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目录：; J+ O( W! O3 N+ ~) r
6 U$ a# d. r* X4 E( x, q' o% o
先进可靠性分析导论! Q) p. }5 I9 a) j+ H) G j+ K2 J- z
┃
: Y2 I+ `0 h; s5 Z! h ┣第一部分 概述
" b* c- N; L+ w: P, ? ┃┃1 Z" o/ r" i2 l9 Q; ?8 e
┃┣1.可靠性工作的目的
3 j" H/ w' D; p8 L4 P. r# U ┃┣2.可靠性工作的理论基础" U3 ^ e, A. ] |( D' F; F
┃┣3.可靠性工作的核心途径: T6 j4 m' w4 N9 X# |# e+ x/ J0 x, C
┃┣4.可靠性分析的入手点
! w4 j' @# ~8 n2 o) b: x1 L ┃┣5.研究失效问题的工具
5 H( q! O B. p+ V8 i' s8 } j) @ ┃┗6.可靠性数据
8 y# \( l$ V% { { ┃5 _" N0 {7 B! E+ t H& _
┗第二部分+ U9 V1 B( o8 l* n8 y
┃ z2 p' O6 w/ @/ P. q* W
┣第一讲：失效分析概论( a( n2 d4 Z8 @- s2 s4 J
┃┃% l. W5 \2 z7 H$ v4 a3 `6 Q" Z
┃┣1.基本概念) ?1 t1 K: g$ j+ r9 F- c
┃┣2.失效分析的定义和作用
9 \- ~3 }% g) b; l% ` ┃┣3.失效模式
: t. |" i3 o$ w' Y- w5 N' p4 g$ O ┃┣4.失效机理
8 t! w- E$ X7 W; n# M6 o ┃┗5.一些标准对失效分析的要求" Y6 h, s: o" x4 ~
┃0 `, e, E, d8 A
┣第二讲：分析技术及设备, F) ~+ M2 f6 p3 S) R p
┃┃
3 @. f' J1 u0 L* F ┃┣1.失效分析程序- L) O4 r8 ^0 W; X% A" l$ I. O+ X+ g
┃┣2.非破坏性分析技术
$ h9 Q/ c# e4 I; m7 B* N$ Q6 u ┃┣3.半破坏性分析技术& L. ?7 h: L) b
┃┣4.破坏性分析技术2 y4 ]/ [! ]6 G, o$ V
┃┗5.分析技术与设备清单- |$ z/ l. L& E, H9 o# X( C
┃
7 `% R! V# w) n* T9 ? ┗第三讲：失效分析典型案例# p) N6 f/ g/ K
┃
) F( J& t$ |* W& I2 H ┣电路设计缺陷引起的失效
, j V4 O6 `9 V4 V# o ┣CMOS IC闩锁效应失效( R; u. X) H4 T0 C, ^6 N
┣ESD—静电放电损伤失效
0 ]3 Z/ _, s( v3 e7 g ┣过电损伤失效. b+ z: z+ x7 D6 p
┣电腐蚀失效9 m+ ~% X8 O7 n( [
┣污染* G, y9 P: X7 @9 y
┣机械应力损伤失效/ V e0 E* h/ X( x; i3 `! ]
┣热结构缺陷引起过热失效2 i: r J$ z) G1 b; {
┣材料缺陷案例
' W8 e- E, A7 a/ y% g$ B3 Y ┣工艺缺陷案例
q) I- d5 W. Q8 O; j, }& n ┣寿命失效/ Z. a% H1 m4 {9 t
┗小结 |
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发表于 2007-7-16 13:08
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