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[TRON] DSH 729 Temperature limit of main enclosure over heat sink

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发表于 2012-11-8 17:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
广东安规检测
有限公司提供:
DSH 729; N5 Y" Y7 }, W) G

/ S6 E8 m7 c( X" ^) E  q1 _7 v
Temperature limit of main enclosure over heat sink
4 f. \: b7 ~3 h8 x! M* J$ G
7.1.1, Table 3, note b
5 J3 ~) h) o7 o9 F' V$ b
60065(ed.7)  w% l0 X: c7 I* D8 L

' u- ^$ m7 t) K- }8 gStandard(s)- (incl. year) No. Year
- X) H$ P' ?1 I4 FIEC 60065:2001 DSH; e. K* E# f! `' E  c
0729  V3 q: T$ G9 l3 F& j% T
2008
6 q# q. w, ]8 nCategory:
7 o; n  A+ j$ P! C- l* E8 S0 FTRON
0 j" ~4 |! @4 c/ D! S  P. c0 XSub-clause(s):
8 T) _2 \' X' B, i8 l/ Q7.1.1, Table 3, note b# ^2 t# T7 ^2 C4 V! G
Developed by: ETF2# E- _' J* P. U% ?. W! c5 A
Subject: Temperature limit
' ^+ K* U& c: c' o& eof main enclosure over heat
' N8 B5 o+ y! C) V2 w" P) nsink
3 z- D' P; S- E9 sKey words:
. r4 S( b4 U0 M% P) h0 I- Limits during normal
6 e, @1 t7 Y. ?' ooperation
9 g' z  l) \* Y! s" S$ x- Not likely to be touched/ ]0 _1 k( t% @
during intended use
2 N' q' `4 g; _! O8 h- y/ kDecision approved at the
* L. H( M9 `4 H8 {& d46th 2009 CTL Plenary
1 j  M5 j2 B0 L) {" Z( D7 mMeeting
) N9 S- ^+ ~/ z5 c5 uQuestion:
( I2 V" ~5 e$ K! [9 XCan the 65 ° K temperature rise limit be applied for the surface of the main enclosure covering an" H- P+ G2 c2 m/ M6 p+ _
internal heat sink in the same way as is applied for vacuum tubes following DSH-566?2 b; [7 B- F( i- _( a
Decision:
- N$ J% O) q0 a; d: SThe 65 ° K rise limit may be applied to the enclosure covering an internal heatsink, if:
! y" ~; j) l0 A9 o/ d·  the symbol (IEC60417, 5041) is marked on or adjacent to the heated area of the surface of0 ~: ~5 s, L  Z0 W% _1 J' x; l
the enclosure, and
: `, F* ^* `) v# c/ a; o·  the minimum distance over the surface of the product between this area and any control
$ [9 O; U: v- m* `intended to be operated during use is 150 mm or greater, and0 W: _# ], U$ K4 e/ f) t
·  the instruction manual gives information regarding it.2 }2 @* Y& x0 l4 b/ P0 `& P
. V, p5 m  d0 y7 g4 b! x' c! n

8 ]( t# |$ _4 Q: y( I. m, m

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