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本帖最后由 vernal.meng 于 2013-6-27 13:50 编辑 5 I# |, {, }5 I1 c$ Q2 U) A7 b
, R* n0 U# }1 {, h 哪位曾完成過：GB 3048/NBR 14898GB 3048/NBR 14898 高溫下的絕緣電阻測試0 L, C) t- B# Q+ D
如：$ h# g$ F T9 Y6 I& B6 b
+ ^/ D5 u$ B7 U樣品的準備如下：. q8 u! i9 _% c- A
5 z4 l5 d) l z- B9 X5 ?2 ?提示：电缆导体由多根导线绞合而成，它与绝缘层之间易形成气隙，导体表面不光滑，会造成电场集中。在导体表面加一层半导电材料的屏蔽层，它与被屏蔽的导体等电位并与绝缘层良好接触，从而避免在导体与绝缘层之间发生局部放电，这一层屏蔽为内屏蔽层；同样在绝缘表面和护套接触处也可能存在间隙，是引起局部放电的因素，故在绝缘层表面加一层半导电材料的屏蔽层，它与被屏蔽的绝缘层有良好接触，与金属护套等电位，从而避免在绝缘层与护套之间发生局部放电，这一层屏蔽为外屏蔽层；没有金属护套的挤包绝缘电缆，除半导电屏蔽层外，还要增加用铜带或铜丝绕包的金属屏蔽层，这个金属屏蔽层的作用，在正常运行时通过电容电流；当系统发生短路时，作为短路电流的通道，同时也起到屏蔽电场的作用。
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! c: a4 f& N1 D- B% C7 @3 ~( Q
; B: U7 U k; `% V9 i. t問題：
# X/ f1 ~) ^, v. k' M8 X( H1.加了半導體材料的屏蔽層後，除防止電壓穿外及更好地與絕緣層接觸的外，是否也會加大原有的絕緣電阻.
. Z5 f" r2 H9 G& O8 {2.GB3048要求單芯線為取1.4m,多芯線需取3-5m,並需要測量芯線間的絕緣電阻.而TUV NBR 14898並沒有這樣的要求測芯線間的絕緣電阻.' y5 L& g0 v9 o1 P6 W6 }: F4 p
3.請各位各抒己見，共同討論.
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3 r$ U, f2 Z( q" i: A& g" b6 }& m) Q2 @* S
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发表于 2013-6-27 13:46
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