LED芯片分类

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1.MB芯片定义与特点

定义﹕
) O% j% ?& Z) E" y2 _       MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
# p. ?1 x3 C; A- a/ T% d$ u& O
特点﹕
     1、 采用高散热系数的材料---Si  作为衬底﹐散热容易.

Thermal Conductivity
* ]$ d5 [( w5 o$ T7 S: C, kGaAs: 46 W/m-K
% w, H0 ]& Q# MGaP: 77 W/m-K
- h( m4 @0 e" b  i, n7 hSi: 125 ～ 150 W/m-K
; p, r$ ?. X0 q9 eCupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K
, Q2 d2 n# c' S0 u# o
     2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.
$ J& D; g4 }8 [1 V  G, s     3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4   倍)，更适应于高驱动电流领域。
     4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热
5 d7 Z' K& x4 p% \/ z) w     5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB

9 i/ @$ q6 j% `$ i# \2.GB芯片定义和特点
6 E; @+ ^4 d0 {" O8 h: Y/ p
1 u( s6 q& o3 O. t$ |* k定义﹕
9 D9 `/ L/ \; d1 K  p       GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
特点﹕
         1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.
         2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图
+ {) D/ u% n+ q( l         3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)
1 g' D, [+ L# ]7 o         4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片
" J2 p, E; O& v! W# K" j6 T0 ?' G
% `, @2 k  z7 p+ v2 o3.TS芯片定义和特点

4 a) ?5 c& v# y9 s定义﹕
" M$ W+ f/ D+ l# S& D& V; T       TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。
$ l* L3 z4 u  h
特点﹕
0 Z1 D% e+ v6 @, |2 T1 o    1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED
    2. 信赖性卓越
    3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高
# F. a  O( k# ^    4.应用广泛

, K) c+ g  i2 r4.AS芯片定义与特点

4 L4 l0 S5 p$ I定义﹕
       AS 芯片﹕Absorbable structure  (吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大.
! N* f+ a/ c- J      大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
* g5 ^! u" X9 N2 I2 E5 n$ {$ M# [% c
特点﹕
4 |! G$ l( n+ ?# d    1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮
    2. 信赖性优良
3 P. E/ s! a6 m( M) G    3. 应用广泛

2 Z) X6 q; T; C  M# [; n! `$ E发光二极管芯片材料磊晶种类
3 p9 ?( X; d% J1 A7 r4 j
1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
* {( F" L, z2 S
4 {: n5 B$ w" ]: p- J3 {' m3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN
' J& P2 e5 J% K- R- g' Y; w8 p" ?
. J! N& P, L5 ]- \9 ]  L4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
1 G# F  F" |+ u# M' a
) r$ ~5 h0 X# \. d" v1 @0 a5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAs

6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure，  (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs