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楼主: whynoreason
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[电磁兼容对策] SDRAM的125M CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!

[复制链接]
11#
发表于 2008-11-15 17:33 | 只看该作者
广东安规检测
有限公司提供:
125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
12#
发表于 2008-11-15 18:30 | 只看该作者
引用第11楼aluminu于2008-11-15 17:33发表的  :$ w  i+ c6 d) \2 I& |  y4 X- s
125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
楼主都说是SDRM的CLK问题,你别扯远了。
13#
发表于 2008-11-15 21:32 | 只看该作者
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻
3 ^- z7 O9 i, X 3 I6 b- p  h' M" Q5 g6 G- L* I
這是可驗證的.............
14#
发表于 2008-11-15 21:37 | 只看该作者
引用第13楼aluminu于2008-11-15 21:32发表的  :8 Z  d% y# k+ V- B% H( J0 c; L( b* r
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻
9 M; z( z% y0 `! G9 B+ f ' f+ G9 q% k% T5 [
這是可驗證的.............
这个当然是不错的。10/100M主频是25。1000M是125。+ {" U7 G' Q4 q' ?* k9 Y* q
可这和SDRAM是两回事,你别搞错了.
! Q4 p# X8 x/ u+ Y2 [4 j& s( Q难道240M FAIL就一定是USB吗?
15#
发表于 2008-11-17 12:08 | 只看该作者
幾個建議方案 :
# |+ {  ]) D) Q" v4 e* b                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.; N: O3 H7 {0 i) f, K

2 Z& a/ E. M3 _                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)
8 C7 B9 p" B+ I% g
) U) `4 s6 ]7 [1 i9 X) q                c. 測一下附近的ripple是否很高(尤其是VCC and GND),依您所述,可能有broad band noise在
1 ?* Z3 M1 s- M5 ~          100~300MHz左右,如真有此band,則建議先解決VCC and GND的問題(VCC過高,請以高容
- j+ |8 ?8 n" l! ~6 X- e7 }% }6 Z$ b          電值電容解決;GND ripple過高則運\用接地性或隔離性解決,此部份要看實測狀況,有些時候增$ a# Q5 `4 H) k: f6 p5 c
          加接地性可能無效,因為可能在那附近的ripple過高,此時就不適合接地性,反而適合隔離解決)
, S1 @1 h$ a! w( I- r/ h$ I* \, q% l! a! r6 P3 }5 G; }0 u
                d. 於SDRAM靠近Main chip端加Bead(選Z and R交叉點在100~200MHz之間且impedance在( J/ i* X5 l- m7 B1 k' N) r% ?) y
          100 ohm以下,impedance不要太大,以免影響Vpeak level) and capacitor(約10p~27pF左右# x+ r9 w0 B6 ~* O& N+ l
          ,而且要看是否影響到function)
' u6 A% C' @; z/ V/ ]! Q- h* d- n# T- q% k' r3 T
                e. Data trace靠近Main chip端加約22 ohm左右的電阻- t1 M7 s: n' g

& I5 W: J  X# o5 B! E1 n1 k- V        f.  增加LCD panel與Main board之間的接地性
4 Z2 s8 {0 b3 b! n' m3 v! }* i3 l" h
        g. 兩個不同的電源層上利用100pF~1000pF左右的電容接在一起
) }% t( `: N* v6 G+ M$ Y) h3 R/ B6 N4 _7 c2 y( F2 Q
        h. Main chip / SDRAM / Flash的下一層應為GND plane- W: r" f5 O; c- H, y7 Q
+ D# N& |2 F/ Z$ G4 S' |8 d; v* U$ A" d
                i.   Trace儘可能不要走到VCC plane,因為他們為高速數碼電路,若不得以,則將此區域挖空給
. b# z  k  q) o$ O% Z/ H7 {( H          這些線路走線用# ^  t  E0 {; A" n6 L/ L9 [7 f
  J% {! p' n! o7 u4 |0 m
        j.  減少LCD的RGB trace的走線距離,並遠離高速數碼電路* N& t8 ]$ h( }
  K; n* r7 k' b  ^- i  l% S
        k. LCD背光引線遠離Main board,且一定要遠離幾個主要的IC; 看一下拔掉引線後,
. B; L7 {1 }- f1 ?& ^  y! w  a  g                    100~200MHz的band是否會變低,如果會的話,則在LED+ and -纏成絞線且更要遠離Main & w1 ?: L. X; c! @, e/ Y# `& E( Z& E
                    Board; 也可試著在LED+ and LED-加high u 電容解決,不過要注意是否影響影像2 x, X0 j* R9 K$ D
+ S+ y8 [/ d& N
        l.  電源引線的源頭利用Scope量一下ripple是否過高,若過高則在源頭加Bead or
0 i: H4 g0 D4 g                    Common mode choke or Capacitor解決,若無法則需加Core.
" B  }# s( G- ^; U6 U2 o
2 Y+ Y' v: p6 d  w3 i6 @4 [% r     以個人經驗覺得可能跟SDRAM clock無關,應該跟LCD訊號有關,不過因為無實際參與您的測試,# g+ f  z/ l# u7 S8 A/ `1 B
  無僅能依您所述判斷,
16#
发表于 2008-11-24 08:58 | 只看该作者
引用第15楼pwu5于2008-11-17 12:08发表的  :
5 f! v7 W) c! S5 E! u幾個建議方案 :
# o5 {) R) e& |. B/ I6 C                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.% x# n, o2 E, `8 [3 K$ Q( z' \
1 y1 @; y8 J5 q7 h! l
                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)
# x& N, I) b: }2 J( p$ c) x' }1 c$ P
.......
楼上应该是搞EMC design的,想法是一些理论的,固定有说服力,但实际测试还是要根据测试结果来定,你讲的一些东西似乎跟主题有差距,人家既然都说了是SDRM 125M CLK,说明他应该有debug过。我们而不是误导他方向。
17#
发表于 2008-11-24 16:00 | 只看该作者
感謝版主的討論..
  Q3 u" f1 T0 T' O  Z6 x( B% Y7 ?+ |" L1 d7 g8 }1 Z& E
我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...; u8 E9 K0 A* q. R
很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與' d% c0 e. i, @- y& K6 h, M5 E; o
判斷才能得知,
18#
发表于 2008-11-24 17:03 | 只看该作者
引用第17楼pwu5于2008-11-24 16:00发表的  :
4 C* {7 S! @8 f/ M感謝版主的討論..$ l7 V$ J! U$ `( X' y' q2 U* h+ q

) P) ^5 P. f4 z我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...
3 ~& Y; b& @4 Z  N7 \9 X) x, a. x很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與) `( i7 r; i$ J/ y- \
判斷才能得知,
呵呵,你别误会,我没有其他意思。既然你是做EMC DESIGN的,我以后还得请教你这方面的问题。不知道你对于消费性电子的ESD性能设计有没有经验,类似于MP3,DC类的。。。
19#
发表于 2008-11-24 17:20 | 只看该作者
我沒別的意思..說過是討論了..所以難免會有不一樣的反應..別在意啦..
0 m8 y4 d0 g6 M* I4 l: T/ d& m: R- L+ k3 m. W# t6 L3 L
   我也曾做過ESD對策改善,所以若有問題可以提出來大家做個討論,不然就失去這個站的意義嘍..^_^
20#
发表于 2008-12-7 01:49 | 只看该作者
严重学习中。。。。
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