gzmuestc 发表于 2008-8-6 11:44

铁氧体(铁氧体磁环-铁氧体磁珠)在抑制电磁干扰(EMI)中的应用

用铁氧体磁性材料抑制电磁干扰(EMI)是经济简便而有效的方法,已广泛应用于计算机等各种军用或民用电子设备。那么什么是铁氧体呢?如何选择,怎样使用铁氧体元件呢?这篇文章将对这些问题作一简要介绍。
  一、什么是铁氧体抑制元件
  铁氧体是一种立方晶格结构的亚铁磁性材料,它的制造工艺和机械性能与陶瓷相似。但颜色为黑灰色,故又称黑磁或磁性瓷。铁氧体的分子结构为MO·Fe2O3,其中MO为金属氧化物,通常是MnO或ZnO。
  衡量铁氧体磁性材料磁性能的参数有磁导率μ,饱和磁通密度Bs,剩磁Br和矫顽力Hc等。
  对于抑制用铁氧体材料,磁导率μ和饱和磁通密度Bs是最重要的磁性参数。磁导率定义为磁通密度随磁场强度的变化率。

μ=△B/△H

  对于一种磁性材料来说,磁导率不是一个常数,它与磁场的大小、频率的高低有关。当铁氧体受到一个外磁场H作用时,例如当电流流经绕在铁氧体磁环上的线圈时,铁氧体磁环被磁化。随着磁场H的增加,磁通密度B增加。当磁场H场加到一定值时,B值趋于平稳。这时称作饱和。对于软磁材料,饱和磁场H只有十分之几到几个奥斯特。随着饱和的接近,铁氧体的磁导率迅速下降并接近于空气的导磁率(相对磁导率为1)如图1所示。

图1 铁氧体的B-H曲线

  铁氧体的磁导率可以表示为复数。实数部分μ'代表无功磁导率,它构成磁性材料的电感。虚数部分μ"代表损耗,如图2所示。

                     μ=μ'-jμ"

图2 铁氧体的复数磁导率

  磁导率与频率的关系如图3所示。在一定的频率范围内μ'值(在某一磁场下的磁导率)保持不变,然后随频率的升高磁导率μ'有一最大值。频率再增加时,μ'迅速下降。代表材料损耗的虚数磁导率μ"在低频时数值较小,随着频率增加,材料的损耗增加,μ"增加。如图3所示,图中tanδ=μ"/μ'


图3 铁氧体磁导率与频率的关系



图4 铁氧体抑制元件的等效电路(a)和阻抗矢量图(b)

二、铁氧体抑制元件的阻抗和插入损耗
  当铁氧体元件用在交流电路时,铁氧体元件是一个有损耗的电感器,它的等效电路可视为由电感L和损耗电阻R组成的串联电路,如图4所示。

  铁氧体元件的等效阻抗Z是频率的函数Z(f)=R(f)+jωL(f)=Kωμ"(f)+jKωμ'(f)

  式中:K是一个常数,与磁芯尺寸和匝数有关,ω为角频率。
  损耗电阻R和感抗jωL都是频率的函数,图5是材料850磁珠的阻抗、感抗和电阻与频率的关系。在低频端(<10MHz)阻抗小于10Ω,随着频率的增加,由于电阻分量增加,使阻抗增加,电阻逐渐成为主要部分。在频率超过100MHz时,磁珠的阻抗将大于100Ω。这样就构成一个低通滤波器,使高频噪音信号有大的衰减,而对低频有用信号的阻抗可以忽略,不影响电路的正常工作。这种滤波器优于普通纯电抗滤波器。后者会产生谐振,造成新的干扰,而铁氧体磁珠则没有这种现象。

图5 铁氧体的阻抗与频率的关系

  铁氧体抑制元件应用时的等效电路如图6所示。图中Z为抑制元件的阻抗,Zs和ZL分别为源阻抗和负载阻抗,Z为铁氧体抑制元件的阻抗。
  通常用插入损耗表示抑制元件对EMI信号的衰减能力。器件的插入损耗越大,表示器件对EMI噪音抑制能力越强。

图6 铁氧体抑制元件应用电路

插入损耗的定义为

式中:P1、V1分别为抑制元件接入前,负载上的功率和电压。
P2、V2分别为抑制元件接入后,负载上的功率和电压。
插入损耗和抑制元件的阻抗有如下关系:

