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标题: 铁氧体(铁氧体磁环-铁氧体磁珠)在抑制电磁干扰(EMI)中的应用 [打印本页]

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作者: gzmuestc    时间: 2008-8-6 11:44
标题: 铁氧体(铁氧体磁环-铁氧体磁珠)在抑制电磁干扰(EMI)中的应用
  用铁氧体磁性材料抑制电磁干扰（ＥＭＩ）是经济简便而有效的方法，已广泛应用于计算机等各种军用或民用电子设备。那么什么是铁氧体呢？如何选择，怎样使用铁氧体元件呢？这篇文章将对这些问题作一简要介绍。
5 A. O: t" t4 H1 I2 u: S! s" A; W　　一、什么是铁氧体抑制元件
0 Z9 a; f% f# J　　铁氧体是一种立方晶格结构的亚铁磁性材料，它的制造工艺和机械性能与陶瓷相似。但颜色为黑灰色，故又称黑磁或磁性瓷。铁氧体的分子结构为ＭＯ·Ｆe2Ｏ3，其中ＭＯ为金属氧化物，通常是ＭnＯ或ZnＯ。
　　衡量铁氧体磁性材料磁性能的参数有磁导率μ，饱和磁通密度Ｂs，剩磁Ｂr和矫顽力Ｈc等。
( Z3 c1 c; y: B" N! `# P7 E　　对于抑制用铁氧体材料，磁导率μ和饱和磁通密度Ｂs是最重要的磁性参数。磁导率定义为磁通密度随磁场强度的变化率。

3 ~+ I7 ?4 a; Q9 p& d4 gμ＝△Ｂ／△Ｈ
  A5 |- `, d4 z. w* X, I
　　对于一种磁性材料来说，磁导率不是一个常数，它与磁场的大小、频率的高低有关。当铁氧体受到一个外磁场Ｈ作用时，例如当电流流经绕在铁氧体磁环上的线圈时，铁氧体磁环被磁化。随着磁场Ｈ的增加，磁通密度Ｂ增加。当磁场Ｈ场加到一定值时，Ｂ值趋于平稳。这时称作饱和。对于软磁材料，饱和磁场Ｈ只有十分之几到几个奥斯特。随着饱和的接近，铁氧体的磁导率迅速下降并接近于空气的导磁率(相对磁导率为１）如图１所示。
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8 l  ~  b. Y- f7 q图1 铁氧体的B-H曲线

　　铁氧体的磁导率可以表示为复数。实数部分μ'代表无功磁导率，它构成磁性材料的电感。虚数部分μ"代表损耗，如图２所示。
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# a; [. m6 h! s　　                   μ＝μ'－jμ"
2 b. c& ?; U" v8 _) H
- {1 n2 m! K* s( C图2 铁氧体的复数磁导率

3 w2 S, G: d, |5 i9 e6 I/ q) \! L　　磁导率与频率的关系如图３所示。在一定的频率范围内μ'值（在某一磁场下的磁导率）保持不变，然后随频率的升高磁导率μ'有一最大值。频率再增加时，μ'迅速下降。代表材料损耗的虚数磁导率μ"在低频时数值较小，随着频率增加，材料的损耗增加，μ"增加。如图３所示，图中tanδ=μ"/μ'


图3 铁氧体磁导率与频率的关系


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$ _4 H/ v+ Q' c: c# e: n图4 铁氧体抑制元件的等效电路（a）和阻抗矢量图（b）
" K$ f4 O3 Y7 k
3 Q* Y. Y/ }3 _0 E$ ]* s; y" x二、铁氧体抑制元件的阻抗和插入损耗
　　当铁氧体元件用在交流电路时，铁氧体元件是一个有损耗的电感器，它的等效电路可视为由电感Ｌ和损耗电阻Ｒ组成的串联电路，如图４所示。

　　铁氧体元件的等效阻抗Ｚ是频率的函数Z(f)=R(f)+jωL(f)=Kωμ"(f)+jKωμ'(f)

