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1.MB芯片定义与特点' W! D: Z! b. f8 e5 G- x& O
: G8 p, o L" ~$ L- J
定义﹕
; [2 F# h2 w5 T0 E- `7 ?* L' g MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
1 M9 s2 N* M+ h; {- W. L
d7 @$ `4 q" m5 d; }& _特点﹕
8 i" w# L: G: M! U! ^7 q) a 1、 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底﹐散热容易. / ~# U: D" R5 j# G) _9 L
7 Q( j L- i4 L7 R) k5 O; {
Thermal Conductivity" J; M0 v) Z0 i5 k, ^0 H0 ?
GaAs: 46 W/m-K L$ d# K9 u- P: J6 f
GaP: 77 W/m-K. J3 l! F l" T$ U
Si: 125 ～ 150 W/m-K
3 T: z" ~9 ~( |Cupper:300~400 W/m-k
; B, m7 C1 \0 n9 p- G: ]4 QSiC: 490 W/m-K2 ]! B; T) b3 Y% z, V e
5 F# L+ c4 f0 T4 z! ~
2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.
6 q) ]! ?! h1 B" U M- u: a0 g/ E# L 3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。: b' m' O+ L4 n
4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热* R1 S) c0 w1 _5 o0 P( F
5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB! G/ q9 S$ K, f: u/ B3 }! G
1 b( _9 D6 N6 \( b+ t) R' p
2.GB芯片定义和特点
+ `% R$ s p ^- U
5 L; n7 J' q# v4 i6 R5 W定义﹕: [8 t; k0 t3 d/ l
GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品* `* c2 p9 x" U3 Z+ _
特点﹕) a8 g( G% E* i- z
1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.
, L4 } l6 Y- s1 ~ 2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图) [. [8 \ H; O2 B- R9 z) C( x
3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)9 l4 B9 e) I/ W$ [1 g
4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片
( J/ i* G. F* R1 M3 h# \: V8 J) p" `8 S
3.TS芯片定义和特点
5 E9 J3 ^* `( p' l v* g8 y' N* w& S: S P' v% n, K1 p9 d
定义﹕" ~" N) R- I$ O' E- R8 M
TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。6 F+ q7 b+ S( O6 W u. h4 U, ^8 T% `
0 Y/ I8 H" h3 o
特点﹕" O. L7 |9 Y% p3 `
1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED" K) x9 ?, G' m, U# e$ P
2. 信赖性卓越7 V5 X" ?+ q: \1 s' H9 v$ i7 Y
3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高* b2 N" Y- @+ C$ `: N& _
4.应用广泛- i) d8 ^9 Y/ Q F
; T2 f6 _$ X6 J4.AS芯片定义与特点- b8 d2 X/ v" k5 O6 z y9 c
H) y8 N; \( D0 F0 ^! j定义﹕5 X5 V4 a* E! \& D2 \, s
AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大.- _! H# }$ I0 e5 ?% c* O
大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等5 F% o. L% `0 r0 }
: M- b+ r: L K2 x. u K4 @- z1 ?% V
特点﹕ V2 g3 c- d7 ]7 w0 Y$ x
1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮
/ g1 n- a2 E0 t3 f4 z0 l 2. 信赖性优良
; n/ F! r1 H0 q9 m. z9 Y( b 3. 应用广泛
1 f O0 D; P$ ]0 a h% A! Y: z2 B
# A5 r/ o( E5 s, d% @发光二极管芯片材料磊晶种类. H! w2 S/ {! ~5 R/ r
7 @5 L/ e, K' |8 T, [) A1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP: H4 F* Q' G% v2 p* W
. f4 `- b) P! V+ T" `5 ?2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs5 J* Z( v* A8 k3 P, ^9 p
' r$ G; X$ `! K8 d e, L3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN- M$ ]1 d B" p! c' D$ K+ s+ ^# W
# B) Q5 O- f1 }# m; Z; t. g1 n0 W4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs, J/ T" P: }6 a/ a
( U( I1 J3 l- \$ J5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAs- b, U. G1 H) ]# c8 [" z* ~4 X: ]
# P1 P& J8 R' k5 P# {. ]6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs |
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发表于 2009-5-5 16:56
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