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先进可靠性分析导论

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发表于 2007-7-16 13:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
广东安规检测
有限公司提供:
目录:4 |( U2 z  Z/ S& ^

& _6 b: _" p( Z+ G/ w' Z先进可靠性分析导论8 ^- Y$ ?7 E0 A) z9 T, q
 ┃! X7 L1 ~4 `5 ~9 d/ J
 ┣第一部分 概述: U: T& G0 d; S' o8 W4 k
 ┃┃5 n$ c) o) o+ I- n
   ┃┣1.可靠性工作的目的
8 t& y- Y* _8 H# R6 i0 u( n   ┃┣2.可靠性工作的理论基础# a/ X/ C5 J9 @" @
   ┃┣3.可靠性工作的核心途径
; V, u& ]7 e5 s. Q   ┃┣4.可靠性分析的入手点
* D) r5 H" A; u3 h+ C   ┃┣5.研究失效问题的工具
1 R" l( X3 P$ ^: B2 o0 k) a   ┃┗6.可靠性数据
5 ?. N9 ^! }' F, ~   ┃
1 Q0 g4 W5 b& H ┗第二部分
1 e" a* h8 q0 u$ t   ┃
( w' {7 v; N7 F0 |' b. S  v    ┣第一讲:失效分析概论
; z- l1 F9 E9 [$ W1 T% [( G5 |) e    ┃┃. H" c& x1 ]* w+ O+ Y0 p& D7 L
    ┃┣1.基本概念
! A4 U' v; d# h2 d    ┃┣2.失效分析的定义和作用/ r# _. a  g. u+ ]' ~: @; e+ U4 k
    ┃┣3.失效模式$ q6 ?; R# u4 ^# z4 N# q. w
    ┃┣4.失效机理' o+ g4 V3 [6 f2 `4 u7 @: h
    ┃┗5.一些标准对失效分析的要求
4 r5 o. ]6 ?; b; |    ┃2 k3 x) n% q  k8 W# h& D5 L  f8 j5 {. T
    ┣第二讲:分析技术及设备0 U% N* ^( I- ~  ?0 P2 ~7 K# w: D
    ┃┃+ T4 E9 M. \4 Z( v# U4 B# l
    ┃┣1.失效分析程序2 v' h# [1 F; n" N
    ┃┣2.非破坏性分析技术/ f& E" R+ n2 k
    ┃┣3.半破坏性分析技术
/ B# U( G' c6 @! |$ X" U: i/ b5 {    ┃┣4.破坏性分析技术; Y  p* x0 [  U! Y- W$ E
    ┃┗5.分析技术与设备清单
: ?- [( t( S/ b. W: d: ^" G# y: u    ┃
! f. K/ g/ P# M+ V$ f  U    ┗第三讲:失效分析典型案例& k: T. r5 i" e8 K2 G
      ┃2 k) o6 W: n* v- h
      ┣电路设计缺陷引起的失效
7 k1 ~4 R$ v9 }) M! n; I1 y7 X      ┣CMOS IC闩锁效应失效; ~' M+ M! a( L& `! d# ]
      ┣ESD—静电放电损伤失效' m0 Q6 C/ A$ {6 M
      ┣过电损伤失效6 `+ G& S! t- B4 |
      ┣电腐蚀失效
4 x8 s7 l9 c" r1 J2 ]      ┣污染
- L- D2 S& z9 x  ^1 O      ┣机械应力损伤失效
6 `3 S9 T& A: R8 P" @& H      ┣热结构缺陷引起过热失效
% v0 s0 l6 I4 a0 r9 w. P$ t      ┣材料缺陷案例
6 w3 K8 C6 P$ J; @5 z$ ]4 b      ┣工艺缺陷案例
! m3 o( M) `- \) [      ┣寿命失效
0 u8 F) I8 U# K7 a# \. Y7 r      ┗小结
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