　　式中：Ｋ是一个常数，与磁芯尺寸和匝数有关，ω为角频率。
　　损耗电阻Ｒ和感抗jωＬ都是频率的函数，图５是材料８５０磁珠的阻抗、感抗和电阻与频率的关系。在低频端（<１０ＭＨｚ）阻抗小于１０Ω，随着频率的增加，由于电阻分量增加，使阻抗增加，电阻逐渐成为主要部分。在频率超过１００ＭＨｚ时，磁珠的阻抗将大于１００Ω。这样就构成一个低通滤波器，使高频噪音信号有大的衰减，而对低频有用信号的阻抗可以忽略，不影响电路的正常工作。这种滤波器优于普通纯电抗滤波器。后者会产生谐振，造成新的干扰，而铁氧体磁珠则没有这种现象。
  L/ k3 h: P& ~2 g. k0 c
2 U8 h, y) Y( p4 D图5 铁氧体的阻抗与频率的关系

3 _5 d# ~, n( F9 [　　铁氧体抑制元件应用时的等效电路如图６所示。图中Ｚ为抑制元件的阻抗，Ｚs和ＺＬ分别为源阻抗和负载阻抗，Ｚ为铁氧体抑制元件的阻抗。
　　通常用插入损耗表示抑制元件对ＥＭＩ信号的衰减能力。器件的插入损耗越大，表示器件对ＥＭＩ噪音抑制能力越强。
- B; y6 X5 Q# n, G1 X6 q# F
( E' C% _  y0 @7 W图6 铁氧体抑制元件应用电路
4 F$ L! a. x3 Y" W! v% o) m* p
5 ?# S6 W( B9 X) d5 _/ i5 l5 f插入损耗的定义为
1 Z) G5 b' \1 N  
式中：Ｐ１、Ｖ１分别为抑制元件接入前，负载上的功率和电压。
* L7 x4 a/ y" g$ y( TＰ２、Ｖ２分别为抑制元件接入后，负载上的功率和电压。
插入损耗和抑制元件的阻抗有如下关系：
  
