标题: LED 在一般照明应用及相应规范的评论 [打印本页] 作者: 007168 时间: 2009-5-18 08:50 标题: LED 在一般照明应用及相应规范的评论 LED 在一般照明应用及相应规范的评论（转载）* Z }; y+ J3 k( p& o
% r8 m3 I! T6 {6 Z
一、LED产业于中国发展现况 . C# m) R$ O" U# @0 \* b1 F
: A" O0 ]/ r: G$ r 2005年全国有一定规模LED生产企业和研究单位约400家，若包含小的封装企业超过1000家。 $ z* ~) u5 i5 \% @8 f" F. S: X1 U: d3 s3 E1 X
不足： - N2 |/ H7 D; Q1 j. N
: p* S2 V* O5 d9 E! V
政府高度重视却少产业规划的具体方向。 4 _8 ]. N8 h* X+ s+ e+ S* W 0 Q0 s* R( f9 Z P' I5 ~: F 无具体性之度量规范标准或已不符时宜。 - y6 g. u& g* j* J7 V' T. z6 P& T0 h& O& m9 Z# ^. i
普遍投资小、分散且良璓不齐。 9 O3 F. \: n/ o' k2 O5 z& w ' m1 A/ Z# q/ q5 ? 欠缺具指标性之垂直整合型公司或企业联盟。 ) K& ?* w9 R% Y+ a" N
, [: \2 X) I+ u8 I `
关键材料及高效组件高度仰赖国外厂商支持。 & k, C4 S' f# }& K1 q1 |
. a% r, O5 b3 _/ ]# P 缺乏核心知识产权。 , Y5 Z0 B) n- y; O: S 4 I, V6 G- s' P" l/ J1 B/ p 产业界普遍缺乏科研基底且无法有效反应至学研界。 7 ~" T" k) i9 w' D' \" e5 Y+ Q0 g
% O' u2 g& p& t- Z+ e
传产因循旧法进行产品设计，无法表现LED产品优势。 ; h' p$ ~# N- F E9 Q, Q- w& e% g% {& _% ^- U
二、LED于一般照明应用的契机 4 Q, T s+ s5 a) N; t$ p/ u# v" D. g4 ?! n0 D" H) X4 G
挑战： 2 j, S' k7 H ^& ~. d4 I
- ? k" a! F% L9 B$ U2 E
能源供给紧张，替代能源发展效率无法有效填补能源需求。 & c) [; X. M1 ^) L9 a$ H5 M8 q, e' T$ m0 Z$ [4 Q
全球化之环境保护趋势（RoHS,WEEE指令）之提前落实。 - l6 E: G& r* O& g! F1 H6 I
' f! s9 \7 J* w4 O. }* C. Q 化合物半导体及相关材料、制程开发关键技术之不断突破。 " e/ p% d% ^2 A6 r9 `
! I% S, k6 S4 u" D" Z 半导体构装技术及经验的导入，有效降低成本并提高效能。 4 |# X r: o& d, U0 b
) U: I' B* m6 m+ } 产业链逐层精进改善，产品垂直整合态势逐渐完善。 5 C* T) a p8 P, e* Q' f 5 E2 r! _3 Z* N: p3 {' ?, U 机遇： 2 ]3 T6 N: C1 R
9 \" s2 f1 H; U8 F 政府层面的重视与支持，产、官、学界注目的焦点。 , Z" T/ i! Z' h2 U
& G( v2 X2 _2 K" |
传产（灯源、灯具业）被动性的产品及业务调整。 4 n8 \7 l0 \0 e; U, ^3 k
, U& q( M( k6 x/ C$ q# ` z
产品应用层面增广。 $ l) Z! i9 K& O" i
0 x( {' S- H/ e a
广大市场需求诱使传产重视此项业务的拓展。 ' c, T. k" ^$ i( q三、世界主要LED器件/照明量测标准 ) a* q6 B, y8 z; M
5 q/ k2 i7 |5 t- q4 A; l
国际 $ L! ~3 _9 l' d7 @) h& s: l ( N# H; N; C9 X" P4 x -IEC60747-5-3,Optoelectronicdevices-measuringmethods. 1 V" C. S" E' g2 b8 J& s( L! O
9 ?$ t- O: U; T- M6 s0 a8 \. p
-CIE127-1997,MeasurementofLEDs / y. o. y1 {7 h6 Y' F
a' Z- i s/ u# _: M+ P
-CIE/ISOStandardsonLEDIntensityMeasurements. 7 _# W$ V4 L! T+ H/ A0 ~9 E4 J z0 J3 C# L& ]9 p. _4 t8 z 日本 $ k! \% p# ]" ?, v, K
" B% j2 E! Y, p- n1 _
