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1.MB芯片定义与特点3 X' p& R# E' w6 i& x( q
w' l9 i1 a7 J7 q
定义﹕
# T0 m0 ]( T. {" D MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
# Q. w. x& E, p! C; I
: V7 S5 \2 ^& v! e: v, `特点﹕
+ M' h: F) o N! m2 |. l 1、 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底﹐散热容易. 9 N. C2 u0 c& t; R; V$ U
' a$ ~6 O: E' S( D5 G: V
Thermal Conductivity' n1 p; b6 b& _" z! B4 s( S" Y# ]
GaAs: 46 W/m-K
4 U% p) } p- T4 LGaP: 77 W/m-K+ `# T0 D% _ A9 u' j$ _
Si: 125 ～ 150 W/m-K
2 P4 e( k1 r' p! l, W5 b/ X8 }Cupper:300~400 W/m-k- }5 M3 X+ m* l" R1 t0 s- ]
SiC: 490 W/m-K
% F+ g, F) _0 Y/ a" r0 O, a f1 u
/ _/ c0 R5 ~+ m- F! M 2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.
4 ^; k7 B- P) [; R8 ]" z 3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。
6 J# _( Z# W& m% p/ y& | 4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热
9 K( Q1 O3 o% J 5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB6 \0 @% Q' j9 y6 a3 \$ Q
8 l, a* y V ?- S$ v& n/ H1 W2.GB芯片定义和特点4 `% ] @( q/ @ D" F* x
$ R/ g/ V. _: q
定义﹕
. i- G' w* o! G9 H; G, u2 ^7 X GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品5 V% L8 o- ^! }- V, b" Z- w
特点﹕
/ N5 e+ o; v2 y( }' {2 ` 1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.
7 `( F7 G) G: h: j1 c: Q0 U+ U' a 2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图
! M& f0 B' ]3 Q, Q 3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)& a4 j! ?6 l. n R5 H) k% S0 z1 y, [
4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片
7 O( p; N8 C1 T. l2 W6 d- o: ]0 ?: n1 i3 i) @) C& D5 V
3.TS芯片定义和特点
) E" m O/ z1 M% W
! W/ \0 h4 u, }; D- o# k定义﹕
/ [* H1 ?0 k4 Z TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。! n0 m6 d" |& j- F8 u
% R- c5 m2 h( |特点﹕
- ^" y9 G- `4 H8 I9 s) H 1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED3 [; Z, B+ B/ R; D3 G3 J
2. 信赖性卓越
# S# X6 c `' n. Z 3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高+ q" p% l8 {- u- W$ f
4.应用广泛' U* E2 |) p) ?, y" J
4 Z. J. I: \1 }4 Y4.AS芯片定义与特点0 W7 t0 T1 t8 ]' F+ J
% h i2 J3 i/ J% v, Y( R定义﹕
$ I% }, z: ]4 o9 b2 k7 x& O AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大.& U$ p; L0 a. G, C& a" G
大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等2 s, \; r7 ^8 v. g/ u( ?
6 \) H2 r" M+ l% E) B/ i特点﹕4 r" n1 @' g, R
1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮
M; `6 b9 {" y2 s. u1 v4 q, [ 2. 信赖性优良
7 x- x5 f& [" k* r6 O" r 3. 应用广泛& M; A9 A- N( p$ k
( l7 w( D$ ?# U) D. o) m! J
发光二极管芯片材料磊晶种类
1 k1 |9 u8 D2 Q3 _$ N: G& [6 |1 }
$ d- l6 K, E9 S$ R1 L1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
! o4 V* q5 ]# r0 `9 J1 m, ?4 U+ g
0 n2 h/ b3 O; W, b% o2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
9 m% c$ L7 z1 E
# i5 e1 a5 `/ Z# a' A3 u3 `. R3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN
9 l; s. ]& ]/ `1 F" c1 h$ W# s0 q& O/ I/ [, G) R$ q$ Q& N7 T
4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs8 W8 R+ ], g H7 n* o
2 x6 ~/ t* s6 t( _, a2 S
5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAs
6 h0 y8 u% Q! y8 ^6 S0 _' U
0 {0 k5 T$ i- v8 i' ?) G6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs |
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发表于 2009-5-5 16:56
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