 [/ v+ r! e# m l1 o& D" h* N8 {
# F, y3 O! }, Z( C* [& U+ b. { 磁导率与频率的关系如图3所示。在一定的频率范围内μ'值(在某一磁场下的磁导率)保持不变,然后随频率的升高磁导率μ'有一最大值。频率再增加时,μ'迅速下降。代表材料损耗的虚数磁导率μ"在低频时数值较小,随着频率增加,材料的损耗增加,μ"增加。如图3所示,图中tanδ=μ"/μ'
) n1 K# K/ @$ i 2 F0 B1 [1 B0 p" I5 q2 M7 l
: h6 {9 n, [" F9 D7 K. S( V9 w' P图3 铁氧体磁导率与频率的关系
5 E9 L" `. G( c* Z
% H3 U X0 T+ K9 q) n3 {/ G 2 f6 L# G/ \' ?- W6 Q- d
/ m3 `0 u! O# a: s, `( Y. D
图4 铁氧体抑制元件的等效电路(a)和阻抗矢量图(b) 4 f) }# Q, Q! b- h4 |6 [/ j! R1 o
/ w+ _& L! b+ V6 g# N! J二、铁氧体抑制元件的阻抗和插入损耗
; K& |: i% J \4 m( ~+ f7 \" P 当铁氧体元件用在交流电路时,铁氧体元件是一个有损耗的电感器,它的等效电路可视为由电感L和损耗电阻R组成的串联电路,如图4所示。 0 j) z1 [- t7 E5 j. X
. D' F& i5 O! p: G) C! V( F7 j. Z1 Y. U 铁氧体元件的等效阻抗Z是频率的函数Z(f)=R(f)+jωL(f)=Kωμ"(f)+jKωμ'(f)
- U; @/ c1 [# E% L2 g E) _- d2 C2 X$ i; Y6 W6 Q
式中:K是一个常数,与磁芯尺寸和匝数有关,ω为角频率。+ y) T$ I: [3 M6 f; h' Z* F
损耗电阻R和感抗jωL都是频率的函数,图5是材料850磁珠的阻抗、感抗和电阻与频率的关系。在低频端(<10MHz)阻抗小于10Ω,随着频率的增加,由于电阻分量增加,使阻抗增加,电阻逐渐成为主要部分。在频率超过100MHz时,磁珠的阻抗将大于100Ω。这样就构成一个低通滤波器,使高频噪音信号有大的衰减,而对低频有用信号的阻抗可以忽略,不影响电路的正常工作。这种滤波器优于普通纯电抗滤波器。后者会产生谐振,造成新的干扰,而铁氧体磁珠则没有这种现象。 ( B) C5 {+ d; F
% P$ n( e% ], y4 T0 Y图5 铁氧体的阻抗与频率的关系
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铁氧体抑制元件应用时的等效电路如图6所示。图中Z为抑制元件的阻抗,Zs和ZL分别为源阻抗和负载阻抗,Z为铁氧体抑制元件的阻抗。
|% Q3 i$ m( {3 m3 K8 W. H 通常用插入损耗表示抑制元件对EMI信号的衰减能力。器件的插入损耗越大,表示器件对EMI噪音抑制能力越强。 ( y7 N) T! n) S5 y; [& b
8 H! e* h8 H! c3 ]1 d( j
图6 铁氧体抑制元件应用电路 * u5 L6 O) f. |9 j2 V. c
- Q0 |( Q& Z1 N* L* i0 E: t插入损耗的定义为
: M! J0 n R0 y3 i ) U1 Q& F, B0 I8 j: \
式中:P1、V1分别为抑制元件接入前,负载上的功率和电压。
9 I& I) l w) h" {P2、V2分别为抑制元件接入后,负载上的功率和电压。7 t+ a0 c. j4 y
插入损耗和抑制元件的阻抗有如下关系:
+ O8 Y$ [; ?) l; X' I 6 G- {, f3 p2 T6 e. {
由上式可见,在源阻抗和负载阻抗一定时抑制元件的阻抗越大,抑制效果越好。由于抑制元件的阻抗是频率的函数,所以插入损耗也是频率的函数。抑制元件的阻抗包括感抗和电阻部分,两部分对插入损耗都有贡献。在低频时,铁氧体的μ"的值较小,损耗电阻较小,主要是感抗起作用。在高频端,铁氧体的μ'值开始下降,而μ"值增大,所以损耗起主要作用。低频时,EMI信号被反射而受到抑制,在高频端,EMI信号被吸收并转换成热能。- `0 t3 x, F) A1 v2 {) p0 D
三、铁氧体抑制元件的应用- P. `( t6 m6 L9 R- j! D
铁氧体抑制元件广泛应用于PCB,电源线和数据线上。! @1 d3 M! d# M6 K; q, L. `4 L, ^
1、铁氧体抑制元件在PCB上的应用 \; P; Y' P( G8 V& ]
EMI设计的首要方法是抑源法,即在PCB上的EMI源将EMI抑制掉。这个设计思想是将噪音限制在小的区域,避免高频噪音耦合到其他电路,而这些电路通过连线可能产生更强的辐射。