JEL311（日本电球工业会）,照明用白色LED测光方法通则 ; ~' l0 a& \3 _- a0 z- c$ u1 P) u/ m+ l$ A1 v/ c- V
JIES009（照明协会技术） + |0 t0 h& M* S3 f3 ]9 ^& q0 i! }# I0 K ^/ n( y( k5 v
CIES001（日本照明委员会） 5 R* |. k0 g, @. A% e6 T
- C* T1 R' z: Y! Y JIL9003（日本照明器具工业会） 8 y4 g0 n$ l7 K6 N( m- R e 9 ]" Y& r1 X7 M0 I# ^* s0 Y. f4 p 中国 9 d" q7 }; c7 ?. m8 l( M9 W, ^
9 k% } P: \0 C -Sj2353.3-83,半导体发光二极管测试方法 3 k/ o' t7 k* H) _/ {6 p% A9 S" R+ f$ D4 [; u
-Sj2658-86,半导体红光发光二极管测试方法 6 g6 \5 P5 O. n) t0 H5 l( [* K% V8 p' H
7 S" }6 ]1 u5 a; I' T7 K% K) U
-GB/T12561-1990,发光二极管空白详细规范 " O, z9 b; Y$ q0 a. d
, v- J; E, X) y. F* Y2 u
-GB/T15651-1995,半导体器件分立器件和集成电路：光电子器件 3 l7 ?5 c- t) l 9 c6 [ J- m$ o4 H& s" }5 v1 d4 o -GB/T18904.3-2002,半电子器件显示用发光二极管空白详细规范 6 w) Y0 [! ]' g1 J4 H4 v ' {) f+ Q9 T+ X; A2 p; c, ^+ {! _ -Sj/T2355-2005,半导体发光二极管测试方法 8 C# ]+ e6 \: Q- H 1 q2 v# x( j! D8 Y3 N 1、IEC及CIE规范差异 % ]. z! _2 L% z& I9 ~& k6 J$ V
0 {4 c. j. T# x3 _4 Z: W 同是LED参数测量标准,但对LED定义不同 % w8 j3 s$ z% _ A; A# _+ _! J3 L * ?1 ]! }' V; ? _" p3 i \ IEC（国际电工委员会）:作为显示用半导体器件 + E% c8 E7 G0 [! o! e
X% k) f3 f7 @ CIE（国际照明委员会）:作为光源器件处理 & @" z# H1 W4 e : [ n8 R4 @, x6 ^; n5 ?' Q& @ 最终产品定义不同,量测效能及指标定义不同 ' u9 T; J( O' c) ` ' x0 G% I( [' ? 1)发光（辐射）效能的定义不同 0 N# f2 U( ?. w
( k6 P: P$ F0 }5 e& _8 Z
-IECED的光（辐射）通量/耗费正向电流 ! n5 J3 R' A7 i, Z( {9 |; q! Y
$ m" S7 W1 m0 |$ ]8 f4 Z) F- D9 Q) u
-CIE:LED的光（辐射）通量/耗费电功率 # U7 ~( _/ O4 W# p; d3 z
7 }1 N3 W* m$ f6 c' e 2)发光强度的测量距离定义不同 $ \$ v5 T* w, P
% m, Y# L5 \8 T7 {* P
-IEC:近场（条件B）,无明确之量测距离定义。 ; U1 e' A) Z# D5 b p + r% B3 z4 ?5 i1 T H8 I -CIE:远场（条件A）及近场（条件Ｂ）,LED外壳顶端到光测器感应面 - h) B& U( |- t- X 4 R3 `$ ], r+ y% g2 q. {* M -CIE:提出「平均发光二极管发光强度」为LED新的量测法 3 Q' V3 V- Y; h+ o- M" j, E0 T ' \4 x1 e! H8 N1 G1 X. D 3)量测过程外在条件定义不同 ; z% g7 g+ o/ L3 r2 }
, N: q! p2 o1 R1 X -IEC:提供环境温度及大气条件建议。 7 u D& g- e* G2 i/ R, M8 f
% R& w3 h* u$ k2 T# y% K9 q -CIE:明确规定测量环境温度（25oC)，但未提大气条件。 " R' _1 V. h. m9 L0 t: \: p + v" m7 c0 q% X: j 2、IEC互补CIE规范差异项目 5 S" `9 j0 t3 l3 M( T, Z
5 n: S* k2 j" A& I) R2 O9 B% ~- k
CIE无提及LED辐射强度的量测 8 L# O3 y* W# ~7 c5 u! q; y. c4 {' S0 O+ V0 a- {8 h9 E+ k m
-IEC提出辐射强度定位（法向辐射强度）规范。 ! z' {* z+ o9 f/ w2 l( r6 b4 y4 K% u
