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EMC杂散二次谐波整改方法(手机). T+ v! ]! m/ U0 F
1/排除天线的影响
0 Y6 B' @) m. s# U <1>在测试点后接50ohm电阻到地,直接与CMU通话(一般会较难连上CMU,可以将手机靠近接收天线,待连接上后放回转台开始测量),或者软件使用AM-AM模式强制发射,观察谐波是否有改善,如果有明显改善,则是天线的原因,如果没有改善,则是主板的原因! o, c& P. I. I0 Q* ?
<2>使用任意一个天线(只要能装上),跟CMU通话后测量谐波,推断同<1>;+ A# h+ V4 o9 |- v3 }4 Y
<3>在天线馈点焊接cable并与小的全向天线连接,将天线放到转台底部,手机放转台上,与CMU通话并测量,推断同<1>;
0 [3 g5 [2 M) f" o- ~---接上天线后,可能导致PA工作状态改变,甚至由线性区进入非线性区,从而产生杂波$ S1 I$ ~, K9 X- a) t
- v! T2 D8 J- H3 O8 N f7 ]2/排除屏蔽架/屏蔽盖的影响$ C u( O5 L& j6 _# T
<1>将屏蔽架开孔处,用吸波材料包住(目前RD只有两种吸波材料,对于DCS使用较厚的吸波材料效果较好)并将屏蔽架和屏蔽盖用焊锡焊好,确保接地良好,通话测量谐波,如果有1个dB以上的改善,可以断定杂波可能是从屏蔽盖内辐射出来的,如果没有改善,则在别的地方寻找辐射源;$ r# t3 U. `- }, b: ?5 @) H ~$ B
<2>将屏蔽架开孔处,用铜皮包住(由于开孔处的PCB板上有绿油,可用小刀刮开绿油露出地来,并将铜皮与屏蔽盖以及地焊好),通话测量,推断同上;: X+ r# x1 T- H% g
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* d, H0 s9 J+ B3/排除结构件的影响
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- g$ K5 i9 h5 V9 z<1>将所有结构件(外壳、支架)去掉,只使用光板(必要时可加LCD以方便拨号查看),与CMU通话测量,如果有明显改善,则为结构件的影响
$ S) |# I) }9 u' E2 `/ V; r$ g4 Y<2>在结构件上加喷涂材料,通话测量,推断通上" V- \' v" N. i( e- g
+ ? D% D: i! Y7 m2 N: z0 Q(4)排除电源的影响
; S* N( A) a' X6 A3 x2 m<1>更改电池连接器处、PA供电的去耦/滤波电容(将22pF换成更小容值的电容,根据超标杂散频点的不同选择不同谐振频率的电容),通话测量& x5 \( j5 n1 s* V6 H4 _+ \
<2>更换不同型号、同一型号不同批次的电池进行测量,看看是否有改善' o6 r0 f3 G" F/ V* y1 ] A
<3>将电池甚至电池连接器用铜皮包住(为了防止短路,包铜皮之前先用透明胶将主板包住)进行测量,看看是否有改善
3 N* r3 I2 P1 n# x<4>检查VBAT走线是否过长、线宽是否足够粗--》过长的走线容易引入干扰(可以适当加GND过孔保护),过细的线宽其阻抗较大容易导致压降加大从而引起给芯片实际供电电压的不足
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/ I9 |3 [. y$ l2 n8 K% f仅供参考! |
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