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目录：
7 a+ a1 M; v: K* n+ X2 ?& w' [: H* T/ B) k, t& N& i* T0 x
先进可靠性分析导论" E/ m! p2 Z, e, `
┃7 ?% {; ~8 d5 C/ i+ y7 f0 _0 [
┣第一部分 概述+ j; n5 c" {5 O0 {8 Z% R; ]$ U
┃┃
0 f3 u# b# _" k ┃┣1.可靠性工作的目的( x) r9 [. S( H+ ?8 [- `- Q
┃┣2.可靠性工作的理论基础
, \ f4 o3 f% L. x9 P/ [5 ^0 D ┃┣3.可靠性工作的核心途径( k7 ]7 P5 Z5 p$ r+ i8 A0 Q1 q: t
┃┣4.可靠性分析的入手点( ]+ m/ @- W4 Y# ]; x
┃┣5.研究失效问题的工具
& t/ B& E$ b% @% e* I- X2 m2 x ┃┗6.可靠性数据
O* H: Z7 t+ V1 f3 p ┃6 D/ B* N& [2 B8 k
┗第二部分+ u1 y( |+ k! I# d2 W- N
┃
! x+ h8 p5 D1 a ┣第一讲：失效分析概论, _4 D: I& j' b/ P& d
┃┃/ M1 C! a4 W. `* G0 ?$ h5 i) x
┃┣1.基本概念6 S" F" Q/ q9 F0 S
┃┣2.失效分析的定义和作用
/ a: A+ I/ @' w( g ┃┣3.失效模式7 h) J8 M6 z# T( E7 N0 |, o
┃┣4.失效机理7 C- U* v/ |; t! P& N% O: H
┃┗5.一些标准对失效分析的要求2 X# t$ G% Y# t; @6 L# n; t6 R( r [ J
┃
: @/ h" u; y* P3 j9 {/ Z& M ┣第二讲：分析技术及设备
6 I: J8 \! Z7 ^ ┃┃
$ W; p! A) y$ y' R/ d ┃┣1.失效分析程序
$ Y6 B# [0 q! @; O) Y ┃┣2.非破坏性分析技术
6 |& j( m# y7 `! M" A# }& _ ┃┣3.半破坏性分析技术4 T! u6 |5 ?' Y" {5 U0 N e
┃┣4.破坏性分析技术! e8 i& K( t$ N$ Q! V2 j# z
┃┗5.分析技术与设备清单" r9 p1 Q9 l+ Q
┃% k; K+ Z8 K- }/ R
┗第三讲：失效分析典型案例6 y! E, v$ m& I/ ^( B" L$ b
┃; K& {$ o) L: P, A
┣电路设计缺陷引起的失效. m- k+ {5 D" _) s5 C# y
┣CMOS IC闩锁效应失效; n; S8 U+ R6 ~' e) z8 x/ o5 h
┣ESD—静电放电损伤失效
& J# ?# I% {8 W- k4 d& h/ ~7 b ┣过电损伤失效 p# ?, D9 a" i$ \0 A9 l( O
┣电腐蚀失效
, W6 M; m l" A% Q) u0 M ┣污染
8 M" W3 t0 s9 ^- F. Q ┣机械应力损伤失效
3 F G2 e0 t( C( g: {/ d ┣热结构缺陷引起过热失效! M2 R, `! O/ L0 y
┣材料缺陷案例- q3 T' X( z' |5 ?
┣工艺缺陷案例6 X: G; }; `; o9 Y$ E% P0 P8 W' z
┣寿命失效
6 [+ {2 ]4 R4 \) l( M" {$ k; i ┗小结 |
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发表于 2007-7-16 13:08
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