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[综合话题] 2.10.5.4 半导体器件的DTI

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发表于 2018-1-26 18:19 | 显示全部楼层回帖奖励

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GB 4943.1的2.10.5.4半导体器件，这里说了一句“如果由绝缘化合物完全填充其内部的半导体器件（如光耦），如果符合下列a) 或 b) 之一的要求，那么由绝缘化合物组成的附加绝缘或加强绝缘无最小绝缘穿透距离要求”

啥意思勒，符合a 或 b的要求，光耦 0.4mm 都不要求了吗？
但是，是不是很少人按照a或b 做嘛？好像都要求光耦要 0.4mm
a) 是按照IT标准做热循环测试，例行测试打耐压。这个不选用，我可以理解为例行测试不好把控，还有光耦要解剖检查比较难
那么b)呢？光耦满足IEC 60747-5-5的要求，巴拉巴拉····不打了。
这一条为什么不选呢？是因为光耦很少人去符合 IEC 60747-5-5的标准吗？都做UL 1577了吗？
那我觉得如果满足 IEC 60747-5-5的光耦，那是不是就不要求DTI了呢？

求大神分析解惑。

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