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目录：
" y( L' ^5 r0 j! g$ F: Y0 @
" m8 a8 Q/ h- j9 x" P9 P先进可靠性分析导论, e# ?; u) z6 Z- |' _1 d/ S
┃; e! h) j6 S% ]
┣第一部分 概述
/ C; m0 V, Y, O) [; J H3 q+ C ┃┃9 w' v h: |- K5 `* R
┃┣1.可靠性工作的目的
2 t6 I, r2 E; l1 h1 q ┃┣2.可靠性工作的理论基础
) s) d$ e1 [- ~! ]# T$ A# {+ w ┃┣3.可靠性工作的核心途径
, w8 Y T' S9 }2 m0 v7 Q ┃┣4.可靠性分析的入手点
1 R6 I. Y+ V: M ┃┣5.研究失效问题的工具7 C" q5 O+ _+ X
┃┗6.可靠性数据" J; K0 b5 k9 @& a; l
┃
9 [6 y$ `1 ], Q) g. K2 J ┗第二部分
, j6 m' {( N% ?( d, T& y ┃
( H ?6 F! \ V, T! k ┣第一讲：失效分析概论 J: {6 ]" t% w2 a3 L' c2 M% K
┃┃# ~3 R( g: O2 h2 n& k
┃┣1.基本概念6 M' O7 D; l, c) B! Q' h: V
┃┣2.失效分析的定义和作用
" z1 K/ }0 i$ t2 i; `3 S ┃┣3.失效模式- R# |# _- Z. z. S, |5 X& F% }
┃┣4.失效机理% V% H2 f$ C( V! j0 T6 m6 ]1 @8 |
┃┗5.一些标准对失效分析的要求) ?2 F( V' G) ~! y% X6 N
┃% h6 S/ d; y- R4 M9 X
┣第二讲：分析技术及设备
2 s& M* B% {" M* L! `3 u ┃┃4 z4 ^( z) }1 ?6 k
┃┣1.失效分析程序3 O" z* W$ ?9 {& Z* L
┃┣2.非破坏性分析技术9 {. J6 I$ n- Q; p+ Z p
┃┣3.半破坏性分析技术
! K/ M& `/ H f7 a' {: } ┃┣4.破坏性分析技术 \2 S9 R, x& N9 u( c: t
┃┗5.分析技术与设备清单
6 C4 s8 _- l- X ┃; s" l' ~$ [# x0 U& `
┗第三讲：失效分析典型案例: s8 a k* `# Q& T
┃/ }, j9 Z. ~' I: h1 U, X
┣电路设计缺陷引起的失效
_. g# I4 Q1 b9 [: \: T ┣CMOS IC闩锁效应失效6 h8 A& p- \! ~# d
┣ESD—静电放电损伤失效' S; [. w: Q( _' ^6 {8 @" e
┣过电损伤失效
4 v% A1 b8 g3 z. B: m6 R3 S ┣电腐蚀失效
! m6 K8 P" D2 E6 P( ^ ┣污染
* `) d, V; s/ \! J# G# s ┣机械应力损伤失效2 T$ x* o" l) Q" Q: A! d
┣热结构缺陷引起过热失效
, y) j4 D' u/ m0 V0 g ┣材料缺陷案例4 R# ]/ h; l# ~$ p7 k# c
┣工艺缺陷案例
; ?7 q8 p1 Z) z# O4 }' g, N ┣寿命失效+ M& j: \/ w( j. N: P6 r6 q( W# b, b$ c
┗小结 |
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发表于 2007-7-16 13:08
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