电磁灶NTC失效测试

ni210

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各位，电磁灶标准19.102中需进行NTC失效后的油温测试，油温不得超过275K.NTC失效不同机构的理解不同，故想向各位了解下大家是如何操作的：
1.将NTC移出至器具外，尽量远离热风口；
4 W4 {" V9 f5 E. u. I3 M' J2.通过NTC温度阻值曲线，在阻值范围内寻找几个固定的定值电阻替代之；
9 j6 `3 D5 y. @/ U# l: P6 n4 t5 |3.采用给NTC持续加热的方式，使之阻值发生变化，但控制其不动作。
9 [. ]# b. z/ V第1种方式的缺点是如果NTC连接线长度限制了移出位置，对检测结果影响较大，并不稳定；
1 n" u2 z' v6 V) |4 e4 `第2种方式需要了解NTC的参数，前期需要大量信息；
第3种方式考核到了更深层次的“失效”，对传统软件评估检测的斜率值法提成了挑战，大多数软件无法识别。
不知道大家采用那种方法，希望一起探讨下。
) c9 o" q+ S& ]1 H" Y8 U

tiny

1和2其实是一个道理，
) B9 i7 U+ I0 Q% p% H2 [/ U. N个人觉得是第三种做法最合适。有的人是用电烙铁在NTC边上持续加热来模拟NTC失效（记得烙铁不能靠NTC太近）。
# I* x& P- W# _0 D6 b- l  X整改的话，不知道用两个NTC串联这样设计可不可以搞定。

ni210

恩，出口的电磁灶大多采用2个NTC或者1个NTC，1个热保护器。

zhangfc

你说的是微晶板下面的NTC吧？不是IGBT上面的NTC？
微晶板下面的NTC，失效，最好是通过IC失效。如果想通过对NTC做你说的1,2，IC是会保护的，3是很不实际的。

liscsupor

tiny 发表于 2015-6-30 16:34
7 q3 N4 `6 L3 X6 R. Y2 p2 a1和2其实是一个道理，
5 x1 l" ^' J$ L& u个人觉得是第三种做法最合适。有的人是用电烙铁在NTC边上持续加热来模拟NTC失效（记 ...

“第三种做法最合适”——认为不科学、不合理。
1、在国际上，CB认证有决议（DSH_725A），各CB实验室比较认可和遵守该决议。
, t: @5 Y- {. `0 q' o# |2、在中国，GB 4706.29国家标准宣贯材料中给出的意见为第一种。
2 Q& t! \2 W, w. O, g1 w从国际惯例看，倾向于DSH_725A决议的实验室更多一些。据了解，99.9%的实验室不会使用第三种方法。
! q9 ]7 y) G9 t% `8 n9 m$ _4 x对于“第三种”操作的，有失科学性、合理性。

tiny

liscsupor 发表于 2015-6-30 22:42
“第三种做法最合适”——认为不科学、不合理。
  g, O2 x8 k6 Y2 Z& M9 b* V- R/ [3 o1、在国际上，CB认证有决议（DSH_725A），各CB实验室比较 ...

谢谢，看了DSH-725A，上面是说可以用NTC动作区间的固定电阻代替。
不过我还有一些疑问，电磁炉里面的IC检测NTC阻值变化的斜率，你用固定的电阻代替的话IC会保护，这不又归结到需要IC软件来保护的问题上了吗。

zihwoei

* L2 C- J& a* n& K
  Z9 g! S* ?4 k: _在評估電磁爐時, 我最常用的方式是讓產品運作在工程模式下持續加熱的功能, 供你參考.

經驗裡, IC對NTC部分越多偵測與保護功能的, 越容易找到工程模式.  這類產品在開發階段如果沒有工程模式, 我想RD會被唸到臭頭~
  h6 G2 s. n+ W# {+ S, u) X

liscsupor

tiny 发表于 2015-7-1 09:32
谢谢，看了DSH-725A，上面是说可以用NTC动作区间的固定电阻代替。
不过我还有一些疑问，电磁炉里面的IC检 ...

2 A2 A% l9 d5 ?+ g- E* l其实不带“硬件保护”的，一般采用“软件保护”的方案来满足270K的要求。
" P7 t2 t, e9 C( [. _; ~" P目前方法有两种，一种要么“硬件”，要么“软件”，根据制造商的设计需要而订。

kafeijian

ni210 发表于 2015-6-30 16:41
: v, I* L/ v: T, `# \恩，出口的电磁灶大多采用2个NTC或者1个NTC，1个热保护器。

0 r4 ?2 _  \- B$ s" Y0 R国内的都是一个NTC么？那进行19.102的实效试验时，油温岂不是肯定超标？

zhangfc

liscsupor 发表于 2015-7-1 13:00
其实不带“硬件保护”的，一般采用“软件保护”的方案来满足270K的要求。
0 x, G  f* L1 p2 P目前方法有两种，一种要么“硬 ...

搞那么麻烦。
3 _4 `8 x' K$ ]/ [* a( m9 x4 x直接叫开发，灌一个无视微晶板下面的NTC的程序就可以模拟了。
一般这个NTC旁边会有一个熔断器。

  z1 r( h4 K0 o7 y# H模拟NTC的信号，太高端了。