-IEC提出采用无光谱选择性的探测器作为量测建议。 . C7 P D6 K8 Q) }4 A+ t7 t6 j* l5 g/ C& X: k, U- \, W4 B
-IEC提到采用近场量测。 % u# k) O+ w! D% x# B# T* t
k8 p J/ ^: }# w" c
CIE无提及‘低频闪光LED'测量方案 5 z# h8 ^; x6 B0 j# t3 x3 o/ n* O; e* W. i" ~4 u7 W: o% t. q
-IEC规定量测低频闪光LED时，光探测器的反应上升时间应够小以侦测脉冲峰值。 0 h% g+ x0 s- z+ z3 {: T' o " K+ G- a' [) e( F7 C -IEC规定单色LED波长分辨率和带宽应能够调节，以便测量有足够精度 % V8 f0 ]: U7 R {& j' [
' {0 J! H4 c y4 m/ e% [( ?; R1 u CIE无提及‘暗电流'的测量 3 L. ~/ v( K6 m1 s, V" ` W / s% p5 X: F" n -IEC强调暗电流对温度非常敏感，所以测量精度极依赖环境状态。 1 m5 P: R2 F4 c) U; n# A/ H+ v 5 R; k9 m6 b( C* p2 t; u% x -IEC强调散光亦会影响暗电流的测量，因此最好于全黑环境下进行。 / P) p% @% n- G, N& X4 n& X7 Y7 O! y/ j
-IEC规定工作电流需从0往上调节 ' ^, Q5 A3 T9 a" ` " r( [$ C6 d* }0 p+ m CIE无提及光耦合器应用时，总电容测量时频率 6 f& Z4 a# H6 ]0 Y O' p* H$ x . d* o6 e# Z9 u$ m% |: m- q CIE无提及光耦合器应用时，LED的开/关时间 R7 W. a& B! x# M; F* x+ Z; V7 U' q# F5 y# ^/ F1 i G! z4 ^
3、IEC及CIE量测规范之缺憾 1 r3 W. v. o8 L# u N+ \: @# i9 ?/ F8 A : I, j2 j, V% W I4 f 既有规范无法满足新型大功率LED芯片及封装体之量测。 ! c* x! Y y2 S* T& b, F8 d! }( R7 \4 T' p# j6 I. u! P4 \
既有规范无法满足模块式的LED构装体进行量测。 + R3 O+ f7 X5 c! G# S) n$ L8 o
1 W. D7 ]; I8 a0 T8 T4 ~5 L( @% v 无法满足极高脉冲频率‘闪光LED'或'仿视觉暂流态'之量测需求。 6 {0 `+ ~! x5 W/ A% l9 I4 O, ~6 j
5 I2 R8 ^1 H2 M& R 量测过程中组件热恒定状态并未纳入量测规范之中。 ' R5 Y/ j+ [# S* A, r- }" N, Q/ L$ J
结温（JunctionTemperature）未纳入评价考虑或规范参数内。 6 U; W3 l4 q7 v. \; }/ i' I$ }" Z+ ?3 F- \* s
4、日本LED量测标准 2 U" k5 k9 X% a" I
1 I/ Q9 O4 S2 O3 j- Q# Z9 J 此通用规则为2004年底由日本电球工业会、连同日本照明学会、日本照明委员会、日本照明器具委员会共同依CIE127-1997为基准制定的新准则，并于2006年3月22日修正公告，以为未来照明用白光LED量测标准。 / E2 o1 E) Q# K, _0 A0 k4 D* u2 a) M- W/ w' J& f
配合产业业者：小糸制作所、三菱电机、松下电器、日立LIGHTING、丰田合成、USHIO、OSRAMMELCO、松下电工、NECLIGHTING、STANLY、日亚、东芝Lighttech、LUMILEDSLIGHTINGJAPAN及ROHM等。 ( w. }7 ^0 c/ U O$ j2 ^2 z0 u9 S* ]7 E" }% P, Q0 O/ b
量测对象限定于照明用白光LED，采用与标准LED进行比较量测的方法，提供量测白光LED组件、模块的光度与全光束的规范。 + V% k9 n2 p. {8 v5 T+ e% t3 v
, A/ L# P+ ^: Y9 r: o 量测过程中已有规范之大气状态，并且将器件热恒定状态及不得加上散热器等量测条件纳入量测规范中。量测项目侧重于CIE平均光度、全光束的光亮值、相关色温、配光特性，并利用已经经测光标准灯校正的白光LED数值作为标准依据，除进行单芯片LED量测外，多白光LED模块亦可用此作为量测依据。 # y3 }+ D3 x3 I" L' z" m1 H. U7 @' ~; ?6 {3 o9 _
5、中国LED量测标准 1 A1 r, w+ j: T' v
. A# O7 T1 e4 g E8 n9 ~1 H