  由上式可见,在源阻抗和负载阻抗一定时抑制元件的阻抗越大,抑制效果越好。由于抑制元件的阻抗是频率的函数,所以插入损耗也是频率的函数。抑制元件的阻抗包括感抗和电阻部分,两部分对插入损耗都有贡献。在低频时,铁氧体的μ"的值较小,损耗电阻较小,主要是感抗起作用。在高频端,铁氧体的μ'值开始下降,而μ"值增大,所以损耗起主要作用。低频时,EMI信号被反射而受到抑制,在高频端,EMI信号被吸收并转换成热能。
三、铁氧体抑制元件的应用
  铁氧体抑制元件广泛应用于PCB,电源线和数据线上。
1、铁氧体抑制元件在PCB上的应用
  EMI设计的首要方法是抑源法,即在PCB上的EMI源将EMI抑制掉。这个设计思想是将噪音限制在小的区域,避免高频噪音耦合到其他电路,而这些电路通过连线可能产生更强的辐射。
  PCB上的EMI源来自周期开关的数字电路。其高频电流在电源线和地之间产生一个共模电压降,造成共模干扰。电源线或信号线会将IC开关的高频噪声传导或辐射出去。
  在电源线和地之间加一个去耦电容,使高频噪音短路,但是去耦电容常常会引起高频谐振,造成新的干扰。在电路板的电源进口加上铁氧抑制磁珠会有效的将高频噪音衰减掉。
2、铁氧体抑制元件在电源线上的应用
  电源线会把外界电网的干扰、开关电源的噪音传到主机。在电源的出口和PCB电源线的入口设置铁氧体抑制元件,既可抑制电源与PCB之间的高频干扰的传输,也可抑PCB之间高频噪音的相互干扰。
  值得注意的是,在电源线上应用铁氧体元件时有DC偏流存在。铁氧体的阻抗和插入损耗随着DC偏流的增加而减少。当偏流增加到一定值时,铁氧体抑制元件会出现饱和现象。在EMC设计时要考虑饱和或插入损耗降低的问题。铁氧体的磁导率越低,插入损耗受DC偏流的影响越小,越不易饱和。所以用在电源线上的铁氧体抑制元件,要选择磁导率低的材料和横截面积大的元件。
  当偏流较大时,可将电源的出线(AC的火线,DC的十线)与回线(AC的中线,DC的地线)同时穿入一个磁管。这样可避免饱和,但这种方法只抑制共模噪音。
3、铁氧体抑制元件在信号线上的应用
  铁氧体抑制元件最常用的地主就是信号线,例如在计算机中,EMI信号会通过主机到键盘的电缆线传入到主机的驱动电路,而后耦到CPU,使其不能正常工作。主机的数据或噪音也可通过电缆线传出去。铁氧体磁珠可用在驱动电路与键盘之间,将高频噪音抑制。由于键盘的工作频率在1MHz左右,数据可以几乎无损耗地通过铁氧体磁珠。
  偏平电缆也可用专用的铁氧体抑制元件,将噪音抑制在其辐射之前。
4、铁氧体抑制元件的选择
  铁氧体抑制元件有多咱材料和各种形状、尺寸供选择。为选择合适的抑制元件,使对噪音的抑制更有效,设计者必须知道需要抑制的EMI信号的频率和强度,要求抑制的效果即插入损耗值以及允许占用的空间包括内径、外径和长度等尺寸。
4-1铁氧体材料的选择
  不同的铁氧体抑制材料,有不同的最佳抑制频率范围,与磁导率有关。通常材料的磁导率越高,适用抑制的频率就越低。下面是常用的几种抑制铁氧体材料的适用频率范围:
  磁导率    最佳抑制频率范围
  125      >200MHz  
  850         30MHz~200MHz
  2500         10MHz~30MHz
  5000     <10MHz
  在有DC或低频AC偏流情况下,要考虑到抑制性能的下降和饱和,尽量选用磁导率低的材料。
4-2 铁氧体抑制元件尺寸的选择
  铁氧体材料选定之后,需要选定抑制元件的形状和尺寸。抑制元件的形状和影响到对噪音抑制的效果。
  一般来说,铁氧体的体积越大,抑制效果越好。在体积一定时,长而细的形状比短而而粗的形状的阻抗要大,抑制效果更好。但在有DC或AC偏流的情况下,要考虑到饱和问题。铁氧体抑制元件的横截面积越大,越不易饱和,可承受的偏流越大。另外,铁氧体的内径越小,抑制效果越好。
  总之,铁氧体抑制元件选择的原则是,在使用空间允许的条件下,选择尽量长,尽量厚和内孔尽量小的铁氧体抑制元件。
5、铁氧体抑制元件的安装
  同样的铁氧体抑制元件,由于安装的位置不同,其抑制效果会有很大区别。
  在大部分情况下,铁氧体抑制元件应安装在尽可能接近干扰源的地方。这样可以防止噪音耦合到其他地方,在那些地方可能噪音更难以抑制。但是在I/O电路,在导线或电缆进入或引出屏蔽壳的地方,铁氧体器件,应尽可能靠近屏蔽壳的进出口处,以避免噪音在经过铁氧体抑制元件之前耦合到其他地方。
  铁氧体磁管穿在电缆上后要用热缩管封好
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