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目录：- _4 h2 \1 u# O* x! {& b3 N
: a2 s: A8 K5 e" [先进可靠性分析导论
& {1 r. W B7 a1 V b2 w ┃; x/ J( E: S' C; l
┣第一部分 概述) p. O* r" ]9 a; n* Z; W
┃┃
. R' X1 x" L- S' q ┃┣1.可靠性工作的目的
5 ], F) f7 Y% t0 O! f# h ┃┣2.可靠性工作的理论基础0 Z2 {5 s6 h8 N
┃┣3.可靠性工作的核心途径
/ v6 q) f/ ~- a$ ]" B$ M ┃┣4.可靠性分析的入手点& @0 {9 s0 Y2 O% t& W
┃┣5.研究失效问题的工具
9 {- R% a( v1 w" |4 i9 V6 S: b- @ ┃┗6.可靠性数据6 g& h- m3 P9 {% s% |3 r
┃
( M9 m: @, G- G4 Z" x) E ┗第二部分3 x2 e* j0 G# D1 U! e
┃
8 A& @) ?5 t, K$ _ ┣第一讲：失效分析概论
& r9 G, Y1 y4 T ┃┃
. Z5 u9 \$ W+ p9 V8 `! _+ B ┃┣1.基本概念6 h, D$ s3 W( |; a9 f' a2 X9 ^
┃┣2.失效分析的定义和作用
3 I5 U, r- f. p e ┃┣3.失效模式* @ J& U- E& r O$ |5 w
┃┣4.失效机理+ q) D$ D4 r, v+ m( a6 K
┃┗5.一些标准对失效分析的要求
+ a* W# ~0 w& N1 M5 L5 Y/ ^ ┃
6 L4 V5 q9 U3 f2 \ z ┣第二讲：分析技术及设备
! ]+ h: p7 E' A$ {4 d% c, D ┃┃4 A' Y7 a! H* l1 f
┃┣1.失效分析程序
& ?% W! Q2 q0 _$ |& `4 v2 b, E ┃┣2.非破坏性分析技术
# T; y% h% E6 d( f E4 m7 v ┃┣3.半破坏性分析技术
% ~# w5 A1 x/ Q1 z: Y9 P+ |9 P: z ┃┣4.破坏性分析技术) ~! C4 s. Y# s+ s. W* }$ B; N
┃┗5.分析技术与设备清单. t+ m! m5 T7 T
┃% o& F4 h/ E' w8 S. U* A0 p
┗第三讲：失效分析典型案例3 n1 } p; y8 z$ S3 A
┃5 Y% q! W9 p: E6 B \ Y/ H
┣电路设计缺陷引起的失效: r. h p9 l/ \1 X0 a7 z7 P) F
┣CMOS IC闩锁效应失效
( j. E- P2 h5 ]" Y r0 \) D ┣ESD—静电放电损伤失效
. d" z/ {* q* K5 ]; ^: G ┣过电损伤失效
2 h$ A3 H* S3 z& _ ┣电腐蚀失效+ H$ D; r6 u6 h0 v
┣污染% @: k7 o2 P& N" `
┣机械应力损伤失效
& h- k% T4 e+ p# p4 ` ┣热结构缺陷引起过热失效
9 A5 m4 `6 r3 R9 K0 g2 ~9 ] ┣材料缺陷案例 P4 N; W& [# I2 E! A
┣工艺缺陷案例& {$ {. u' J' J, H' L
┣寿命失效: R) V3 V( E* K: h
┗小结 |
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发表于 2007-7-16 13:08
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