( W; N; H) c. A0 ]9 `1 W PCB上的EMI源来自周期开关的数字电路。其高频电流在电源线和地之间产生一个共模电压降,造成共模干扰。电源线或信号线会将IC开关的高频噪声传导或辐射出去。
, L" E3 e# Y) [3 ~* o7 l; c9 M) B 在电源线和地之间加一个去耦电容,使高频噪音短路,但是去耦电容常常会引起高频谐振,造成新的干扰。在电路板的电源进口加上铁氧抑制磁珠会有效的将高频噪音衰减掉。8 P2 L6 r9 y) a. \0 W6 f
2、铁氧体抑制元件在电源线上的应用% a$ q' M# V& X4 O$ n7 C% y
电源线会把外界电网的干扰、开关电源的噪音传到主机。在电源的出口和PCB电源线的入口设置铁氧体抑制元件,既可抑制电源与PCB之间的高频干扰的传输,也可抑PCB之间高频噪音的相互干扰。7 [ r/ M' C' ?1 C Z9 X! B
值得注意的是,在电源线上应用铁氧体元件时有DC偏流存在。铁氧体的阻抗和插入损耗随着DC偏流的增加而减少。当偏流增加到一定值时,铁氧体抑制元件会出现饱和现象。在EMC设计时要考虑饱和或插入损耗降低的问题。铁氧体的磁导率越低,插入损耗受DC偏流的影响越小,越不易饱和。所以用在电源线上的铁氧体抑制元件,要选择磁导率低的材料和横截面积大的元件。) } s9 `3 W# T% l# Z* `( t: d
当偏流较大时,可将电源的出线(AC的火线,DC的十线)与回线(AC的中线,DC的地线)同时穿入一个磁管。这样可避免饱和,但这种方法只抑制共模噪音。
: q4 ?/ R S, K8 `6 K3、铁氧体抑制元件在信号线上的应用
. ^- U% D! Y, z7 H 铁氧体抑制元件最常用的地主就是信号线,例如在计算机中,EMI信号会通过主机到键盘的电缆线传入到主机的驱动电路,而后耦到CPU,使其不能正常工作。主机的数据或噪音也可通过电缆线传出去。铁氧体磁珠可用在驱动电路与键盘之间,将高频噪音抑制。由于键盘的工作频率在1MHz左右,数据可以几乎无损耗地通过铁氧体磁珠。
1 V. Q x. \4 ~ 偏平电缆也可用专用的铁氧体抑制元件,将噪音抑制在其辐射之前。' g( K* z5 \" f
4、铁氧体抑制元件的选择
7 B7 l3 {9 W5 h 铁氧体抑制元件有多咱材料和各种形状、尺寸供选择。为选择合适的抑制元件,使对噪音的抑制更有效,设计者必须知道需要抑制的EMI信号的频率和强度,要求抑制的效果即插入损耗值以及允许占用的空间包括内径、外径和长度等尺寸。) O2 N* t- L7 J X/ x& N9 R' j
4-1铁氧体材料的选择0 E7 U% Y& H+ A+ \
不同的铁氧体抑制材料,有不同的最佳抑制频率范围,与磁导率有关。通常材料的磁导率越高,适用抑制的频率就越低。下面是常用的几种抑制铁氧体材料的适用频率范围:
4 ]/ I9 b1 Y9 i" E; y- W. v q6 ^ 磁导率 最佳抑制频率范围
5 G9 `, t; q f. g 125 >200MHz . m& ]( w6 { {4 G/ |: R
850 30MHz~200MHz
# |0 g* E' S* l, C& r 2500 10MHz~30MHz, B; @* z9 m/ d& ~
5000 <10MHz9 {$ I7 i8 m A5 e& h+ i
在有DC或低频AC偏流情况下,要考虑到抑制性能的下降和饱和,尽量选用磁导率低的材料。
" n' Z7 Y7 Y- M- v' I6 z4-2 铁氧体抑制元件尺寸的选择$ U; _+ b. T/ ~1 e
铁氧体材料选定之后,需要选定抑制元件的形状和尺寸。抑制元件的形状和影响到对噪音抑制的效果。
% D. C: B* r2 a: ]/ F 一般来说,铁氧体的体积越大,抑制效果越好。在体积一定时,长而细的形状比短而而粗的形状的阻抗要大,抑制效果更好。但在有DC或AC偏流的情况下,要考虑到饱和问题。铁氧体抑制元件的横截面积越大,越不易饱和,可承受的偏流越大。另外,铁氧体的内径越小,抑制效果越好。$ D7 J0 o4 Y# o+ t+ k$ m) |
总之,铁氧体抑制元件选择的原则是,在使用空间允许的条件下,选择尽量长,尽量厚和内孔尽量小的铁氧体抑制元件。0 i! U; p4 ?% i
5、铁氧体抑制元件的安装0 E \3 D# ~8 d6 {1 f$ [7 s
同样的铁氧体抑制元件,由于安装的位置不同,其抑制效果会有很大区别。0 j: `6 R1 F: o' _% k
在大部分情况下,铁氧体抑制元件应安装在尽可能接近干扰源的地方。这样可以防止噪音耦合到其他地方,在那些地方可能噪音更难以抑制。但是在I/O电路,在导线或电缆进入或引出屏蔽壳的地方,铁氧体器件,应尽可能靠近屏蔽壳的进出口处,以避免噪音在经过铁氧体抑制元件之前耦合到其他地方。: A! e8 R6 f5 q
铁氧体磁管穿在电缆上后要用热缩管封好 |
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