　　由上式可见，在源阻抗和负载阻抗一定时抑制元件的阻抗越大，抑制效果越好。由于抑制元件的阻抗是频率的函数，所以插入损耗也是频率的函数。抑制元件的阻抗包括感抗和电阻部分，两部分对插入损耗都有贡献。在低频时，铁氧体的μ"的值较小，损耗电阻较小，主要是感抗起作用。在高频端，铁氧体的μ'值开始下降，而μ"值增大，所以损耗起主要作用。低频时，ＥＭＩ信号被反射而受到抑制，在高频端，ＥＭＩ信号被吸收并转换成热能。
三、铁氧体抑制元件的应用
　　铁氧体抑制元件广泛应用于ＰＣＢ，电源线和数据线上。
/ T* _( _4 B* v& S5 Z, W$ m１、铁氧体抑制元件在ＰＣＢ上的应用
  G/ r0 [& l7 K$ h" G　　ＥＭＩ设计的首要方法是抑源法，即在ＰＣＢ上的ＥＭＩ源将ＥＭＩ抑制掉。这个设计思想是将噪音限制在小的区域，避免高频噪音耦合到其他电路，而这些电路通过连线可能产生更强的辐射。
　　ＰＣＢ上的ＥＭＩ源来自周期开关的数字电路。其高频电流在电源线和地之间产生一个共模电压降，造成共模干扰。电源线或信号线会将ＩＣ开关的高频噪声传导或辐射出去。
+ L6 y/ S. m" L　　在电源线和地之间加一个去耦电容，使高频噪音短路，但是去耦电容常常会引起高频谐振，造成新的干扰。在电路板的电源进口加上铁氧抑制磁珠会有效的将高频噪音衰减掉。
: W; Q/ z0 e/ R- H２、铁氧体抑制元件在电源线上的应用
, z) F! B. K2 f, l0 w　　电源线会把外界电网的干扰、开关电源的噪音传到主机。在电源的出口和ＰＣＢ电源线的入口设置铁氧体抑制元件，既可抑制电源与ＰＣＢ之间的高频干扰的传输，也可抑ＰＣＢ之间高频噪音的相互干扰。
　　值得注意的是，在电源线上应用铁氧体元件时有ＤＣ偏流存在。铁氧体的阻抗和插入损耗随着ＤＣ偏流的增加而减少。当偏流增加到一定值时，铁氧体抑制元件会出现饱和现象。在ＥＭＣ设计时要考虑饱和或插入损耗降低的问题。铁氧体的磁导率越低，插入损耗受ＤＣ偏流的影响越小，越不易饱和。所以用在电源线上的铁氧体抑制元件，要选择磁导率低的材料和横截面积大的元件。
　　当偏流较大时，可将电源的出线（ＡＣ的火线，ＤＣ的十线）与回线（ＡＣ的中线，ＤＣ的地线）同时穿入一个磁管。这样可避免饱和，但这种方法只抑制共模噪音。
３、铁氧体抑制元件在信号线上的应用
　　铁氧体抑制元件最常用的地主就是信号线，例如在计算机中，ＥＭＩ信号会通过主机到键盘的电缆线传入到主机的驱动电路，而后耦到ＣＰＵ，使其不能正常工作。主机的数据或噪音也可通过电缆线传出去。铁氧体磁珠可用在驱动电路与键盘之间，将高频噪音抑制。由于键盘的工作频率在１ＭＨｚ左右，数据可以几乎无损耗地通过铁氧体磁珠。
0 b5 H. n) C3 a3 j( C: y& {　　偏平电缆也可用专用的铁氧体抑制元件，将噪音抑制在其辐射之前。
４、铁氧体抑制元件的选择
　　铁氧体抑制元件有多咱材料和各种形状、尺寸供选择。为选择合适的抑制元件，使对噪音的抑制更有效，设计者必须知道需要抑制的ＥＭＩ信号的频率和强度，要求抑制的效果即插入损耗值以及允许占用的空间包括内径、外径和长度等尺寸。
４－１铁氧体材料的选择
4 T8 ]: N6 A6 L7 |  V" P　　不同的铁氧体抑制材料，有不同的最佳抑制频率范围，与磁导率有关。通常材料的磁导率越高，适用抑制的频率就越低。下面是常用的几种抑制铁氧体材料的适用频率范围：
% l# F0 w5 X" G" K# q6 v, L5 C　　磁导率　　　　最佳抑制频率范围
0 W$ ]% N0 B1 k, N/ ~+ Y　　125　　　　　　>200MHz　　
( }, f8 ?+ w- e3 }( e9 ~/ q; _　　850           30MHz～200MHz
, c/ S4 p* i4 T& ^　　2500         10MHz～30MHz
　　5000 　　　　<10MHz
% n# y% Q1 [& M　　在有ＤＣ或低频ＡＣ偏流情况下，要考虑到抑制性能的下降和饱和，尽量选用磁导率低的材料。
9 W$ Y5 Z  P) |  q1 w４－２　铁氧体抑制元件尺寸的选择
　　铁氧体材料选定之后，需要选定抑制元件的形状和尺寸。抑制元件的形状和影响到对噪音抑制的效果。
　　一般来说，铁氧体的体积越大，抑制效果越好。在体积一定时，长而细的形状比短而而粗的形状的阻抗要大，抑制效果更好。但在有ＤＣ或ＡＣ偏流的情况下，要考虑到饱和问题。铁氧体抑制元件的横截面积越大，越不易饱和，可承受的偏流越大。另外，铁氧体的内径越小，抑制效果越好。
* P$ D7 y4 I- q　　总之，铁氧体抑制元件选择的原则是，在使用空间允许的条件下，选择尽量长，尽量厚和内孔尽量小的铁氧体抑制元件。
; x: g$ h; X" N, x7 n５、铁氧体抑制元件的安装
　　同样的铁氧体抑制元件，由于安装的位置不同，其抑制效果会有很大区别。
8 m# N# v: p1 I# p% D　　在大部分情况下，铁氧体抑制元件应安装在尽可能接近干扰源的地方。这样可以防止噪音耦合到其他地方，在那些地方可能噪音更难以抑制。但是在Ｉ／Ｏ电路，在导线或电缆进入或引出屏蔽壳的地方，铁氧体器件，应尽可能靠近屏蔽壳的进出口处，以避免噪音在经过铁氧体抑制元件之前耦合到其他地方。
　　铁氧体磁管穿在电缆上后要用热缩管封好

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