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楼主: whynoreason
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[电磁兼容对策] SDRAM的125M CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!

[复制链接]
11#
发表于 2008-11-15 17:33 | 只看该作者
广东安规检测
有限公司提供:
125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
12#
发表于 2008-11-15 18:30 | 只看该作者
引用第11楼aluminu于2008-11-15 17:33发表的  :
) o2 E' n  h# S7 L7 ~' a125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
楼主都说是SDRM的CLK问题,你别扯远了。
13#
发表于 2008-11-15 21:32 | 只看该作者
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻
; B5 Q* ?0 A( N* ?. i# t
& E. l2 l0 W  v" S: W  w這是可驗證的.............
14#
发表于 2008-11-15 21:37 | 只看该作者
引用第13楼aluminu于2008-11-15 21:32发表的  :
3 Z5 j) x' q+ ~2 i- b我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻% h# d  @; v6 ~2 d+ ?- \. b

. l+ |% y4 |* q% h7 w* g4 H這是可驗證的.............
这个当然是不错的。10/100M主频是25。1000M是125。
/ j5 }- A7 e7 W( u3 e$ e可这和SDRAM是两回事,你别搞错了.7 J  X  w% y+ ^  R7 l
难道240M FAIL就一定是USB吗?
15#
发表于 2008-11-17 12:08 | 只看该作者
幾個建議方案 :
5 }7 b# |8 }9 m& N) }6 X/ L                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.% ^$ l2 S  W/ O4 d! P# [7 X
# L# C( P8 l" j: G/ b$ h
                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)2 B3 [- N+ M1 P8 I

" l2 g! c' W1 l" U+ G( C) S                c. 測一下附近的ripple是否很高(尤其是VCC and GND),依您所述,可能有broad band noise在
/ Q! b7 W0 s1 {& h: O5 n          100~300MHz左右,如真有此band,則建議先解決VCC and GND的問題(VCC過高,請以高容
& }8 d, ^$ h) @* B' z$ j3 G          電值電容解決;GND ripple過高則運\用接地性或隔離性解決,此部份要看實測狀況,有些時候增% f) u  h8 m" I: P6 H: C: ^; I
          加接地性可能無效,因為可能在那附近的ripple過高,此時就不適合接地性,反而適合隔離解決)% |$ z5 f- H( s7 T" `% B

9 p5 Q) W! t" k. t4 l" l5 w* V4 t                d. 於SDRAM靠近Main chip端加Bead(選Z and R交叉點在100~200MHz之間且impedance在
: |, J5 G; L8 c! }; s          100 ohm以下,impedance不要太大,以免影響Vpeak level) and capacitor(約10p~27pF左右
: @& E8 Y: ~+ M! I, c          ,而且要看是否影響到function)
7 U+ m& h' K/ r7 l/ E  ?  A8 D
6 {( k- l& e1 A' h                e. Data trace靠近Main chip端加約22 ohm左右的電阻# N. H  s( |+ B
4 M7 t8 q+ Z0 E# k
        f.  增加LCD panel與Main board之間的接地性
! \' c) k& \' l! E' i9 |1 ~( N3 j% R0 ]$ `: ]3 Y
        g. 兩個不同的電源層上利用100pF~1000pF左右的電容接在一起& S/ D; M* W4 I7 z. p

( b# d, r8 n7 m, N8 n" \4 V        h. Main chip / SDRAM / Flash的下一層應為GND plane9 z. ?( z% [2 x- [; W' N$ \% P

3 c: S' s4 F: M8 M: z. L8 v                i.   Trace儘可能不要走到VCC plane,因為他們為高速數碼電路,若不得以,則將此區域挖空給
, ]5 j$ Y* w* N: r+ a6 k          這些線路走線用
  F- |  u( w  n5 L$ V* p1 F
+ R5 p6 X7 j$ G3 \        j.  減少LCD的RGB trace的走線距離,並遠離高速數碼電路
* k" A+ t5 `2 X$ t. C; E; P1 x9 @/ t  a! b+ r8 Q
        k. LCD背光引線遠離Main board,且一定要遠離幾個主要的IC; 看一下拔掉引線後,
) \! j+ I% Y2 y1 {. Z                    100~200MHz的band是否會變低,如果會的話,則在LED+ and -纏成絞線且更要遠離Main
  h8 o5 z) N0 u; ]2 {+ T. x                    Board; 也可試著在LED+ and LED-加high u 電容解決,不過要注意是否影響影像7 C+ c9 Z) q  l+ ?
5 d/ U7 y* f# @1 b. q
        l.  電源引線的源頭利用Scope量一下ripple是否過高,若過高則在源頭加Bead or
6 W7 M3 @" G# m, O; Y, r& K                    Common mode choke or Capacitor解決,若無法則需加Core.) v7 {9 r8 }5 a; t1 U* k

  _7 ?* H& b( O5 k: ^; ^) t     以個人經驗覺得可能跟SDRAM clock無關,應該跟LCD訊號有關,不過因為無實際參與您的測試,6 x' K( ]9 j9 G2 \, ^/ Y
  無僅能依您所述判斷,
16#
发表于 2008-11-24 08:58 | 只看该作者
引用第15楼pwu5于2008-11-17 12:08发表的  :/ u: E: X4 w6 J3 ~6 ^- K
幾個建議方案 :
1 H7 m/ M5 V5 y) b8 O, }; `                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.
0 u$ ]- i1 [2 m8 W: q4 ~3 g$ w# z' I2 K
                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)
" [) }/ Y5 j& ~9 n  ]$ I) A; ]& d' s0 W7 Z8 j8 [
.......
楼上应该是搞EMC design的,想法是一些理论的,固定有说服力,但实际测试还是要根据测试结果来定,你讲的一些东西似乎跟主题有差距,人家既然都说了是SDRM 125M CLK,说明他应该有debug过。我们而不是误导他方向。
17#
发表于 2008-11-24 16:00 | 只看该作者
感謝版主的討論../ E% S; i: _2 q/ Y+ ~9 v

7 w4 D& s! y) K, d' F- n* k+ c我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...
, l5 I; @: L, u- q; @) S0 k很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與1 J, D$ d7 [( l" ^1 ?
判斷才能得知,
18#
发表于 2008-11-24 17:03 | 只看该作者
引用第17楼pwu5于2008-11-24 16:00发表的  :
, O, Y) l1 J& r感謝版主的討論..$ x% q( n4 I0 W$ {

7 }% |, B+ X; U5 t9 D3 B& }5 Z我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...
7 I$ f6 k9 T% U5 T, v/ t很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與% t" R; ]+ H! r% t) M" O
判斷才能得知,
呵呵,你别误会,我没有其他意思。既然你是做EMC DESIGN的,我以后还得请教你这方面的问题。不知道你对于消费性电子的ESD性能设计有没有经验,类似于MP3,DC类的。。。
19#
发表于 2008-11-24 17:20 | 只看该作者
我沒別的意思..說過是討論了..所以難免會有不一樣的反應..別在意啦..
6 k9 D' D- o. l
0 Y  I7 U' g  b! U1 E+ Y9 {* T$ I   我也曾做過ESD對策改善,所以若有問題可以提出來大家做個討論,不然就失去這個站的意義嘍..^_^
20#
发表于 2008-12-7 01:49 | 只看该作者
严重学习中。。。。
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