2002年起由中国光协光电器件专业分会与业界厂商藉学术研讨交流后之共识，依CIE127-1997为基准制订此一标准SJ/T2355-2005“半导体发光二极管测试方法”。 , A# ^/ u& {+ g; H+ P. @& V; O3 x- u Y/ U2 o( O: Q
结合功率型白光LED的发展需求，增加显示特性、仲裁试验的标准大气条件、补充'低频闪光LED'相关光电参数的测量方法，但仍未尽完全。 ' w& u7 z5 X9 }
$ A3 \4 G4 W& [; i- x9 p( B 缺陷 ! y- Q& J2 Z: Y8 w' A 6 I# q1 `" B" u! j3 g0 B' ]7 K 1)无法满足大功率LED芯片及封装体之量测。 & S; m1 r" b4 a, L0 E6 r% `5 q5 r7 F
2)无法满足对多芯片型模块及多管组合型LED灯的量测。 {' j" c* j2 A* }( y0 x( w" q T. p" a0 O, _; g; S* u# s! j% L
3)无法满足高脉冲频率‘闪光LED'或‘仿视觉暂留态'之量测需求。 + C* n& x) m' g: z $ n9 v9 ]' f& p1 G) T K0 ] 4)量测过程中组件之热恒定状态未详细定义于量测规范之中。 0 g7 a. H2 B1 T" z. J. ?2 G6 G2 ^ , ?" n3 o4 h9 I" T5 F. k 5)结温（JunctionTemperature）仍未纳入评价考虑或规范参数内。 # i' p$ {1 c5 N
" w; D0 N# s, M/ e- I4 N' l9 { 辅助量测标准 - T0 a2 ~& } c7 L7 k $ B. V1 Z6 A; s9 l J( Z 1)IEC61341-1994,照明用LED灯中心光强和光束角 / @: I) ]' s( K( G$ P* V+ @( t# G8 {! z& _# ^5 M9 ~) Q
2)GB/T19658-2005,反射灯的中心光强和光束角的测量方法 5 P2 ]5 B5 b" J5 m5 @: K. ]+ M
; `) e" C, `. i2 c7 y/ C: J 3)CIENo.63;GB/T7922-2003,光谱辐射及颜色的量测 8 D& R/ ~! U9 }7 [
* R* i. o! P7 [3 w. X
四、中国LED一般照明标准建构框架 0 q. v1 h0 R) \: n% \3 a7 ~) _
4 L0 f3 t! d. j, H% M# S3 v
2003年底由国家半导体照明工程攻关项目管理办公室在京召开之'半导体照明标准体系建设'第一次专题研讨会中决定半导体照明标准体系建设框架。 ' n: u) O& D$ j* k) o
! {8 ]* ~* t( L. u
计量标准是基础,用以统一国内度量单位,传递量值。 2 q$ N+ j/ _" I6 [ j. b: d9 p7 ~# n+ x2 W0 E5 S
计量标准事关国家主权,涉及国家的利益,测试基准的不一致会造成重大的贸易损失。 * Z3 B) ^; e! @% T/ ?
& L% k* @! z& j
为测试仪器定标，保持国内测试量值的准确性及权威性。 , l1 D# Y8 V& V$ R, G% J: p; [/ |1 v. }* ?) Y+ O& w* ^) A
因应产品的发展而进行分项标准之制订。并以指导行业发展为原则以制订技术标准。 # s' |$ A' a# ?. ]0 l
J( ?( u! P; x; n 五、中国LED一般照明标准建构建议 5 |, e3 Y0 L9 {7 H, V- s( i) @. q
, b$ a6 h; D2 }9 H
结温（Tj,JunctionTemperature）纳入作为照明用LED封装体的量测量测依据或作为光学量测结果之参考指标。 * e( T7 @1 [' g, j* X2 E5 A. P; r0 \. E- R
-照明用LED应视为‘光源器件'，而非‘显示用半导体器件'，规范应予以区分 ! ~5 c9 Q9 L- r% w* N: v1 L2 V9 `) l7 e
-现行LED量测标准及测试结果内并无‘器件信赖测试之参考指标，封装体中LED的结温为已知与信赖测试及失效状态有绝对的关系。 / ?7 M/ m: p) B/ {( L2 w4 j
: O$ L6 G7 Z! |/ P7 n, F
a)较高的结温会造成LED出光效率的降低。 * k- H: A0 S+ T8 o4 l/ l
" Y+ u+ H. f: }& n2 e; J
b)较高的结温会加速封装体构成材料特性的质变劣化。 # W( ?) c8 A& k B" C' \. G 8 s' m+ o( I! l c)较高的结温会造成LED封装体的产品生命期缩短。 , \( J+ Z; h1 X) g( B$ d/ n1 J3 G, t
ED的光（辐射）通量/耗费正向电流 ! n5 J3 R' A7 i, Z( {9 |; q! Y